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가시광선 영역대의 에너지 밴드갭을 갖는 베이스 양자점(base quantum dot); 상기 베이스 양자점에 도핑된 도펀트(dopant); 및상기 베이스 양자점을 둘러싸는 쉘(shell)을 포함하되, 상기 도펀트에 의해, 상기 에너지 밴드갭 사이에 중간 에너지 스테이트(intermediate energy state)가 형성되어, 카드뮴(Cd) 및 납(Pb) 없이 근적외선 영역의 광을 방출하는 것을 포함하는 양자점 구조체
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제1 항에 있어서, 상기 에너지 밴드갭의 가전자띠(valence band)에서 상기 중간 에너지 스테이트로 정공이 전이(transition)되고, 상기 에너지 밴드갭의 전도띠(conduction band)의 전자가, 상기 중간 에너지 스테이트의 정공과 재결합하여 근적외선 영역의 광이 방출되는 것을 포함하는 양자점 구조체
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제1 항에 있어서, 상기 베이스 양자점은, InZnP 또는 InP이고, 상기 도펀트는 Te인 것을 포함하는 양자점 구조체
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제1 항에 있어서, 상기 쉘은, 상기 도펀트로 도핑된 상기 베이스 양자점을 둘러싸는 제1 쉘;상기 제1 쉘을 둘러싸는 제2 쉘을 포함하고, 상기 제1 쉘은, ZnSe를 포함하고, 상기 제2 쉘은, ZnS를 포함하는 양자점 구조체
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제1 항에 따른 양자점 구조체 표면에 리간드가 결합되어, 용매 중에 분산된 상태로 제공되는 것을 포함하는 생체 이미징 소재
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베이스 양자점을 제조하는 단계;상기 베이스 양자점에 도펀트를 포함하는 전구체를 제공하고 열처리하여, 상기 도펀트가 도핑된 상기 베이스 양자점을 제조하는 단계; 및상기 도펀트가 도핑된 상기 베이스 양자점의 표면을 덮는 제1 쉘, 및 상기 제1 쉘을 덮는 제2 쉘을 연속적으로 형성하는 단계를 포함하는 양자점 구조체의 제조 방법
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제6 항에 있어서, 상기 제1 쉘을 형성하는 단계는, 아연을 포함하는 전구체 및 셀레늄을 포함하는 전구체를 상기 도펀트가 도핑된 상기 베이스 양자점에 제공하여 ZnSe를 포함하는 상기 제1 쉘을 형성하는 것을 포함하고, 상기 제2 쉘을 형성하는 단계는 제1 쉘이 형성된 후, 황을 포함하는 전구체를 제공하여, ZnS를 포함하는 상기 제2 쉘을 형성하는 것을 포함하는 양자점 구조체의 제조 방법
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제6 항에 있어서, 상기 베이스 양자점에 상기 도펀트를 포함하는 전구체를 제공하고 열처리하는 단계는 200℃ 이하에서 수행되는 것을 포함하는 양자점 구조체의 제조 방법
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제7 항에 있어서, 상기 도펀트를 포함하는 전구체, 상기 셀레늄을 포함하는 전구체, 및 상기 황을 포함하는 전구체는, 동일한 유기화합물과 결합된 것을 포함하는 양자점 구조체의 제조 방법
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제6 항에 따른 양자점 구조체를 제조하는 단계;상기 양자점 구조체의 표면 리간드를 치환하는 단계; 및치환된 리간드를 갖는 상기 양자점 구조체를 용매에 분산하는 단계를 포함하는 생체 이미징 소재의 제조 방법
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