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기판;상기 기판 상에 패터닝(patterning) 된 제1 전극 및 제2 전극; 및상기 기판 상에 형성되고, 상기 제1 전극 및 제2 전극과 접촉된 구조를 가지며 빛을 감지하는 감지부를 포함하고,상기 감지부는 단결정 페로브스카이트 화합물을 포함하는 적어도 하나의 나노와이어를 포함하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 광검출 소자
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제1항에 있어서,상기 단결정 페로브스카이트 화합물은 할라이드 치환 반응에 의해 서로 상이한 1가 음이온을 포함하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 광검출 소자
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제1항에 있어서,상기 단결정 페로브스카이트 화합물을 포함하는 적어도 하나의 나노와이어는 결정 격자 구조가 입방정계(cubic), 정방정계(tetragonal), 사방정계(orthorhombic), 사방 육면체(rhombohedral), 층상(layer) 및 이합체(dimer) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 광검출 소자
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제1항에 있어서,상기 적어도 하나의 나노와이어는 하기 화학식으로 표시되는 단결정 페로브스카이트 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 광검출 소자
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제1항에 있어서,상기 적어도 하나의 나노와이어는 1nm 내지 100nm의 평균 직경을 가지는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 광검출 소자
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제1항에 있어서,상기 적어도 하나의 나노와이어는 1μm 내지 1,000μm의 평균 길이를 가지는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 광검출 소자
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제4항에 있어서,상기 적어도 하나의 나노와이어의 표면은 상기 2가의 금속 양이온 또는 상기 3가의 금속 양이온 또는 상기 1가의 음이온과 킬레이트 결합하여 알킬 리간드를 형성하는 부동화제에 의해 부동화되는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 광검출 소자
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제1항에 있어서,상기 적어도 하나의 나노와이어의 표면은 상기 단결정 페로브스카이트 화합물보다 큰 밴드 갭을 가지는 물질로 코팅되는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 광검출 소자
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제1항에 있어서,상기 페로브스카이트 광검출 소자의 광 응답성(responsivity)은 104 A/W 내지 108 A/W 인 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 광검출 소자
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제1항에 있어서,상기 페로브스카이트 광검출 소자의 광 검출 성능(detectivity)은 1015 jones 내지 1020 jones 인 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 광검출 소자
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기판 상에 전극 물질을 형성하는 단계;상기 전극 물질을 패터닝 하여 제1 전극 및 제2 전극을 형성하는 단계; 및상기 제1 전극 및 제2 전극과 접촉하도록 단결정 페로브스카이트 화합물을 포함하는 적어도 하나의 나노와이어를 코팅하여 감지부를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 광검출 소자의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 단결정 페로브스카이트 화합물은 할라이드 치환 반응에 의해 서로 상이한 1가 음이온을 포함하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 광검출 소자의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 전극 물질을 패터닝 하여 제1 전극 및 제2 전극을 형성하는 단계는,포토 리소그래피 패터닝 공정을 통하여 상기 기판 상에 상기 제1 전극 및 제2 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 광검출 소자의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 제1 전극 및 제2 전극과 접촉하도록 단결정 페로브스카이트 화합물을 포함하는 적어도 하나의 나노와이어를 코팅하여 감지부를 형성하는 단계는,상기 단결정 페로브스카이트 화합물을 포함하는 적어도 하나의 나노와이어가 용액에 분산된 상태에서 코팅되어 형성되는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 광검출 소자의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 단결정 페로브스카이트 화합물을 포함하는 적어도 하나의 나노와이어 표면에 상기 단결정 페로브스카이트 화합물보다 밴드갭이 큰 물질을 도포하여 코팅하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 광검출 소자의 제조방법
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