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(a) 베이스 기판을 마련하는 단계; 및(b) 상기 베이스 기판 표면에 이트륨계 불화물을 분사 코팅하여 이트륨계 불화물층을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 분사 코팅 시, 비산화물 입자를 첨가하여 분사 코팅하는고경도를 갖는 반도체 프로세싱 챔버용 부품의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 베이스 기판은 금속 또는 소결된 세라믹 재료를 포함하는 고경도를 갖는 반도체 프로세싱 챔버용 부품의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (b) 단계에서 이트륨계 불화물은 YOF, Y5O4F7, Y7O6F9, 및 YF3 중 1종 이상을 포함하는 고경도를 갖는 반도체 프로세싱 챔버용 부품의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (b) 단계에서 비산화물 입자는 평균 입도가 100㎛ 이하인 고경도를 갖는 반도체 프로세싱 챔버용 부품의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (b) 단계에서 비산화물 입자는 질화물 또는/및 탄화물을 포함하는 고경도를 갖는 반도체 프로세싱 챔버용 부품의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (b) 단계에서 이트륨계 불화물 100중량부에 대하여, 비산화물 입자 1~50중량부를 혼합하여 분사 코팅하는고경도를 갖는 반도체 프로세싱 챔버용 부품의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (b) 단계에서 분사 코팅은 APS(Atmospheric Plasma Spray), PVD(Physical Vapor Deposition), 서스펜션 플라즈마 용사 코팅(Suspension plasma spray), 고속화염 코팅(High Velocity Oxygen Fuel Spraying, HVOF), 진공 플라즈마 코팅(Vacuum Plasma Spraying, VPS), 저온분사 코팅(cold spray) 또는 저압건식분사 코팅(aerosol deposition, AD)으로 수행되는고경도를 갖는 반도체 프로세싱 챔버용 부품의 제조방법
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베이스 기판; 및상기 베이스 기판 표면에 코팅되는 이트륨계 불화물층;을 포함하고,상기 이트륨계 불화물층은 비산화물 입자를 포함하는고경도를 갖는 반도체 프로세싱 챔버용 부품
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