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적어도 하나의 소자가 형성된 기판에 중간층이 형성되는 단계;상기 중간층의 일 면에 대해 요구 회전 속도로 미리 정의된 기간 동안 평탄화를 수행하여 상기 적어도 하나의 소자에 대응하는 적어도 하나의 부분을 상기 중간층으로부터 이탈시킴으로써, 상기 적어도 하나의 소자에 대응하는 적어도 하나의 비아를 상기 중간층에 형성하는 단계;를 포함하는 비아 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 요구 회전 속도는, 적어도 90 이상의 분당 회전수를 포함하는 비아 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 미리 정의된 기간은, 적어도 25초의 기간을 포함하는 비아 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 평탄화는 상기 중간층의 일 면에 대해 회전력 및 마찰력을 인가 가능한 평탄화부에 의해 수행되되, 상기 평탄화부의 회전 속도는 상기 요구 회전 속도까지 단 기간 동안 급격히 가속되는 비아 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 중간층은 이산화규소를 이용하여 제조된 것인 비아 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 적어도 하나의 소자는, 금속 소재로 이루어진 적어도 하나의 접촉 금속 소자를 포함하는 비아 형성 방법
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제6항에 있어서,상기 금속 소재는, 구리, 텅스텐, 금, 은 및 백금 중 적어도 하나를 포함하는 비아 형성 방법
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적어도 하나의 소자가 형성된 하부 기판에 중간층이 형성되는 단계;상기 중간층의 일 면에 대해 요구 회전 속도로 미리 정의된 기간 동안 평탄화를 수행하여 상기 적어도 하나의 소자에 대응하는 적어도 하나의 부분을 상기 중간층으로부터 이탈시킴으로써, 상기 적어도 하나의 소자에 대응하는 적어도 하나의 비아를 상기 중간층에 형성하는 단계; 및상기 적어도 하나의 비아가 형성된 중간층의 일 면에 상부 기판이 형성되는 단계;를 포함하는 반도체 장치의 제조 방법
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제1항 내지 제8항 중 어느 한 항의 방법을 이용하여 제조된 반도체 장치
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