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테라헤르츠파를 이용한 슬러리 도포량 측정 장치, 도포 시스템 및 이를 이용한 슬러리 도포량 측정 방법

  • 기술번호 : KST2021008079
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 슬러리 도포량을 측정하기 위한 측정 장치는, 테라헤르츠파를 슬러리가 도포된 이형지에 조사하는 발광부; 상기 발광부가 조사하여 상기 슬러리가 도포된 이형지를 통과한 테라헤르츠파를 전달받아 파워를 획득하는 수광부; 및 획득된 상기 테라헤르츠파의 파워를 기초로, 상기 이형지에 도포된 슬러리로부터 형성되는 전극의 두께를 산출하는 산출부를 포함한다.
Int. CL G01B 11/06 (2006.01.01) G01N 21/3581 (2014.01.01)
CPC G01B 11/0616(2013.01) G01N 21/3581(2013.01)
출원번호/일자 1020190164172 (2019.12.10)
출원인 현대자동차주식회사, 기아 주식회사, 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2021-0073380 (2021.06.18) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 현대자동차주식회사 대한민국 서울특별시 서초구
2 기아 주식회사 대한민국 서울특별시 서초구
3 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 성하승 대전광역시 서구
2 이호진 대전광역시 유성구
3 이일민 대전광역시 유성구
4 문기원 대전광역시 유성구
5 이의수 세종특별자치시 보듬*로
6 박동우 세종특별자치시 누리로
7 박정우 대전광역시 유성구
8 박경현 대전광역시 유성구
9 김현수 대전광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인태평양 대한민국 서울특별시 중구 청계천로 **, *층(다동, 예금보험공사빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2019.12.10 수리 (Accepted) 1-1-2019-1277462-81
2 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
2021.04.01 수리 (Accepted) 4-1-2021-5100876-85
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
테라헤르츠파를 슬러리가 도포된 이형지에 조사하는 발광부;상기 발광부가 조사하여 상기 슬러리가 도포된 이형지를 통과한 테라헤르츠파를 전달받아 파워를 획득하는 수광부; 및획득된 상기 테라헤르츠파의 파워를 기초로, 상기 이형지에 도포된 슬러리로부터 형성되는 전극의 두께를 산출하는 산출부를 포함하는, 측정 장치
2 2
제1항에 있어서,상기 산출부는, 상기 획득된 테라헤르츠파의 파워를 기초로 상기 슬러리의 백금 함량을 더 산출하고, 상기 산출된 슬러리의 백금 함량을 기초로 상기 전극의 두께를 산출하는, 측정 장치
3 3
제1항에 있어서,상기 발광부는, 연속출력레이저(continuous wave LASER)를 조사하는 발광부재를 포함하는, 측정 장치
4 4
제3항에 있어서,상기 발광부재는, 0
5 5
제1항에 있어서,상기 산출부가 산출한 전극의 두께가 소정의 두께 범위를 벗어나는 경우, 사용자에게 알림을 전달하는 알림부를 더 포함하는, 측정 장치
6 6
제1항에 있어서,상기 산출부는, 최초로 획득한 상기 슬러리가 도포된 이형지를 통과한 테라헤르츠파의 파워인 기준 파워를 저장하는 저장매체를 포함하고,상기 산출부는, 소정의 시점에 획득된 상기 테라헤르츠파의 파워를, 상기 기준 파워를 이용해 보정하여, 상기 소정의 시점에 형성된 전극의 두께를 산출하는 기초로 사용하는, 측정 장치
7 7
제6항에 있어서,상기 기준 파워는, 상기 슬러리가 도포된 이형지 중 슬러리가 도포되지 않은 영역을 통과한 테라헤르츠파의 최초 획득된 파워이고,상기 소정의 시점에 획득된 테라헤르츠파의 파워는, 상기 슬러리가 도포된 이형지 중 슬러리가 도포된 영역을 통과한 테라헤르츠파로부터 상기 소정의 시점에 획득된 파워인 현재 슬러리 파워와, 상기 슬러리가 도포된 이형지 중 슬러리가 도포되지 않은 영역을 통과한 테라헤르츠파로부터 상기 소정의 시점에 획득된 파워인 현재 이형지 파워를 포함하고,상기 산출부는, 상기 현재 슬러리 파워를 상기 기준 파워 및 상기 현재 이형지 파워를 기초로 보정한 보정 파워를 얻어, 상기 소정의 시점에 형성된 전극의 두께를 산출하는 기초로 사용하는, 측정 장치
8 8
제7항에 있어서,상기 보정 파워는, 상기 현재 슬러리 파워에 상기 기준 파워를 곱하고 상기 현재 이형지 파워로 나눈 값인, 측정 장치
9 9
제1항에 있어서,상기 수광부 및 발광부는 소정의 직선상에 정렬될 수 있고,상기 소정의 직선은, 상기 수광부 및 상기 발광부의 사이로 지나가는 이형지와 전반사 임계각 미만의 각도를 이루도록 배열되는, 측정 장치
10 10
이형지에 슬러리를 도포하는 도포부;테라헤르츠파를 상기 슬러리가 도포된 이형지에 조사하는 발광부;상기 슬러리가 도포된 이형지를 통과한 테라헤르츠파의 파워를 획득하는 수광부;상기 이형지에 도포된 슬러리를 가열하여 건조시킴으로써 전극을 형성하는 건조로;상기 전극의 백금 함량을 획득하는 함량획득부; 및획득된 상기 테라헤르츠파의 파워를 기초로, 상기 전극의 두께를 산출하는 산출부를 포함하는, 도포 시스템
11 11
제10항에 있어서,상기 산출부는, 상기 함량획득부가 획득한 전극의 백금 함량과, 상기 수광부가 획득한 테라헤르츠파의 파워를 서로 대응시킨 테이블을 생성하고, 생성된 테이블로부터 상기 테라헤르츠파의 파워와 상기 전극의 백금 함량의 관계식을 생성하여, 이후 상기 수광부가 획득하는 테라헤르츠파의 파워로부터 전극의 백금 함량을 산출하는 기초로 사용하는, 도포 시스템
12 12
제10항에 있어서,상기 함량획득부는, 상기 전극에 X선을 조사하는 X선 발광소자와, 상기 전극으로부터 발생하는 형광 X선을 감지하는 X선 수광소자와, 상기 X선 수광소자가 감지한 형광 X선으로부터 생성한 전기적 신호로부터 상기 전극의 백금 함량을 산출하는 함량산출부를 포함하는, 도포 시스템
13 13
테라헤르츠파를 슬러리가 도포된 이형지로 조사하는 단계;상기 슬러리가 도포된 이형지를 통과한 테라헤르츠파의 파워를 획득하는 단계; 및획득된 상기 테라헤르츠파의 파워를 기초로, 상기 이형지에 도포된 슬러리로부터 형성되는 전극의 두께를 산출하는 단계를 포함하는, 측정 방법
14 14
제13항에 있어서,상기 산출하는 단계는,상기 획득된 테라헤르츠파의 파워를 기초로 상기 슬러리의 백금 함량을 산출하는 단계; 및상기 산출된 슬러리의 백금 함량을 기초로 상기 전극의 두께를 산출하는 단계를 포함하는, 측정 방법
15 15
제13항에 있어서,상기 산출하는 단계는, 상기 슬러리가 도포된 이형지 중 슬러리가 도포된 영역을 통과한 테라헤르츠파로부터 소정의 시점에 획득된 파워인 현재 슬러리 파워를, 상기 슬러리가 도포된 이형지 중 슬러리가 도포되지 않은 영역을 통과한 테라헤르츠파의 최초 획득된 파워인 기준 파워와, 상기 슬러리가 도포된 이형지 중 슬러리가 도포되지 않은 영역을 통과한 테라헤르츠파로부터 상기 소정의 시점에 획득된 파워인 현재 이형지 파워를 기초로 보정한 보정 파워를 산출하여, 상기 소정의 시점에 형성된 전극의 두께를 산출하는 기초로 사용하는, 측정 방법
16 16
제13항에 있어서,상기 산출하는 단계에서 산출된 전극의 두께가 소정의 두께 범위를 벗어나는 경우, 사용자에게 알림을 전달하는 단계를 더 포함하는, 측정 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.