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복수개의 기판 돌출부와 복수개의 기판 홈부가 교대로 배치되는 요철면으로 형성된 도너기판을 준비하는 도너기판 준비단계;상기 도너기판의 상기 기판 돌출부와 상기 기판 홈부에 전사 대상인 금속 또는 산화물로 이루어진 단층 또는 다층구조의 미세구조체를 증착하는 제1 구조체 증착단계;고분자물질로 형성되며, 평판 또는 상기 도너기판과 대응된 요철형상으로 형성된 고분자플레이트를 준비하는 플레이트 준비단계;상기 도너기판에 증착된 미세구조체가 상기 고분자플레이트와 접촉하는 제1 접촉단계;상기 고분자플레이트를 유리전이온도 이상으로 가열시키는 제1 가열단계;상기 고분자플레이트 방향으로 상기 도너기판에 압력을 가하여 상기 미세구조체를 상기 고분자플레이트에 결합시키는 제1 결합단계; 및상기 고분자플레이트에 가해진 열을 제거하고, 상기 도너기판을 상기 고분자플레이트로부터 이격시킴으로써 상기 미세구조체를 상기 고분자플레이트로 전사하는 제1 전사단계;를 포함하되,상기 고분자플레이트는 유리전이온도 이상에서 접착력이 상승하는 재질로 구성된 것을 특징으로 하는 유리전이온도를 이용한 미세구조체 전사방법
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제1항에 있어서,상기 플레이트 준비단계는,베이스 기판을 준비하는 베이스 기판 준비단계; 및상기 베이스 기판 상면에 고분자물질을 도포하여 제1 고분자물질층을 형성하는 제1 고분자물질층 형성단계;를 포함하며,상기 제1 접촉단계에서 상기 미세구조체는 상기 제1 고분자물질층과 접촉하는 것을 특징으로 하는 유리전이온도를 이용한 미세구조체 전사방법
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제1항에 있어서,상기 플레이트 준비단계는 고분자물질로 형성된 고분자필름을 준비하는 것을 특징으로 하는 유리전이온도를 이용한 미세구조체 전사방법
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제3항에 있어서,상기 제1 접촉단계에서 상기 도너기판에 증착된 상기 미세구조체는 상기 고분자필름의 상면과 접촉하는 것을 특징으로 하는 유리전이온도를 이용한 미세구조체 전사방법
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제3항에 있어서,상기 제1 구조체 증착단계에서의 상기 도너기판은 제1 도너기판 및 제2 도너기판을 포함하고,상기 제1 접촉단계에서 상기 제1 도너기판 및 상기 제2 도너기판은 각각 상기 고분자필름의 상면과 하면에 배치되어, 상기 제1 도너기판 및 상기 제2 도너기판에 증착된 상기 미세구조체가 각각 상기 고분자필름의 상면과 하면에 접촉하는 것을 특징으로 하는 유리전이온도를 이용한 미세구조체 전사방법
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제1항에 있어서,상기 제1 전사단계 이후,도너기판에 전사 대상인 미세구조체를 증착하는 제2 구조체 증착단계;상기 고분자플레이트 상면에 고분자물질을 도포하여 제2 고분자물질층을 형성하는 제2 고분자물질층 형성단계;상기 도너기판에 증착된 미세구조체가 상기 제2 고분자물질층과 접촉하는 제2 접촉단계;상기 제2 고분자물질층을 유리전이온도 이상으로 가열시키는 제2 가열단계;상기 제2 고분자물질층 방향으로 상기 도너기판에 압력을 가하여 상기 미세구조체를 상기 제2 고분자물질층에 결합시키는 제2 결합단계;상기 제2 고분자물질층에 가해진 열을 제거하고, 상기 도너기판을 상기 제2 고분자물질층으로부터 이격시킴으로써 상기 미세구조체를 상기 제2 고분자물질층으로 전사하는 제2 전사단계;더 포함하는 것을 특징으로 하는 유리전이온도를 이용한 미세구조체 전사방법
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제1항에 있어서,상기 제1 전사단계 이후, 상기 고분자플레이트를 리프트오프함으로써 상기 고분자플레이트에 전사된 상기 미세구조체를 소자기판에 전사하는 소자기판 전사단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유리전이온도를 이용한 미세구조체 전사방법
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제1 내지 제7 항 중 어느 한 항에 따른 유리전이온도를 이용한 미세구조체 전사방법을 이용하여 제작된 미세구조체 소자
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