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낸드 플래시 메모리에서 개인 정보 폐기 방법

  • 기술번호 : KST2021008201
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 개인 정보 폐기 방법은 부분 덮어 쓰기, SLC 프로그램 작업, 및 삭제 작업 펄스 적용 중 적어도 하나를 포함한다. 개인 정보 폐기 방법은, 개인 정보를 포함하는 삭제할 메모리 블록의 데이터의 프로그램 상태를 획득하고, 상기 개인 정보에 해당하는 프로그램 상태와 같거나 높은 상태의 데이터가 생성되고, 상기 생성된 데이터를 이용하여 상기 개인 정보에 대하여 부분 덮어쓰기 동작을 수행하는 단계를 포함한다.
Int. CL G06F 21/78 (2013.01.01) G06F 21/62 (2013.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020200170824 (2020.12.08)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2021-0072730 (2021.06.17) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020190162829   |   2019.12.09
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.12.08)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이동훈 서울특별시 종로구
2 안나영 대한민국 서울특별시 동대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김홍석 대한민국 서울시 구로구 디지털로**길 **, ***호(구로동, 코오롱싸이언스밸리*차)(동진국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2020.12.08 수리 (Accepted) 1-1-2020-1331613-59
2 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2020.12.09 수리 (Accepted) 1-1-2020-1334216-51
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번호 청구항
1 1
개인 정보를 포함하는 삭제할 메모리 블록의 데이터의 프로그램 상태를 획득하는 단계;상기 개인 정보에 해당하는 프로그램 상태와 같거나 높은 상태의 데이터가 생성되는 단계; 및상기 생성된 데이터를 이용하여 상기 개인 정보에 대하여 부분 덮어쓰기 동작을 수행하는 단계를 포함하는 개인 정보 폐기 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 데이터의 프로그램 상태를 획득하는 단계는,상기 개인 정보의 원본 데이터를 변조하는 단계; 및상기 변조된 데이터를 상기 메모리 블록의 문턱 전압에 대응하는 프로그램 상태에 따라 매핑하는 단계를 포함하는 개인 정보 폐기 방법
3 3
개인 정보를 포함하는 삭제할 메모리 블록 내 포함된 유효하지 않은 페이지에 대하여, on-the-fly 무효 페이지 프로그램 작업을 수행하는 단계를 포함하되,상기 on-the-fly 무효 페이지 프로그램 작업은 임의의 임계 전압을 기반으로 단일 레벨 셀(Single Level Cell: SLC) 프로그램 동작을 수행하는 개인 정보 폐기 방법
4 4
개인 정보를 포함하는 삭제할 메모리 블록 내 포함된 유효하지 않은 페이지에 해당하는 워드 라인에 삭제 작업 펄스(Deletion Duty Pulse)를 인가하는 단계를 포함하되,상기 삭제 작업 펄스는 통과 전압(Vpass)보다 크며,상기 삭제 작업 펄스의 수는 ECC(Error Correction Code) 기술의 오류 수정 수준을 초과하도록 결정되는 개인 정보 폐기 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.