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할라이드 페로브스카이트 단결정 및 2차원 반도체 물질층의 이종접합체를 포함하는, 광전 디바이스
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제 1 항에 있어서, 상기 2차원 반도체 물질층의 두께는 14 nm 이하인 것인, 광전 디바이스
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제 1 항에 있어서, 상기 할라이드 페로브스카이트 단결정의 두께는 1 nm 내지 5000 nm인 것인, 광전 디바이스
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제 1 항에 있어서,상기 2차원 반도체 물질층과 상기 할라이드 페로브스카이트 단결정의 두께 비는 1 : 10-1 내지 1 : 107인 것인, 광전 디바이스
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제 1 항에 있어서,상기 할라이드 페로브스카이트 단결정과 상기 2차원 반도체 물질층 간의 일함수 차이는 2 eV 이하인 것인, 광전 디바이스
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제 1 항에 있어서,상기 2차원 반도체 물질은 MoS2, MoSe2, WSe2, ReS2, ReSe2, MoTe2, WS2, WTe2, HfS2, HfSe2, HfTe2, ZrS2, ZrSe2, ZrTe2, InSe, In2Se3 또는 Black phosphorus을 포함하는 것인, 광전 디바이스
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제 1 항에 있어서,상기 2차원 반도체 물질층은 전자 수송층 및 정공 수송층 중 어느 하나 또는 이들 모두로 사용되는 것인, 광전 디바이스
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제 1 항에 있어서,상기 광전 디바이스가 페로브스카이트 태양전지인, 광전 디바이스
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제 8 항에 있어서,상기 페로브스카이트 태양 전지는,기판 상에 형성된 하부 전극;상기 하부 전극 상에 형성된 전자 수송층;상기 전자 수송층 상에 형성된 상기 할라이드 페로브스카이트 단결정;상기 할라이드 페로브스카이트 단결정 상에 형성된 정공 수송층; 및상기 정공 수송층 상에 형성된 상부 전극을 포함하는 것으로서, 상기 전자 수송층 및 상기 정공 수송층 중 어느 하나 또는 이들 모두가 상기 2차원 반도체 물질층을 포함하는 것인, 광전 디바이스
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제 9 항에 있어서,상기 전자 수송층은 상기 2차원 반도체 물질층을 포함하고, 상기 정공 수송층은 Spiro-OMeTAD [2,2',7,7'-tetrakis-(N,N-di-4-methoxyphenylamino)-9,9'-spirobifluorene], PEDOT:PSS [poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(4-styrene sulfonate)], G-PEDOT [poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(4-styrene sulfonate):polyglycol(glycerol)], PANI:PSS [polyaniline:poly(4-styrene sulfonate)], PANI:CSA (polyaniline:camphor sulfonic acid), PDBT [poly(4,4'-dimethoxy bithophene)], 폴리(3-헥실티오펜) (P3HT), (폴리[2,1,3-벤조티아디아졸-4,7-디일[4,4-비스(2-에틸헥실-4H-사이클로펜타[2,1-b:3,4-b']디티오펜-2,6-디일]] (PCPDTBT), (폴리[[9-(1-옥틸노닐)-9H-카바졸-2,7-디일]-2,5-티오펜디일-2,1,3-벤조티아디아졸-4,7-디일-2,5-티오펜디일]) (PCDTBT), 폴리(트리아릴아민) (PTAA), MoO3, V2O5, NiO, WO3, CuI 및 CuSCN 중에서 단독 혹은 복수로 선택되는 것을 포함하는 것인, 광전 디바이스
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2차원 반도체 물질층을 유연성 고분자 필름 상에 위치시키고,상기 유연성 고분자 필름을 움직여 상기 2차원 반도체 물질층과 할라이드 페로브스카이트 단결정의 위치를 조정하고,상기 유연성 고분자 필름을 제거하여 상기 2차원 반도체 물질층을 상기 할라이드 페로브스카이트 단결정에 접착시키는 것을 포함하는, 광전 디바이스의 제조 방법
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제 11 항에 있어서,상기 2차원 반도체 물질층을 유연성 고분자 필름 상에 위치시키는 것은, 상기 2차원 반도체 물질층이 형성된 테이프를 상기 유연성 고분자 필름 상에 위치시키고, 상기 테이프를 제거하는 것을 통해 수행되는 것인, 광전 디바이스의 제조 방법
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