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챔버 내부 바닥에 금속 실리콘(Si) 분말을 위치시키는 단계;상기 금속 실리콘(Si) 분말과 접촉되지 않도록, 상기 챔버 내부에 탄소 함유 소재를 위치시키는 단계; 및상기 챔버 내부의 온도를 2,000 ℃내지 2,500 ℃로 승온하고, 승온된 상태를 유지시키는 단계;를 포함하는,화학 기상 반응 공정에 의한 탄화규소(SiC) 코팅층의 형성방법
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제1항에 있어서,상기 챔버 내부의 온도를 2,000 ℃ 내지 2,500 ℃로 승온하고, 승온된 상태를 유지시키는 단계는,상기 챔버 내부가 불활성 분위기인 상태에서 수행되는 것인,화학 기상 반응 공정에 의한 탄화규소(SiC) 코팅층의 형성방법
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제1항에 있어서,상기 승온된 상태를 유지시키는 단계는,상기 승온된 상태를 1 분 내지 10 시간 동안 유지시키는 것인,화학 기상 반응 공정에 의한 탄화규소(SiC) 코팅층의 형성방법
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제1항에 있어서,상기 챔버 내부의 온도를 2,000 ℃내지 2,500 ℃로 승온하고, 승온된 상태를 유지시키는 단계; 이후에,상기 챔버 내부를 냉각하는 단계;를 더 포함하는 것인, 화학 기상 반응 공정에 의한 탄화규소(SiC) 코팅층의 형성방법
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제1항에 있어서,상기 탄소 함유 소재는, 지지 부재를 사용하여 고정시키는 것인, 화학 기상 반응 공정에 의한 탄화규소(SiC) 코팅층의 형성방법
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제5항에 있어서,상기 지지 부재는 복수 개의 개구부를 포함하는 것인,화학 기상 반응 공정에 의한 탄화규소(SiC) 코팅층의 형성방법
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제6항에 있어서,상기 지지 부재에 형성된 복수 개의 개구부를 통해, 기화된 금속 실리콘(Si)이 이동 가능한 것인,화학 기상 반응 공정에 의한 탄화규소(SiC) 코팅층의 형성방법
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제1항에 있어서,상기 탄소 함유 소재는, 흑연, 그래핀, 탄소섬유, 탄소나노튜브, 탄소나노로드, rGO(reduced graphene oxide) 및 카본블랙으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 것인,화학 기상 반응 공정에 의한 탄화규소(SiC) 코팅층의 형성방법
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제1항에 있어서,상기 금속 실리콘(Si) 분말은, 상기 챔버 내부에서 용융 및 기화되어 상기 탄소 함유 소재 표면에 흡착되는 것인,화학 기상 반응 공정에 의한 탄화규소(SiC) 코팅층의 형성방법
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제9항에 있어서,상기 탄소 함유 소재 표면에 흡착된 금속 실리콘(Si) 분말은, 상기 탄소 함유 소재 표면에서 탄소와 반응하여 탄화규소를 형성하는 것인, 화학 기상 반응 공정에 의한 탄화규소(SiC) 코팅층의 형성방법
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제9항에 있어서,상기 탄소 함유 소재 표면에 흡착된 금속 실리콘(Si) 분말은, 상기 탄소 함유 소재 내부로 침투하면서 탄소와 반응하여 탄화규소를 형성하는 것인,화학 기상 반응 공정에 의한 탄화규소(SiC) 코팅층의 형성방법
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제1항에 있어서,상기 금속 실리콘(Si) 분말의 평균 입경은, 0
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제1항에 있어서, 상기 탄화규소(SiC) 코팅층은, 10 ㎛ 내지 500 ㎛의 두께인 것인,화학 기상 반응 공정에 의한 탄화규소(SiC) 코팅층의 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 탄화규소(SiC) 코팅층은, 다층으로 형성되는 것인,화학 기상 반응 공정에 의한 탄화규소(SiC) 코팅층의 형성방법
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제1항에 있어서,상기 챔버의 내부는, 질화 붕소(BN)로 코팅된 것인,화학 기상 반응 공정에 의한 탄화규소(SiC) 코팅층의 형성방법
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