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이종접합 실리콘 태양전지와 페로브스카이트 태양 전지를 접합시켜 형성하는 실리콘 페로브스카이트 이중접합 태양전지의 제조 방법에 있어서, 상기 이종접합 실리콘 태양전지를 형성하되, 상면이 텍스처링 구조를 가지는 n형 단결정 실리콘 기판의 상부에 상면이 텍스처링 구조를 가지는 n-type a-Si층과 중간 투명전극을 형성하는 과정;상기 중간 투명전극의 상면에 상기 페로브스카이트 태양전지의 홀 수송층을 ALD 방법으로 증착하는 과정;상기 홀 수송층의 상면에 페로브스카이트층을 Thermal CVD 방법으로 증착하는 과정;상기 페로브스카이트층의 상면에 LiF층을 ALD 방법으로 증착하는 과정;상기 LiF층의 상면에 전자 수송층을 ALD 방법으로 증착하는 과정 및상기 전자 수송층의 상면에 상부 투명전극을 형성하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 페로브스카이트 이중접합 태양전지의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 홀 수송층은 NiOx, MoOx, Wox 및 Vox 중에서 선택된 하나의 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 페로브스카이트 이중접합 태양전지의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 전자 수송층은 ZnS, ZnOS, ZnO, SnO2 및 TiO2 중에서 선택된 하나의 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 페로브스카이트 이중접합 태양전지의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 페로브스카이트층은 200 ~ 500nm의 두께로 형성되고, 상기 홀 수송층, 상기 LiF층 및 상기 전자 수송층은 각각 1 ~ 25nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 페로브스카이트 이중접합 태양전지의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 페로브스카이트층 형성 과정은 PbI2와 MAI(CH3NH3I)를 각각 증발원으로 하고, 불활성기체(N2, Ar)를 이용하여 증발 기체를 증착시키는 것을 특징으로 하는 실리콘 페로브스카이트 이중접합 태양전지의 제조 방법
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제 5 항에 있어서,상기 페로브스카이트층 형성 과정에서 상기 이종접합 실리콘 태양전지를 50~200℃로 유지하고, 상기 증발원은 PbI2와 MAI(CH3NH3I)를 1 : 1 ∼ 1:4의 중량비로 사용하며 100~400℃로 유지하는 것을 특징으로 하는 실리콘 페로브스카이트 이중접합 태양전지의 제조 방법
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제 6 항에 있어서,상기 페로브스카이트층 형성 과정에서 상기 PbI2와 MAI(CH3NH3I)의 위치는 상기 이종접합 실리콘 태양전지로부터 거리가 다르게 유지하는 것을 특징으로 하는 실리콘 페로브스카이트 이중접합 태양전지의 제조 방법
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제 7 항에 있어서,상기 페로브스카이트층 형성 과정에서 상기 증착 시간은 1~40분 정도이고, 증착후 CVD 튜브 내에서 in-situ 열처리를 60분 이내에서 진행하는 것을 특징으로 하는 실리콘 페로브스카이트 이중접합 태양전지의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 LiF층 형성 과정에서 Li 전구체는 Li tert-butoxide(LiOtBu) 또는 Li HMDS를 사용하며, F 전구체는 HF와 Pyridine의 혼합물을 사용하며,상기 HF와 Pyridine의 혼합비는 5:5 ~ 9:1인 것을 특징으로 하는 실리콘 페로브스카이트 이중접합 태양전지의 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 LiF층은 140℃보다 낮은 온도에서 증착하는 것을 특징으로 하는 실리콘 페로브스카이트 이중접합 태양전지의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 홀 수송층과 페로브스카이트층과 LiF층 및 전자 수송층은 상면이 텍스처링 구조를 갖도록 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 페로브스카이트 이중접합 태양전지의 제조 방법
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