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캐소드 전극;상기 캐소드 전극과 수직으로 이격하는 애노드 전극;상기 캐소드 전극 상의 에미터;상기 캐소드 전극과 상기 애노드 전극 사이에 위치하고 상기 에미터와 대응되는 위치에 개구부를 포함하는 게이트 전극; 및상기 게이트 전극과 애노드 전극 사이에 제공되는 스페이서(Spacer)를 포함하고,상기 스페이서는 절연체 및 상기 절연체 내에 도핑된 전도성 도펀트들을 포함하는 엑스선 튜브
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제1항에 있어서,상기 스페이서는 109 Ω·cm 이상 1013 Ω·cm 미만의 체적 저항률(Volume resistivity)을 가지는 엑스선 튜브
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제1항에 있어서,상기 절연체는 산화알루미늄(Al2O3)을 포함하고,상기 전도성 도펀트들은 이산화 티타늄(TiO2)을 포함하는 엑스선 튜브
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제1항에 있어서,상기 스페이서는 1
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제1항에 있어서,상기 절연체는 1013Ω·cm 이상의 비저항을 가지는 제1 금속산화물을 포함하고,상기 전도성 도펀트들은 108Ω·cm 이하의 비저항을 가지는 제2 금속산화물을 포함하는 엑스선 튜브
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제1항에 있어서,상기 애노드 전극에 인가되는 전압은 70kV이상인 엑스선 튜브
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제1항에 있어서,상기 게이트 전극은 상기 애노드 전극을 향하여 연장되는 돌출부를 더 포함하는 엑스선 튜브
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제1항에 있어서,상기 스페이서는 1
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제8항에 있어서,상기 스페이서는 93 wt% 내지 96wt%의 알루미늄 산화물을 포함하는 엑스선 튜브
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캐소드 전극;상기 캐소드 전극과 수직으로 이격하는 애노드 전극;상기 애노드 전극의 일면 상에 배치되는 타겟, 상기 애노드 전극의 일면은 상기 캐소드 전극과 마주하고;상기 캐소드 전극 상의 에미터;상기 캐소드 전극과 상기 애노드 전극 사이에 위치하고 상기 에미터와 대응되는 위치에 개구부를 포함하는 게이트 전극; 및상기 게이트 전극과 애노드 전극 사이에 제공되는 스페이서(Spacer)를 포함하고,상기 스페이서는 상기 게이트 전극 및 상기 애노드 전극 사이에서 제1 영역 및 제2 영역 및 이들 사이의 제3 영역을 포함하고,상기 제1 영역은 상기 게이트 전극과 인접하고,상기 제2 영역은 상기 애노드 전극과 인접하며,상기 제1 영역 내지 상기 제3 영역은 절연체를 포함하고,상기 제1 영역 및 제2 영역은 상기 절연체 내에 도핑된 전도성 도펀트들을 더 포함하는 엑스선 튜브
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제10항에 있어서,상기 제1 영역의 체적 저항률 및 상기 제2 영역의 체적 저항률은 상기 제3 영역의 체적 저항률보다 작은 엑스선 튜브
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제10항에 있어서,상기 제1 영역 및 상기 제2 영역의 체적 저항률은 106Ω·cm 이상 109Ω·cm 미만이고,상기 제3 영역은 1013 Ω·cm 이상의 체적 저항률을 가지는 엑스선 튜브
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제10항에 있어서,상기 제1 영역 및 상기 제2 영역은 3wt% 이상의 전도성 도펀트들을 포함하는 엑스선 튜브
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제10항에 있어서,상기 제3 영역은 절연체 내의 전도성 도펀트들을 포함하고,상기 제1 영역은 상기 캐소드 전극으로부터 상기 애노드 전극을 향하는 제1 방향을 따라서, 상기 전도성 도펀트들의 농도가 감소하고,상기 제2 영역은 상기 제1 방향을 따라서, 상기 전도성 도펀트들의 농도가 증가하고,상기 제3 영역은 상기 제1 방향을 따라서, 상기 전도성 도펀트들의 농도가 감소하였다가 증가하는 엑스선 튜브
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제10항에 있어서,상기 제1 영역의 상기 캐소드 전극으로부터 상기 애노드 전극을 향하는 제1 방향에 따른 제1 길이 및 상기 제2 영역의 상기 제1 방향으로의 제2 길이의 각각은 상기 제3 영역의 상기 제1 방향으로의 제3 길이보다 작은 엑스선 튜브
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제10항에 있어서,상기 제1 영역의 체적 및 상기 제2 영역의 체적의 합은 상기 제3 영역의 체적보다 작은 엑스선 튜브
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제10항에 있어서, 상기 제1 영역의 최상부의 레벨은 상기 게이트 전극의 최상부의 레벨보다 높고,상기 제2 영역의 최하부의 레벨은 상기 애노드 전극의 최하부의 레벨보다 낮은 엑스선 튜브
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제17항에 있어서,상기 게이트 전극 및 상기 애노드 전극 사이의 적어도 하나의 집속 전극을 더 포함하고,상기 제1 영역의 최상부의 레벨은 상기 집속 전극 중 최상부의 레벨보다 높은 엑스선 튜브
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