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하기 화학식 1 또는 화학식 2로 표시되는 II-V족 반도체 물질
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제1항에 있어서,zinc blende 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 II-V족 반도체 물질
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제1항에 있어서,단결정, 다결정 또는 박막 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 II-V족 반도체 물질
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제1항에 있어서,상기 X의 일부가 Cu, Ag, Au, B, Al, Ga, In, Tl, Mg, Ca, Sr 또는 Ba로 치환된 것을 특징으로 하는 II-V족 반도체 물질
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제1항에 있어서,상기 Y의 일부는 C, Si, Ge, Sn, Pb, O, S, Se 또는 Te로 치환된 것을 특징으로 하는 II-V족 반도체 물질
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(a) 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속, X 그리고 Y를 반응 용기에 삽입하는 단계(여기서, X는 Zn, Cd, Hg이고, Y는 N, P, As, Sb, Bi임);(b) 상기 반응 용기에 삽입된 합성 원료를 반응하고 냉각하여 결정화하는 단계; (c) 상기 단계 (b)에서 얻어지는 화합물에서 알칼리금속 또는 알칼리토금속을 제거하는 단계;를 포함하는 단결정, 다결정 및 박막 형태의 II-V족 반도체 물질의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 II-V족 반도체 물질은 하기 화학식 1로 표시되는 것을 특징으로 하는 II-V족 반도체 물질의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 반응은 400~1600℃의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 II-V족 반도체 물질의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 냉각은 반응 온도로부터 급냉 또는 서냉함을 통해 이루어지는 것을 특징으로 하는 II-V족 반도체 물질의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 서냉은 반응온도에서 상온까지 시간당 200 ℃/hr
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제6항에 있어서, (b) 단계에서 얻어진 시료를 이용하여 박막을 제조한 후((d) 단계), 생성된 박막에서 알칼리금속, 알칼리 토금속을 제거하는 단계, 또는 (c) 단계에서 얻어진 시료를 이용하여 박막을 제조하는 단계((e) 단계)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 II-V족 반도체 물질의 제조방법
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제11항에 있어서, 상기 박막 제조는 스퍼터링(sputtering), PLD(pulsed laser deposition), MBE(molecular beam epitaxial), CVD(chemical vapor deposition), evaporation 법 등을 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 II-V족 반도체 물질의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 X의 일부를 Cu, Ag, Au, B, Al, Ga, In, Tl, Mg, Ca, Sr 또는 Ba로 치환하거나, 상기 Y의 일부를 C, Si, Ge, Sn, Pb, O, S, Se 또는 Te으로 치환하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 II-V족 반도체 물질의 제조방법
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제13항에 있어서,상기 X, Y의 치환 공정은,상기 (a) 단계에서 치환할 원소 또는 치환할 원소가 포함된 화합물을 반응 용기에 함께 삽입하여 열처리하는 방법;청구항 6을 통하여 생성된 XY 단결정, 다결정 또는 박막에 치환할 원소 또는 치환할 원소가 포함된 화합물을 반응 용기에 함께 삽입하여 열처리하는 방법;청구항 6을 통하여 생성된 XY 단결정, 다결정 또는 박막을 치환할 원소가 포함된 가스 분위기에서 열처리하는 방법;을 이용하는 것을 특징으로 하는 II-V족 반도체 물질의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 단계 (c)는 유기용매, 물 또는 이들의 혼합물을 이용한 액상반응, 전기화학반응, 열처리 등을 이용하여 결정 내의 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 이온을 제거하는 것을 특징으로 하는 II-V족 반도체 물질의 제조방법
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제15항에 있어서,상기 유기용매는 환상 카보네이트계 용매, 쇄상 카보네이트계 용매, 에스테르계 용매, 에테르계 용매, 니트릴계 용매, 아미드계 용매 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 II-V족 반도체 물질의 제조방법
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제1항의 II-V족 반도체 물질을 포함하는 전자소자
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제1항의 II-V족 반도체 물질을 포함하는 광학소자
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