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타이타늄 또는 타이타늄 합금을 포함하는 기재에 질소(N2) 가스를 공급하여 질화 표면을 형성하는 단계; 및 상기 질화 표면이 형성된 기재에 인산(H3PO4) 및 불산(HF) 중 적어도 하나를 포함하는 전해액 상에서 양극 산화시켜 다공층을 형성하는 단계를 포함하는, 타이타늄 기재의 표면 처리 방법으로, 상기 다공층은 대기공 및 소기공을 포함하여 형성되는, 타이타늄 기재의 표면 처리 방법
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제 1 항에 있어서,상기 질화 표면을 형성하는 단계는 진공 분위기 하에서 상기 타이타늄 또는 타이타늄 합금을 포함하는 기재에 질소 가스를 공급하며 수행되는, 타이타늄 기재의 표면 처리 방법
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제 1 항에 있어서,상기 질화 표면을 형성하는 단계는 900 내지 1100 ℃의 온도 하에서 수행되는, 타이타늄 기재의 표면 처리 방법
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제 1 항에 있어서,상기 질화 표면을 형성하는 단계는 1 내지 12 시간 동안 수행되는, 타이타늄 기재의 표면 처리 방법
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제 1 항에 있어서,상기 다공층을 형성하는 단계는 10 내지 30 V의 전압을 인가하여 40 내지 80분간 수행되는, 타이타늄 기재의 표면 처리 방법
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제 1 항에 있어서,상기 다공층을 형성하는 단계 후에 상기 다공층이 형성된 기재에 플라즈마를 처리하는 단계를 추가로 포함하는, 타이타늄 기재의 표면 처리 방법
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제 6 항에 있어서,상기 플라즈마는 대기압 플라즈마인, 타이타늄 기재의 표면 처리 방법
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제 6 항에 있어서,상기 플라즈마는 메탄, 아르곤 또는 이들의 혼합 가스의 운반 가스 분위기 하에서 발생되는, 타이타늄 기재의 표면 처리 방법
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제 8 항에 있어서,상기 운반 가스는 2 내지 10 L/min 유량속으로 주입되는, 타이타늄 기재의 표면 처리 방법
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제 6 항에 있어서,상기 플라즈마는 2 내지 10분 동안 처리되는, 타이타늄 기재의 표면 처리 방법
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제 6 항에 있어서,상기 플라즈마를 처리하는 단계 후에 플라즈마가 처리된 기재에 그래핀 또는 그래핀 유도체를 코팅하는 단계를 추가로 포함하는, 타이타늄 기재의 표면 처리 방법
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제 1 항에 있어서,상기 다공층에서 대기공의 평균 크기는 50-100㎛인, 타이타늄 기재의 표면 처리 방법
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제 1 항에 있어서,상기 다공층에서 소기공의 평균 크기는 25-30nm인, 타이타늄 기재의 표면 처리 방법
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제 1 항에 있어서,상기 다공층은 10000nm2 단위 면적당 소기공을 2 내지 8개 포함하는, 타이타늄 기재의 표면 처리 방법
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제 1 항에 있어서,상기 타이타늄 또는 타이타늄 합금을 포함하는 기재는 치아 임플란트용인, 타이타늄 기재의 표면 처리 방법
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제 1 항에 따른, 타이타늄 기재의 표면 처리 방법으로 처리된 타이타늄 기재
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제 16 항에 있어서,상기 타이타늄 기재는 치아 임플란트용인, 타이타늄 기재
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제 1 항에 따른, 타이타늄 기재의 표면 처리 방법으로 처리된 타이타늄 기재를 포함하는 치아 임플란트
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