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높은 동작전류를 보이는 나노선 TFET의 제조 방법 및 그 나노선 TFET

  • 기술번호 : KST2021008716
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 실시 예에 따른 TFET 반절연 기판, 반절연 기판 상에 수직 방향으로 성장하여 형성되는 p 타입 나노선, 상기 p 타입 나노선의 윗면 및 양 측면에 성장하여 형성되는 진성(intrinsic) 나노선 및 상기 진성 나노선 상에 수직 방향으로 성장하여 형성되는 n 타입 나노선을 포함한다.
Int. CL H01L 29/739 (2006.01.01) H01L 29/66 (2006.01.01) H01L 29/06 (2006.01.01)
CPC H01L 29/7391(2013.01) H01L 29/66356(2013.01) H01L 29/0676(2013.01) H01L 29/068(2013.01)
출원번호/일자 1020190172395 (2019.12.20)
출원인 서울대학교산학협력단, (재)한국나노기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2021-0080034 (2021.06.30) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.12.20)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
2 (재)한국나노기술원 대한민국 경기도 수원시 영통구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 공민우 서울특별시 관악구
2 서광석 서울특별시 강남구
3 신찬수 경기도 용인시 기흥구
4 장현철 경기도 수원시 영통구
5 이상태 경기도 수원시 영통구
6 박형호 경기도 수원시 팔달구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유한) 다래 대한민국 서울 강남구 테헤란로 ***, **층(역삼동, 한독타워)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2019.12.20 수리 (Accepted) 1-1-2019-1324301-31
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2020.12.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0896142-19
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2021.02.15 수리 (Accepted) 1-1-2021-0178073-14
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2021.02.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2021-0178074-59
6 등록결정서
Decision to grant		 2021.06.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2021-0511772-24
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번호 청구항
1 1
반절연 기판;반절연 기판 상에 수직 방향으로 성장하여 형성되는 p 타입 나노선;상기 p 타입 나노선의 윗면 및 양 측면에 성장하여 형성되는 진성(intrinsic) 나노선; 및상기 진성 나노선 상에 수직 방향으로 성장하여 형성되는 n 타입 나노선을 포함하는TFET 소자
2 2
반절연 기판을 준비하는 단계;상기 반절연 기판 상에 패턴을 형성하는 패터닝을 수행하는 단계;상기 패턴에 p 타입 나노선을 수직 방향으로 성장시키는 단계;상기 p 타입 나노선의 측면에 수평 방향으로 진성(intrinsic) 나노선을 성장시키는 단계;상기 p 타입 나노선의 윗면에 수직 방향으로 진성 나노선을 성장시키는 단계; 및상기 진성 나노선의 윗면에 수직 방향으로 n 타입 나노선을 성장시키는 단계를 포함하는TFET 소자 제조 방법
3 3
제2 항에 있어서,상기 진성 나노선 측면에 형성되는 n 타입 나노선을 식각하는 단계를 더 포함하는 TFET 소자 제조 방법
4 4
제2 항에 있어서,상기 p 타입 나노선을 선택적 영역 성장 방법을 통해 성장시키는 단계를 포함하는TFET 소자 제조 방법
5 5
상기 제2항 내지 제4항에 따라 제조된 TFET 소자의 나노선에 절연층과 금속층을 증착시켜 TFET를 제조하는 방법
6 6
상기 제5항의 방법에 따라 제조된 TFET
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한국나노기술원 나노·소재기술개발사업 Bottom-up 방식의 InGaAs 수직형 나노선 Tunneling FET 개발