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게이트 전극 상에 형성된 절연층;상기 절연층 상에 형성된 소스 전극, 드레인 전극, 및 채널층을 포함하고, 상기 채널층은 이차원 반도체 물질이 하층, 중층 및 상층으로 적층된 구조를 포함하고, 상기 이차원 반도체 물질은 두께의 변화에 따라 일함수(work function) 값이 조절되는 것인, 투과 공명 다이오드
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제 1 항에 있어서,상기 이차원 반도체 물질의 밴드갭의 값은 두께의 변화에 따라 변하지 않는 것인, 투과 공명 다이오드
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제 1 항에 있어서, 상기 이차원 반도체 물질은 흑린을 포함하는, 투과 공명 다이오드
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제 1 항에 있어서,상기 중층의 두께는 상기 상층 및 상기 하층의 두께보다 얇은 것인, 투과 공명 다이오드
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제 1 항에 있어서,상기 상층 및 상기 하층의 두께는 10 nm 내지 100 nm 인, 투과 공명 다이오드
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제 1 항에 있어서,상기 중층의 두께는 4 nm 내지 7 nm 인 것인, 투과 공명 다이오드
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제 1 항에 있어서,상기 투과 공명 다이오드의 정공 이동도는 1 cm2V-1s-1 내지 1,000 cm2V-1s-1 인, 투과 공명 다이오드
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제 1 항에 있어서,상기 채널층은 상기 중층의 결정 방향과 상기 상층 및 상기 하층의 결정 방향이 소정의 각도를 이루며 엇갈려서 적층된 것인, 투과 공명 다이오드
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제 1 항에 있어서,상기 절연층 상에 형성된 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극은 이격되어 존재하되, 상기 채널층에 의해 연결된 것인, 투과 공명 다이오드
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제 1 항에 있어서,상기 게이트 전극, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극은 각각 독립적으로 Nb, Au, Pt, Ti, Ag, Ni, Zr, Ta, Zn, Cr, Co, Mn, Fe, Al, Mg, Si, W, Cu, 란탄계 금속, 이들의 질화물, 이들의 산화물, 전도성 고분자, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 물질을 포함하는 것인, 투과 공명 다이오드
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제 1 항에 있어서,상기 절연층은 Al2O3, HfO2, Si3N4, SiO2, BN, ZnO, GaN, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 투과 공명 다이오드
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제 1 항에 있어서,상기 채널층 상에 보호층을 추가 포함하는, 투과 공명 다이오드
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제 12 항에 있어서,상기 보호층은 Al2O3, PDMS(polydimethylsiloxane), SiO2, Si3N4, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 패시베이션 물질을 포함하는 것인, 투과 공명 다이오드
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