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기판 상에 형성된 플로팅 게이트(floating gate);상기 플로팅 게이트 상에 형성된 절연층; 상기 플로팅 게이트의 하단에 형성된 컨트롤 게이트; 및상기 절연층 상에 형성된 전이 금속 칼코게나이드 채널, 제 1 전극, 및 제 2 전극;을 포함하고,상기 플로팅 게이트는 전도성 유화제 및 전도성 물질의 중합체를 포함하고,상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극은 이격되어 존재하는 것인,비휘발성 메모리 소자에 있어서,상기 컨트롤 게이트에 인가되는 전압의 방향에 따라, FN 터널링(Fowler-Nordheim tunneling)에 의해 상기 플로팅 게이트에 전자가 저장되거나 또는 저장된 전자가 유출되는 것인,비휘발성 메모리 소자
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제 1 항에 있어서,상기 전도성 물질은 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)), 폴리티오펜(polythiophene), 폴리피롤(polypyrrole), 폴리아닐린(polyaniline), 폴리(3-메틸 티오펜)(poly(3-methyl thiophene), 폴리(3-헥실 티오펜)(poly(3-hexyl thiophene), 폴리옥틸티오펜(poly octylthiophene), 폴리 풀러렌(polyfullernene), 폴리 아세틸렌(polyacetylene), 폴리퓨란(polyfuran), 폴리 페닐렌 설파이드(poly phenylene sulfide), 폴리(페닐렌-비닐렌)(poly(phenylene-vinylene)), 폴리(티에닐렌-비닐렌)(poly(thienylene-vinylene)), 폴리 설퍼-나이트라이드(Poly sulfur-nitride), 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 고분자를 포함하는 것인, 비휘발성 메모리 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 전도성 유화제는 폴리스티렌 술포네이트(polystyrene sulfonate, 4-톨루엔 설폰산(p-Toluenesulfonic acid), 1-나프탈렌 설폰산(1-Naphthalenesulfonic acid), 도데실벤젠설폰산(Dodecyl benezene sulfonic acid), 폴리비닐설폰산[poly(vinyl sulfonic acid)], 폴리스티렌설폰산[poly(4-styrene sulfonic acid), 폴리아크릴산[poly(acrylic acid)], 폴리메타크릴산[poly(methacrylic acid)], 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는, 비휘발성 메모리 소자
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제 1 항에 있어서,상기 비휘발성 메모리 소자는 동작 전압폭이 30 V 내지 160 V 인, 비휘발성 메모리 소자
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제 1 항에 있어서,상기 비휘발성 메모리 소자의 전류 점멸비(on/off ratio)는 102 내지 105 인, 비휘발성 메모리 소자
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삭제
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7
삭제
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8
제 1 항에 있어서,상기 플로팅 게이트 내부의 전자의 상태에 따라 데이터가 저장(programmed) 또는 삭제(erased 또는 unprogrammed)되는 것인, 비휘발성 메모리 소자
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 전극, 상기 제 2 전극, 및 상기 컨트롤 게이트는 각각 독립적으로 Ag, Ti, Pt, Au, Ni, Zr, Ta, Zn, Nb, Cr, Co, Mn, Fe, Al, Mg, Si, W, Cu, 란탄계 금속, 이들의 질화물, 이들의 산화물, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 비휘발성 메모리 소자
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제 1 항에 있어서,상기 전이 금속 칼코게나이드 채널은 MoS2, MoSe2, MoTe2, WS2, WSe2, WTe2, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 비휘발성 메모리 소자
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제 1 항에 있어서,상기 절연층은 Al2O3, SiO2, AlN, Si, GaN, AlN, InGaN, AlGaN, AlInGaN, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 비휘발성 메모리 소자
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기판 상에 플로팅 게이트를 형성하는 단계;상기 플로팅 게이트 상에 절연층을 형성하는 단계; 및상기 절연층 상에 전이 금속 칼코게나이드 채널, 제 1 전극 및 제 2 전극을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 플로팅 게이트는 전도성 유화제 및 전도성 물질의 중합체를 포함하고,상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극은 이격되어 존재하는 것인,비휘발성 메모리 소자의 제조 방법
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제 12 항에 있어서,상기 플로팅 게이트를 형성하는 단계는 스핀코팅, 초음파 코팅, 량뮤어-블로젯 코팅(Langmuir-Blodgett, LB), 잉크젯 프린팅, 노즐 프린팅, 슬롯 다이 코팅, 닥터블레이드 코팅, 스크린 프린팅, 딥 코팅, 그래비어 프린팅, 리버스 오프셋 프린팅, 물리적 전사, 스프레이 코팅, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 코팅 공정을 포함하는 것인, 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법
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제 12 항에 있어서,상기 전이 금속 칼코게나이드 채널을 형성하는 단계는 물리적 전사, 화학적 전사, CVD, PVD, ALD, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 공정을 포함하는 방법에 의해 수행되는 것인, 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법
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제 12 항에 있어서,상기 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법은 상기 플로팅 게이트의 하단에 컨트롤 게이트를 형성하는 단계를 추가 포함하는 것인, 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법
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제 1 항 내지 제 5 항 및 제 8 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 따른 비휘발성 메모리 소자를 포함하는, 플렉서블 소자
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