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제 1 전극과; 상기 제 1 전극과 마주하는 제 2 전극과;제 1 및 제 2 화합물을 포함하고 상기 제 1 및 제 2 전극 사이에 위치하는 발광물질층을 포함하며, 상기 제 1 화합물은 하나의 보론 원자, 하나의 산소 원자, 넷의 탄소원자로 구성되는 육각 고리 모이어티를 포함하는 화합물이고, 상기 제 2 화합물은 하나의 보론 원자와 하나의 질소 원자, 넷의 탄소원자로 구성되는 육각 고리 모이어티를 포함하는 화합물인 유기발광다이오드
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제 1 전극과; 상기 제 1 전극과 마주하는 제 2 전극과; 제 1 발광물질층과 제 2 발광물질층을 포함하며 상기 제 1 및 제 2 전극 사이에 위치하는 발광물질층을 포함하고,상기 제 1 발광물질층은 제 1 화합물을 포함하며, 상기 제 2 발광물질층은 상기 제 1 발광물질층과 상기 제 1 전극 사이에 위치하며 제 2 화합물을 포함하고, 상기 제 1 화합물은 하나의 보론 원자, 하나의 산소 원자, 넷의 탄소원자로 구성되는 육각 고리 모이어티를 포함하는 화합물이며, 상기 제 2 화합물은 하나의 보론 원자와 하나의 질소 원자, 넷의 탄소원자로 구성되는 육각 고리 모이어티를 포함하는 화합물인 유기발광다이오드
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3
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 1 화합물은 하기 화학식 1로 표시되며,[화학식1],R1 및 R2 각각은 독립적으로 수소, 중수소, 삼중수소, 할로겐, 실릴기, C1 내지 C20의 알킬기, C6~C30의 아릴기, C5 내지 C30의 헤테로아릴기, C1 내지 C20의 알킬아민기, C6~C30의 아릴아민기로부터 선택되고, R3는 질소를 포함하는 C5 내지 C60의 헤테로아릴기로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드
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제 3 항에 있어서,상기 제 1 화합물은 하기 화학식2의 물질 중 하나인 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 제 2 화합물은 하기 화학식 3으로 표시되고,[화학식 3],R11 내지 R14 각각은 독립적으로 수소, 중수소, 삼중수소, 보론, 질소, C1 내지 C20의 알킬기, C6~C30의 아릴기, C5 내지 C30의 헤테로아릴기, C1 내지 C20의 알킬아민기, C6~C30의 아릴아민기로부터 선택되거나 인접한 둘이 서로 결합하여 보론과 질소를 갖는 축합환을 이루고, R15 내지 R18 각각은 독립적으로 수소, 중수소, 삼중수소, 보론, 질소, C1 내지 C20의 알킬기, C6~C30의 아릴기, C5 내지 C30의 헤테로아릴기, C1 내지 C20의 알킬아민기, C6~C30의 아릴아민기로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드
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6
제 5 항에 있어서,상기 화학식 3은 하기 화학식4-1 또는 화학식4-2로 표시되고,[화학식4-1],[화학식4-2],화학식4-1에서, R15 내지 R18 및 R21 내지 R24 각각은 독립적으로 수소, 중수소, 삼중수소, 보론, 질소, C1 내지 C20의 알킬기, C6~C30의 아릴기, C5 내지 C30의 헤테로아릴기, C1 내지 C20의 알킬아민기, C6~C30의 아릴아민기로부터 선택되며,화학식4-2에서, R15 내지 R18 및 R31 내지 R34 각각은 독립적으로 수소, 중수소, 삼중수소, 보론, 질소, C1 내지 C20의 알킬기, C6~C30의 아릴기, C5 내지 C30의 헤테로아릴기, C1 내지 C20의 알킬아민기, C6~C30의 아릴아민기로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드
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7 |
7
제 5 항에 있어서,상기 제 2 화합물은 하기 화학식5의 물질 중 하나인 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드
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8
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 제 1 화합물의 HOMO 에너지 준위와 상기 제 2 화합물의 HOMO 에너지 준위의 차이는 0
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9
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 화합물의 중량%는 상기 제 2 화합물의 중량%보다 큰 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드
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10
제 2 항에 있어서, 상기 제 1 발광물질층에서 상기 제 1 화합물의 중량%는 상기 제 2 발광물질층에서 상기 제 2 화합물의 중량%보다 큰 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드
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11
제 2 항에 있어서, 상기 발광물질층은 상기 제 2 화합물을 포함하며 상기 제 1 전극과 상기 제 1 발광물질층 사이에 위치하는 제 3 발광물질층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드
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기판과;상기 기판 상에 위치하는 제1항 또는 제2항의 유기발광다이오드를 포함하는 유기발광장치
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