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이종접합 구조의 태양전지 및 이의 제조 방법

기술번호 : KST2021007533
담당센터 : 경기기술혁신센터
전화번호 : 031-8006-1570

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 광전변환효율을 높이기 위한 이종접합 구조체 기반의 태양전지 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명의 제안 기술은 태양전지의 변환효율을 향상시킬 목적으로, 태양전지 제조과정에서 전이금속 산화막층을 비산화물 반도체층 위에 적용하여 투명 전도막층 형성시 발생할 수 있는 표면 손상과 비산화물 반도체층에서 발생할 수 있는 미세 기공에 따른 전기적 단락을 방지하고, 광생성된 전하추출을 향상시킴으로써, 태양전지의 효율을 높일 수 있는 새로운 이종접합 구조체를 가지는 태양전지의 제작 방법을 제안한다.
Int. CL	H01L 31/072 (2006.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01) H01L 31/0224 (2006.01.01) H01L 31/0236 (2006.01.01) H01L 31/0216 (2014.01.01) H01L 31/0392 (2006.01.01)
CPC	H01L 31/072(2013.01) H01L 31/1804(2013.01) H01L 31/022441(2013.01) H01L 31/02363(2013.01) H01L 31/02167(2013.01) H01L 31/0392(2013.01) H01L 31/022466(2013.01)
출원번호/일자	1020190156644 (2019.11.29)
출원인	성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자	10-2021-0067244 (2021.06.08) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	등록
심사진행상태	수리
심판사항
구분	국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2019.11.29)
심사청구항수	9

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	성균관대학교산학협력단	대한민국	경기도 수원시 장안구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	이재형		경기도 화성시

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	차상윤	대한민국	서울특별시 영등포구 경인로 **, 동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
2	박종수	대한민국	서울특별시 영등포구 경인로 **, 동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
3	남건필	대한민국	서울특별시 영등포구 경인로 **, 동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2019.11.29	수리 (Accepted)	1-1-2019-1234286-00
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2020.10.16	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	[출원서 등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment	2020.11.13	수리 (Accepted)	1-1-2020-1216141-91
4	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2020.12.11	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-6-2020-0203306-14
5	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2021.01.22	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2021-0064756-30
6	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서	2021.03.16	수리 (Accepted)	1-1-2021-0308868-55
7	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2021.03.16	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2021-0308835-59

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 n형 반도체 기판을 준비하는 단계;n형 반도체 기판 상에 p형 비산화물 반도체 물질층을 형성하여 p-n 접합을 형성하는 단계;상기 비산화물 반도체 물질층 상에 전이금속 산화막을 형성하는 단계; 및전면 전극 및 후면 전극을 형성하는 단계를 포함하는,이종접합 구조의 태양전지의 제조 방법
2	2 제 1 항에 있어서,상기 n형 반도체 기판을 준비하는 단계 이후,상기 n형 반도체 기판의 전면 및 후면 중 어느 하나 이상을 텍스처링(texturing)하는 단계를 추가로 포함하는,이종접합 구조의 태양전지의 제조 방법
3	3 제 2 항에 있어서,상기 텍스처링은 습식 또는 건식 식각 공정에 의해 수행되는,이종접합 구조의 태양전지의 제조 방법
4	4 제 1 항에 있어서,상기 p형 비산화물 반도체 물질층은 투명한 전도성 비산화물 반도체 물질로 이루어진,이종접합 구조의 태양전지의 제조 방법
5	5 제 1 항에 있어서,상기 p형 비산화물 반도체 물질층의 형성은,진공 증착법, 원자층 증착법 및 용액을 이용한 코팅법 중 어느 하나를 이용하여 형성되는,이종접합 구조의 태양전지의 제조 방법
6	6 제 1 항에 있어서,상기 p형 비산화물 반도체 물질층의 형성은,1차적으로 p형 비산화물 반도체 물질층을 형성한 이후 2차적으로 p형 비산화물 반도체 물질층을 다시 형성함으로써 균일도를 향상시키는,이종접합 구조의 태양전지의 제조 방법
7	7 제 1 항에 있어서,상기 전이금속 산화막은 열증착법(thermal evaporation), 전자빔 증착법(e-beam evaporation) 및 원자층 증착법(atomic layer deposition) 중 어느 하나를 이용하여 형성되는,이종접합 구조의 태양전지의 제조 방법
8	8 제 1 항에 있어서,상기 전이금속 산화막은 상기 비산화물 반도체 물질층을 보호하는,이종접합 구조의 태양전지의 제조 방법
9	9 제 1 항에 있어서,상기 전면 전극 및 후면 전극을 형성하는 단계는,투명 전극을 형성하는 단계; 및컨택 전극을 형성하는 단계를 포함하는,이종접합 구조의 태양전지의 제조 방법
10	10 제 1 항에 있어서,상기 이종접합 구조의 태양전지의 제조 방법은 상온에서 수행되는,이종접합 구조의 태양전지의 제조 방법
11	11 p형 반도체 기판을 준비하는 단계;p형 반도체 기판 상에 n형 비산화물 반도체 물질층을 형성하여 p-n 접합을 형성하는 단계;상기 비산화물 반도체 물질층 상에 전이금속 산화막을 형성하는 단계; 및전면 전극 및 후면 전극을 형성하는 단계를 포함하는,이종접합 구조의 태양전지의 제조 방법
12	12 제 11 항에 있어서,상기 p형 반도체 기판을 준비하는 단계 이후,상기 p형 반도체 기판의 전면 및 후면 중 어느 하나 이상을 텍스처링(texturing)하는 단계를 추가로 포함하는,이종접합 구조의 태양전지의 제조 방법
13	13 제 11 항에 있어서,상기 n형 비산화물 반도체 물질층은 투명한 전도성 비산화물 반도체 물질로 이루어진,이종접합 구조의 태양전지의 제조 방법
14	14 제 11 항에 있어서,상기 이종접합 구조의 태양전지의 제조 방법은 상온에서 수행되는,이종접합 구조의 태양전지의 제조 방법
15	15 n형 반도체 기판;상기 n형 반도체 기판 상에 형성되어 p-n 접합을 형성하는 p형 비산화물 반도체 물질층;상기 비산화물 반도체 물질층 상의 전이금속 산화막;상기 전이금속 산화막 상의 전면 전극; 및상기 전면 전극층의 반대편에 배치된 후면 전극을 포함하는,이종접합 구조의 태양전지
16	16 제 15 항에 있어서,상기 n형 반도체 기판의 전면 및 후면 중 어느 하나 이상은 텍스처링되어 있는,이종접합 구조의 태양전지
17	17 제 15 항에 있어서,상기 p형 비산화물 반도체 물질층은 투명한 전도성 비산화물 반도체 물질로 이루어진,이종접합 구조의 태양전지
18	18 제 15 항에 있어서,상기 전이금속 산화막은 상기 비산화물 반도체 물질층을 보호하는,이종접합 구조의 태양전지
19	19 제 15 항에 있어서,상기 p형 비산화물 반도체 물질층의 두께는 20 내지 30nm인,이종접합 구조의 태양전지
20	20 제 15 항에 있어서,상기 전이금속 산화막의 두께는 10nm 이하인,이종접합 구조의 태양전지
21	21 p형 반도체 기판;상기 p형 반도체 기판 상에 형성되어 p-n 접합을 형성하는 n형 비산화물 반도체 물질층;상기 비산화물 반도체 물질층 상의 전이금속 산화막;상기 전이금속 산화막 상의 전면 전극; 및상기 전면 전극층의 반대편에 배치된 후면 전극을 포함하는,이종접합 구조의 태양전지
22	22 제 21 항에 있어서,상기 p형 반도체 기판의 전면 및 후면 중 어느 하나 이상은 텍스처링되어 있는,이종접합 구조의 태양전지
23	23 제 21 항에 있어서,상기 전이금속 산화막은 상기 비산화물 반도체 물질층을 보호하는,이종접합 구조의 태양전지

순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번	연구부처	주관기관	연구사업	연구과제
1	과학기술정보통신부	성균관대학교(자연과학캠퍼스)	기본연구	HNT (Heterojunction with Non-oxide Thin-layer) 구조 기반의 고효율 태양전지 개발

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번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2019.11.29	수리 (Accepted)	1-1-2019-1234286-00
2	선행기술조사의뢰서	2020.10.16	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	[출원서 등 보정]보정서	2020.11.13	수리 (Accepted)	1-1-2020-1216141-91
4	선행기술조사보고서	2020.12.11	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-6-2020-0203306-14
5	의견제출통지서	2021.01.22	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2021-0064756-30
6	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서	2021.03.16	수리 (Accepted)	1-1-2021-0308868-55
7	[명세서등 보정]보정서	2021.03.16	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2021-0308835-59

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