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고분자 전해질막;상기 고분자 전해질막의 일면에 위치하는 애노드 전극; 및상기 고분자 전해질막의 다른 일면에 위치하는 캐소드 전극;을 포함하고, 상기 애노드 전극은 카본입자를 포함하는 것을 특징으로 하는 PEM 수전해용 막-전극 어셈블리
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제 1 항에 있어서,상기 애노드 전극은 애노드 촉매 및 카본입자를 포함하는 것을 특징으로 하는 PEM 수전해용 막-전극 어셈블리
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제 2 항에 있어서, 상기 카본입자는 상기 애노드 촉매 100 중량%를 기준으로 0
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제 2 항에 있어서,상기 카본입자는 카본블랙, 카본나노파이버, 카본나노튜브, 플러렌, 그래핀, 메조포러스 카본, 활성탄, 흑연 및 이들로 구성된 군으로부터 선택되는 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 PEM 수전해용 막-전극 어셈블리
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제 2 항에 있어서,상기 카본입자의 크기는 10 nm 내지 1 μm인 것을 특징으로 하는 PEM 수전해용 막-전극 어셈블리
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제 2 항에 있어서,상기 애노드 촉매는 산화 이리듐(IrO2)인 것을 특징으로 하는 PEM 수전해용 막-전극 어셈블리
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제 1 항에 있어서, 상기 고분자 전해질막은 불소계 고분자 또는 탄화수소계 고분자를 포함하는 것을 특징으로 하는 PEM 수전해용 막-전극 어셈블리
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애노드 촉매, 이온 전도성 고분자 및 카본입자를 포함하는 애노드 촉매잉크를 제조하고, 상기 애노드 촉매잉크를 전사필름의 표면에 코팅하여 애노드 전극을 제조하는 단계;캐소드 촉매 및 이온 전도성 고분자를 포함하는 캐소드 촉매잉크를 제조하고, 상기 캐소드 촉매잉크를 전사필름의 표면에 코팅하여 캐소드 전극을 제조하는 단계;상기 애노드 전극 및 캐소드 전극을 각각 고분자 전해질막의 양면에 동시에 전사하는 단계;를 포함하는 PEM 수전해용 막-전극 어셈블리의 제조방법
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제 8 항에 있어서,상기 애노드 전극을 제조하는 단계는 스프레이 코팅법(spray coating), 스크린 프린팅법(screen printing), 테잎캐스팅법(tape casting), 붓칠법(brushing) 및 슬롯 다이 캐스팅법(slot die casting)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나의 방법을 통해 이루어지는 것을 특징으로 하는 PEM 수전해용 막-전극 어셈블리의 제조방법
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제 8 항에 있어서,상기 캐소드 전극을 제조하는 단계는 스프레이 코팅법(spray coating), 스크린 프린팅법(screen printing), 테잎캐스팅법(tape casting), 붓칠법(brushing) 및 슬롯 다이 캐스팅법(slot die casting)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나의 방법을 통해 이루어지는 것을 특징으로 하는 PEM 수전해용 막-전극 어셈블리의 제조방법
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제 8 항에 있어서,상기 제조방법은 전사 필름을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 PEM 수전해용 막-전극 어셈블리의 제조방법
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제 8 항에 있어서,상기 애노드 전극을 제조하는 단계에서, 상기 촉매잉크는 상기 카본입자가 상기 애노드 촉매 100 중량%를 기준으로 0
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제 8 항에 있어서,상기 카본입자는 상기 카본입자는 카본블랙, 카본나노파이버, 카본나노튜브, 플러렌, 그래핀, 메조포러스 카본, 활성탄, 흑연 및 이들로 구성된 군으로부터 선택되는 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 PEM 수전해용 막-전극 어셈블리의 제조방법
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제 8 항에 있어서,상기 카본입자의 크기는 10 nm 내지 1 μm인 것을 특징으로 하는 PEM 수전해용 막-전극 어셈블리의 제조방법
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제 8 항에 있어서,상기 애노드 촉매는 산화 이리듐(IrO2)인 것을 특징으로 하는 PEM 수전해용 막-전극 어셈블리의 제조방법
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제 8 항에 있어서,상기 캐소드 촉매는 백금이 코팅된 탄소 분말(Pt/C)인 것을 특징으로 하는 PEM 수전해용 막-전극 어셈블리의 제조방법
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제 8 항에 있어서, 상기 고분자 전해질막은 불소계 고분자 또는 탄화수소계 고분자를 포함하는 것을 특징으로 하는 PEM 수전해용 막-전극 어셈블리의 제조방법
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제 8 항에 있어서,상기 이온 전도성 고분자는 양이온 전도성 아이오노머인 것을 특징으로 하는 PEM 수전해용 막-전극 어셈블리의 제조방법
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