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트리거 입력신호(ei) 입력부와, 트리거신호 입력신호 입력부의 일단에 연결되는 전단 입력신호원 내부저항(Ri)과, 상기 내부저항의 타단에 연결되는 직류(DC) 저지용량(C)과, 상기 저지용량의 타단에 일단이 연결되는 스냅 오프 다이오드(SRD)와, 상기 저지용량과 상기 스냅오프 다이오드 사이에 일단이 연결되고 타단은 -VBIAS에 연결되는 바이어스전류 제한저항(RB)과, 상기 스냅 오프 다이오드의 타단과 상기 트리거 입력신호 입력부의 타단 사이에 병렬로 연결되는 출력 부하저항(RO)로 구성되는 것을 특징으로 하는, 스냅 오프 다이오드 및 이를 이용한 나노 초급의 레이져 펄스 발생회로
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청구항 1에 있어서,트리거 입력신호가 입력되지 않으면, 스냅 오프 다이오드의 바이어스 전류는, 접지→RO→SRD→RB→-VBIAS 순으로 순방향으로 흐르고, 만일 트리거 입력신호(ei) 입력부를 통해 양의 구형파가 입력되면, 스냅 오프 다이오드(SRD)가 역바이어스 상태가 되어 출력단에 수백 피코초 내지 1나노초 정도의 짧은 폭의 펄스가 발생되는 것을 특징으로 하는, 스냅 오프 다이오드 및 이를 이용한 나노 초급의 레이저 펄스 발생회로
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청구항 1에 있어서,상기 스냅오프 다이오드(SRD)의 일단은 바이어스전류 제한저항(RB)의 일단에 병렬로 연결되고, 상기 바이어스전류 제한 저항의 상기 일단에 그 일단이 연결되고 상기 출력 부하저항(RO)의 일단에 타단이 연결되는 결합 용량(C2)이 더 설치되는 것을 특징으로 하는, 스냅 오프 다이오드 및 이를 이용한 나노 초급의 레이져 펄스 발생회로
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청구항 3에 있어서,상기 스냅 오프 다이오드(SRD)의 순방향 바이어스 전류는 접지→SRD→RB→-VBIAS의 순서로 흐르는 것을 특징으로 하는, 스냅 오프 다이오드 및 이를 이용한 나노 초급의 레이저 펄스 발생회로
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청구항 3에 있어서,상기 결합 용량의 타단과 상기 출력 부하저항의 일단 사이에 연결되는 제2 스냅오프 다이오드(SRD2)와, 상기 결합 용량의 타단과 상기 제2 스냅오프 다이오드 사이에 일단이 연결되고 타단은 -VBIAS에 연결되는 제2 바이어스전류 제한저항(RB2)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 스냅 오프 다이오드 및 이를 이용한 나노 초급의 레이저 펄스 발생회로
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청구항 5에 있어서,상기 스냅 오프 다이오드(SRD)의 순방향 바이어스 전류는 접지→SRD→RB→-VBIAS이고, 상기 제2 스냅오프 다이오드(SRD2)의 순방향 바이어스 전류는 접지→RO→SRD2→RB2→-VBIAS이며, 트리거 입력신호 입력부를 통해 구형파가 입력되면, 스냅 오프 다이오드(SRD)에서 출력되는 초단폭의 펄스는 결합 용량(C2)을 통해 제2 스냅오프 다이오드(SRD2)에 입력되어 상기 제2 스냅오프 다이오드를 역방향 바이어스로 만들어 다시 초단폭의 펄스가 상기 출력 부하저항(RO)이 양단에서 출력되는 것을 특징으로 하는, 스냅 오프 다이오드 및 이를 이용한 나노 초급의 레이져 펄스 발생회로
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청구항 3에 있어서,상기 결합 용량(C2) 대신에 쇼트키 다이오드가 설치되는 것을 특징으로 하는, 스냅 오프 다이오드 및 이를 이용한 나노 초급의 레이저 펄스 발생회로
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청구항 5에 있어서,상기 제2 스냅 오프 다이오드(SRD2) 대신에 제2 드리프트형 스냅 오프 다이오드(D2)가 설치되며, 상기 제2 스냅오프 다이오드(SRD2)는 상기 바이어스 전류 제한저항(RB2)의 일단과 상기 트리거 입력신호(ei) 입력부의 타단 사이에 설치되며, 상기 바이어스 전류 제한저항(RB)의 일단과 상기 제2 바이어스전류 제한저항(RB2)의 일단 사이에 제1 드리프트형 스냅 다이오드(D1)가 더 설치되는 것을 특징으로 하는, 스냅 오프 다이오드 및 이를 이용한 나노 초급의 레이저 펄스 발생회로
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청구항 1 내지 청구항 8 중 어느 한 항에 있어서,절연체 재료로 이루어진 하우징,상기 하우징 내부에 위치하고 극성 P의 단자인 양극 단자,상기 하우징 내부에 위치하고 극성 N의 단자인 음극 단자,다수의 정공들이 움직이는 P형 반도체 층,다수의 전자들이 움직이는 N형 반도체 층, 및상기 N형 반도체 층과 상기 P형 반도체층 사이에 위치하며, 밀도를 1015개/cm3 정도의 희박하게 만든 중간층을 포함하는 스냅 오프 다이오드 및 이를 이용한 나노 초급의 레이저 펄스 발생회로
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