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플라즈몬 향상 효과를 갖는 금속나노입자가 부착된 M13 박테리오파지 어셈블리
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제1항에 있어서,상기 금속나노입자는 은 나노입자 또는 금 나노입자인 것을 특징으로 하는 M13 박테리오파지 어셈블리
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제1항에 있어서,상기 M13 박테리오파지 어셈블리는 상기 M13 박테리오파지 표면에 부착된 상기 금속 나노입자 사이에 나노갭(nanogap)에 형성되고,상기 나노갭의 형성으로 인해 갭 플라즈몬(gap plasmon) 효과가 나타나는 것을 특징으로 하는 M13 박테리오파지 어셈블리
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(A1) M13 박테리오파지를 용액에 첨가하여 M13 박테리오파지 용액(M13 용액)을 제조하는 단계;(A2) 상기 M13 용액에 금속 나노입자 수분산액에 첨가하여 금속 나노입자-M13 혼합용액(NP-M13 혼합용액)을 제조하는 단계; 및(A3) 상기 NP-M13 혼합용액을 배양하여 M13 박테리오파지 어셈블리를 제조하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 M13 박테리오파지 어셈블리의 제조방법
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제4항에 있어서,상기 (A1) 단계의 용액은 물인 것을 특징으로 하는 M13 박테리오파지 어셈블리의 제조방법
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제4항에 있어서,상기 M13 용액과 금속 나노입자 수분산액은 1:20의 부피비로 혼합되는 것을 특징으로 하는 M13 박테리오파지 어셈블리의 제조방법
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제4항에 있어서,상기 (A3) 단계의 배양은 5 내지 15 ℃에서 12 내지 120 시간 동안 수행하는 것을 특징으로 하는 M13 박테리오파지 어셈블리의 제조방법
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유리 기판(glass); 하부 전극 ; M13 박테리오파지 어셈블리가 증착된 ZnO층; 광활성층; 정공수송층; 및 상부 전극;이 순차적으로 적층되어 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 태양 전지
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제8항에 있어서,상기 하부 전극은 전도성을 갖는 ITO(Indium Tin Oxide) 전극이고,상기 ZnO층은 전자수송층(Electron Transfer Layer, ETL)이며,상기 광활성층은 PTB7-Th:PC71BM이고,상기 정공수송층은 PEDOT:PSS이며,상기 상부 전극은 Ag 전극;인 것을 특징으로 하는 유기 태양 전지
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제8항에 있어서,상기 ZnO층은 M13 박테리오파지 어셈블리가 웹 형태로 분산되어 코팅된 것을 특징으로 하는 유기 태양 전지
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(B1) 유리 기판(glass)의 상부면에 하부 전극을 적층하는 단계;(B2) 상기 하부 전극 상부면에 M13 박테리오파지 어셈블리가 증착된 ZnO층을 적층하는 단계;(B3) 상기 ZnO층 상부면에 광활성층을 적층하는 단계; 및(B4) 상기 광활성층 상부면에 정공수송층 및 상부 전극을 순차적으로 적층하여 유기 태양 전지를 제조하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 태양 전지의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 (B2) 단계는,(B2a) 아연 아세테이트(Zinc acetate), 2-메톡시에탄올(2-methoxyethanol) 및 에탄올아민(ethanolamine)을 혼합하여 ZnO 전구체를 제조하는 단계;(B2b) 상기 ZnO 전구체를 상기 하부 전극의 상부면에 스핀 코팅하는 단계; 및(B2c) 상기 ZnO 전구체의 상부면에 M13 박테리오파지 어셈블리를 스핀 코팅하여 ZnO층을 적층하는 단계;로 구성되는 것을 특징으로 하는 유기 태양 전지의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 (B3) 단계는,(B3a) PTB7-Th 및 PC71BM을 혼합하여 제1 중합체 용액을 제조하는 단계;(B3b) 상기 제1 중합체 용액에 1,8-디요오도옥탄(1 8-diiodooctane, DIO)을 첨가하여 제2 중합체 용액을 제조하는 단계; 및(B3c) 상기 제2 중합체 용액을 상기 ZnO층의 상부면에 스핀 코팅하여 광활성층을 적층하는 단계;로 구성되는 것을 특징으로 하는 유기 태양 전지의 제조방법
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하부 전극 ; M13 박테리오파지 어셈블리가 증착된 ZnO층; 전자주입 계면층; 발광층; 정공주입층; 및 상부 전극;이 순차적으로 적층되어 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드
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제14항에 있어서,상기 하부 전극은 전도성을 갖는 ITO(Indium Tin Oxide) 전극이고,상기 ZnO층은 전자주입층이며,상기 전자주입 계면층은 PEIE(Polyethylenimine ethoxylated)이고,상기 발광층은 SY(super-yellow)이며,상기 정공주입층은 HATCN(hexaaza-triphenylene-hexacarbonitrile)이고,상기 상부 전극은 Al;인 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드
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제14항에 있어서,상기 ZnO층은 M13 박테리오파지 어셈블리가 웹 형태로 분산되어 코팅된 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드
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(C1) 유리 기판(glass)의 상부면에 하부 전극을 적층하는 단계;(C2) 상기 하부 전극 상부면에 M13 박테리오파지 어셈블리가 증착된 ZnO층을 적층하는 단계;(C3) 상기 ZnO층 상부면에 전자주입 계면층 및 발광층을 순차적으로 적층하는 단계; 및(C4) 상기 발광층 상부면에 정공주입층 및 상부 전극을 순차적으로 적층하여 유기 발광 다이오드를 제조하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 제조방법
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제17항에 있어서,상기 (C2) 단계는,(C2a) 아연 아세테이트(Zinc acetate), 2-메톡시에탄올(2-methoxyethanol) 및 에탄올아민(ethanolamine)을 혼합하여 ZnO 전구체를 제조하는 단계;(C2b) 상기 ZnO 전구체를 상기 하부 전극의 상부면에 스핀 코팅하는 단계; 및(C2c) 상기 ZnO 전구체의 상부면에 M13 박테리오파지 어셈블리를 스핀 코팅하여 ZnO층을 적층하는 단계;로 구성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 제조방법
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제17항에 있어서,상기 (C3) 단계는,(C3a) 상기 ZnO층 상부면에 PEIE를 스핀 코팅 및 어닐링을 수행하여 상기 전자주입 계면층을 적층하는 단계; 및(C3b) 상기 전자주입 계면층 상부면에 SY(Super Yellow) 중합체를 스핀 코팅 및 어닐링을 수행하여 적층하는 단계;로 구성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 제조방법
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제17항에 있어서,상기 (C4) 단계에서상기 정공주입층은 0
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