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고체산화물 멤브레인; 및 상기 고체산화물 멤브레인의 표면에 형성된 금속 산화물층;을 포함하며, 상기 금속 산화물층은 세리아 산화물에 가돌리늄이 치환된 금속 산화물을 이용한 것을 특징으로 하는 가돌리늄이 치환된 세라아를 이용한 고체산화막 전해제련 양극
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제1항에 있어서,상기 금속 산화물은 하기 화학식 1로 표시되는 것을 특징으로 하는 가돌리늄이 치환된 세라아를 이용한 고체산화막 전해제련 양극
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제1항에 있어서,상기 금속 산화물층은 1 ~ 300㎛의 두께를 갖는 것을 특징으로 것을 특징으로 하는 가돌리늄이 치환된 세라아를 이용한 고체산화막 전해제련 양극
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제1항에 있어서,상기 고체산화물 멤브레인은 이트리아 안정화 지르코니아(YSG)인 것을 특징으로 하는 가돌리늄이 치환된 세라아를 이용한 고체산화막 전해제련 양극
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제1항에 있어서,상기 금속 산화물층은 상기 고체산화물 멤브레인의 노출된 표면 전체를 덮도록 형성된 것을 특징으로 하는 가돌리늄이 치환된 세라아를 이용한 고체산화막 전해제련 양극
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용융염이 구비되는 전해조; 상기 전해조에 구비되는 용융염과 전기적으로 접촉하는 음극; 및 상기 전해조에 구비되는 용융염과 전기적으로 접촉하는 양극;를 포함하고, 상기 양극은 일 말단이 닫힌 관 형상의 고체산화물 멤브레인의 내측에 구비되며, 상기 양극 및 상기 고체 산화물 멤브레인 사이에 금속 산화물층이 구비되고, 상기 금속 산화물층은 세리아 산화물에 가돌리늄이 도핑된 금속 산화물을 이용한 것을 특징으로 하는 금속제련 장치
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제6항에 있어서,상기 금속 산화물은 하기 화학식 1로 표시되는 것을 특징으로 하는 금속제련 장치
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제6항에 있어서,상기 금속 산화물층은 1 ~ 300㎛의 두께를 갖는 것을 특징으로 것을 특징으로 하는 금속제련 장치
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(a) 세리아 산화물에 가돌리늄이 도핑된 금속 산화물 분말을 준비하는 단계; (b) 상기 금속 산화물 분말을 용매에 혼합한 후, 바인더, 가소제 및 분산제를 첨가하여 금속 산화물 슬러리를 형성하는 단계; 및 (c) 상기 금속 산화물 슬러리를 고체산화물 멤브레인의 표면에 코팅하고, 건조한 후, 안정화 열처리하여 금속 산화물층을 형성하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 가돌리늄이 치환된 세라아를 이용한 고체산화막 전해제련 양극 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 금속 산화물 분말은 하기 화학식 1로 표시되는 금속 산화물이 이용되는 것을 특징으로 하는 가돌리늄이 치환된 세라아를 이용한 고체산화막 전해제련 양극 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 금속 산화물 분말과 용매는 1 : 3 ~ 1 : 6의 중량비로 혼합하는 것을 특징으로 하는 가돌리늄이 치환된 세라아를 이용한 고체산화막 전해제련 양극 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 (c) 단계에서, 상기 코팅은 스프레이 코팅 또는 딥 코팅을 이용하여, 상기 금속 산화물 슬러리를 고체산화물 멤브레인의 표면에1 ~ 300㎛의 두께를 갖도록 실시하는 것을 특징으로 하는 가돌리늄이 치환된 세라아를 이용한 고체산화막 전해제련 양극 제조 방법
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제9항에 있어서, 상기 안정화 열처리는 1,500 ~ 1,700℃ 조건으로 실시하는 것을 특징으로 하는 가돌리늄이 치환된 세라아를 이용한 고체산화막 전해제련 양극 제조 방법
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