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압전 멤스(612)가 형성되는 기판(610); 및상기 기판(610)의 표면과 일정 간격을 두고 배치되는 질량체(620);를 포함하는 것을 특징으로 하는 압전 멤스 벡터 하이드로폰
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제 1 항에 있어서,상기 기판(610)에는 십자가 형상의 4개의 빔(630)이 형성되며, 상기 빔(630)의 상단면에 상기 압전 멤스(612)가 형성되는 것을 특징으로 하는 압전 멤스 벡터 하이드로폰
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제 2 항에 있어서,상기 질량체(620)는 상기 4개의 빔(630)의 교차부분에 형성되는 지지부(1410)의 표면상에 접촉 배치되는 것을 특징으로 하는 압전 멤스 벡터 하이드로폰
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제 3 항에 있어서,상기 4개의 빔(630)은 일단들만 상기 기판(610)과 일체로 형성되는 것을 특징으로 하는 압전 멤스 벡터 하이드로폰
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제 1 항에 있어서,상기 압전 멤스(612)는, 상기 기판(610)의 표면상에 형성되는 하부 전극(611-1); 상기 하부 전극(611-1)의 표면상에 형성되는 압전 물질층(1110); 및 상기 압전 물질의 표면상에 형성되는 상부 전극(611-2);을 포함하는 것을 특징으로 하는 압전 멤스 벡터 하이드로폰
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제 5 항에 있어서,상기 하부 전극(611-1), 압전 물질층(1110), 및 상부 전극(611-2)은 증착을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 압전 멤스 벡터 하이드로폰
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7
제 2 항에 있어서,상기 4개의 빔(630)의 두께는 외부에서 발생하는 음향신호에 의해 변형되도록 상기 기판(610)의 두께보다 작은 것을 특징으로 하는 압전 멤스 벡터 하이드로폰
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제 1 항에 있어서,상기 압전 멤스(612)는 2개의 전기적 신호를 180°의 위상차로 획득하기 위해 2개로 분리되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 압전 멤스 벡터 하이드로폰
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제 3 항에 있어서,상기 질량체(620)는 반구형상인 것을 특징으로 하는 압전 멤스 벡터 하이드로폰
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제 9 항에 있어서,상기 질량체(620)의 하단면 중심에는 상기 지지부(1410)의 표면상에 부착되기 위한 기둥부(1710)가 형성되는 것을 특징으로 하는 압전 멤스 벡터 하이드로폰
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제 1 항에 있어서,상기 기판(610)은 사각형상인 것을 특징으로 하는 압전 멤스 벡터 하이드로폰
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제 1 항에 있어서,상기 기판(610)은 웨이퍼(910) 및 상기 웨이퍼(910)의 표면에 형성된 산화막(1010)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 압전 멤스 벡터 하이드로폰
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제 12 항에 있어서,상기 웨이퍼(910)는 중간에 절연층(911)이 형성되는 SOI(Silicon on insulator) 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 압전 멤스 벡터 하이드로폰
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압전 멤스(612)가 형성되는 기판(1810); 및상기 기판(1810)의 표면과 일정 간격을 두고 배치되는 4개의 질량체(1820-1 내지 1820-4);를 포함하는 것을 특징으로 하는 압전 멤스 벡터 하이드로폰
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(a) 기판(610)을 준비하는 단계;(b) 상기 기판(610)에 압전 멤스(612)를 형성하는 단계; 및(c) 상기 기판(610)의 표면과 일정 간격을 두고 질량체(620)가 배치되는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 압전 멤스 벡터 하이드로폰의 제조 방법
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