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기판;상기 기판의 상면에 평행한 제1 방향으로 연장되는 복수개의 리드 아웃 배선들; 상기 리드 아웃 배선들을 사이에 두고 상기 기판과 이격하는 복수개의 스캔 배선들, 상기 스캔 배선들은 상기 기판의 상면에 평행하고 상기 리드 아웃 배선들과 교차하고, 상기 리드 아웃 배선들과 상기 스캔 배선들 사이에 각각 개재되는 절연 패턴들; 및 상기 절연 패턴들과 상기 리드 아웃 배선들 사이에 개재되는 반도체 패턴들을 포함하는 생체인식 센서
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제1항에 있어서,상기 반도체 패턴은 1
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제1항에 있어서,상기 반도체 패턴의 전자는 근적외선에 의하여 여기되는(excited)되는 생체인식 센서
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제3항에 있어서,상기 리드 아웃 배선들과 상기 스캔 배선들이 교차하는 지점들에서 상기 절연 패턴들, 상기 반도체 패턴들, 상기 리드 아웃 배선들의 일부 및 상기 스캔 배선들의 일부는 각각 커패시터들을 구성하고, 상기 커패시터들은 광 여기(photo excitation)에 의하여 정전용량이 변화하는 생체인식 센서
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제1항에 있어서,상기 반도체 패턴은 상기 리드 아웃 배선과 접촉하고, 상기 절연 패턴은 상기 반도체 패턴의 측면 및 상면을 덮는 생체인식 센서
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제5항에 있어서,상기 반도체 패턴은 상기 제1 방향에 평행한 제1 폭을 가지고,상기 절연 패턴은 상기 제1 방향에 평행한 제2 폭을 가지고, 상기 제2 폭은 상기 제1 폭보다 큰 생체인식 센서
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제5항에 있어서,상기 절연 패턴은 상기 스캔 배선과 접촉하는 생체인식 센서
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제7항에 있어서,상기 반도체 패턴 및 상기 리드 아웃 배선 사이의 광차단 패턴을 더 포함하는 생체인식 센서
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제8항에 있어서,상기 반도체 패턴은 상기 제1 방향에 평행한 제1 폭을 가지고,상기 광차단 패턴은 상기 제1 방향에 평행한 제3 폭을 가지고, 상기 제3 폭은 상기 제1 폭보다 큰 생체인식 센서
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제8항에 있어서,상기 광차단 패턴은 상기 반도체 패턴과 접촉하고,상기 광차단 패턴은 텅스텐, 몰리브덴, 티타늄 및 몰리브덴-티타늄 중 적어도 하나를 포함하는 생체인식 센서
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제8항에 있어서,상기 절연 패턴은 상기 반도체 패턴의 측면 및 상면, 상기 광차단 패턴의 상면 및 측면을 덮는 생체인식 센서
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제1항에 있어서,상기 리드 아웃 배선들은 리드 아웃 집적 회로(readout integrated circuit)와 전기적으로 연결되는 생체인식 센서
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제1항에 있어서,상기 기판의 상면, 상기 리드 아웃 배선들의 상면 및 측면들, 성가 절연 패턴의 상면 및 측면들, 스캔 배선들의 상면 및 측면을 덮는 봉지막을 더 포함하는 생체인식 센서
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기판;상기 기판의 상면에 평행한 제1 방향으로 연장되는 복수개의 스캔 배선들; 상기 스캔 배선들을 사이에 두고 상기 기판과 이격하는 복수개의 리드 아웃 배선들, 상기 리드 아웃 배선들은 상기 기판의 상면에 평행하고 상기 스캔 배선들과 교차하고, 상기 리드 아웃 배선들과 상기 스캔 배선들 사이에 각각 개재되는 절연 패턴들; 및 상기 절연 패턴들과 상기 스캔 배선들 사이에 개재되는 반도체 패턴들을 포함하는 생체인식 센서
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제14항에 있어서,상기 리드 아웃 배선들과 상기 스캔 배선들이 교차하는 지점들에서 상기 절연 패턴들, 상기 반도체 패턴들, 상기 리드 아웃 배선들의 일부 및 상기 스캔 배선들의 일부는 각각 커패시터들을 구성하고, 상기 커패시터들은 근적외선에 의하여 정전용량이 변화하는 생체인식 센서
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제14항에 있어서,상기 반도체 패턴 및 상기 스캔 배선 사이의 광차단 패턴을 더 포함하고,상기 절연 패턴은 상기 광차단 패턴의 상면 및 측면을 덮는 생체인식 센서
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