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제1 굴절률을 갖는 적외선 흡수층; 상기 적외선 흡수층 상에 형성되어 상기 적외선 흡수층과 이종 접합을 이루는 가시광 흡수층; 및상기 적외선 흡수층 중에 형성되며, 상기 제1 굴절률과 상이한 제2 굴절률을 갖는 반사층을 포함하는 광 센서
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제1항에 있어서,상기 반사층은, 상기 적외선 흡수층 상에 상하 방향으로 이격되어 복수 형성된 것을 특징으로 하는 광 센서
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제1항에 있어서,상기 반사층은 상기 적외선 흡수층을 이루는 물질의 산화물 또는 질화물로 형성된 것을 특징으로 하는 광 센서
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제1항에 있어서,상기 적외선 흡수층은 3차원 물질로 형성되고,상기 가시광 흡수층은 2차원 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 광 센서
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제4항에 있어서,상기 적외선 흡수층은, Ge 또는 InGaAs로 이루어진 것을 특징으로 하는 광 센서
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제4항에 있어서,상기 가시광 흡수층은 MoS2 또는 WS2로 이루어진 것을 특징으로 하는 광 센서
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제1항에 있어서,상기 반사층은, 표면으로부터 캐리어 확산 거리의 깊이에 형성되는 것을 특징으로 하는 광 센서
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제1항에 있어서,상기 반사층은, 표면으로부터 λ/2n (λ: 파장, n: 굴절률)의 정수배가 되는 깊이에 형성되는 것을 특징으로 하는 광 센서
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