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하기 화학식 1로 표시되는 고분자 화합물 및 2 이상의 에폭시기를 갖는 에폭시 가교제를 포함하는 고분자 조성물에 있어서,상기 고분자 조성물은 염기촉매(base catalyst)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 조성물:[화학식 1]상기 화학식 1에서 n은 1 내지 200의 정수이다
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제1항에 있어서,상기 염기촉매(base catalyst)는 1,5,7-트라이아자바이사이클로[4
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제1항에 있어서,상기 염기촉매(base catalyst)는,상기 화학식 1로 표시되는 고분자 화합물 및 2 이상의 에폭시기를 갖는 에폭시 가교제 총 100 중량부에 대해,0
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제1항에 있어서,상기 염기촉매(base catalyst)는,상기 화학식 1로 표시되는 고분자 화합물 및 2 이상의 에폭시기를 갖는 에폭시 가교제 총 100 중량부에 대해,1 내지 3 중량부만큼 고분자 조성물에 더 포함되는 것을 특징으로 하는,고분자 조성물
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제1항에 있어서,상기 2 이상의 에폭시기를 갖는 에폭시 가교제는,TGIC (triglycidyl isocyanurate), DGEBA (diglycidyl ether of bisphenol-A), RDGE (resorcinol diglycidyl ether), TMPTGE (trimethylolpropane triglycidyl ether), TPEGE (tetraphenylolethane glycidyl ether), TPGECMS (tetrakis(propyl glycidyl ether)cyclomethylsiloxane) 및 글리시딜-POSS (glycidyl-functionalized polyhedral oligomeric silsesquioxane)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 염기촉매인 것을 특징으로 하는,고분자 조성물
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제1항에 있어서,상기 화학식 1로 표시되는 고분자 화합물의 말단 아민기에 의한, 상기 에폭시 가교제에 존재하는 에폭시기의 고리 개환 반응을 통해 경화가 유도되는 것을 특징으로 하는,고분자 조성물
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제1항의 고분자 조성물을 경화시켜 제조되는 고분자 필름
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제7항에 있어서,상기 고분자 필름 내 티오우레아(thiourea)의 총 몰수 대비, 염기촉매의 몰 비율은 1 내지 5 몰(mol%)인 것을 특징으로 하는,고분자 필름
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제7항에 있어서,상기 고분자 필름 내 2 이상의 에폭시기를 갖는 에폭시 가교제는 4 내지 12 중량% 포함되는 것을 특징으로 하는,고분자 필름
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제1항의 고분자 조성물을 기재에 캐스팅하는 단계;기재에 캐스팅된 고분자 조성물을 건조시켜 필름을 형성시키는 단계; 및열처리를 수행하여 경화를 유도하는 단계; 를 포함하는,고분자 필름의 제조방법
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제1항의 고분자 조성물을 경화시켜 제조되는 부재를 준비하는 단계; 및상기 부재에 열처리를 수행하는 단계; 를 포함하는,부재의 형상을 조작하는 방법
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제11항에 있어서,상기 부재의 형상을 조작하는 방법에서 부재의 형상 조작이란,응력완화 거동을 통해 새로운 형태의 구조물로 형상을 재구성하는 것이거나,부재 계면 사이의 용접을 통해 구조물을 조립하는 것이거나,부재에 가해진 손상을 치유하는 것이거나, 또는물리적인 힘에 의해 형상이 변형된 부재를 기억된 형상으로 되돌리는 것인,부재의 형상을 조작하는 방법
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제1항의 고분자 조성물을 경화시켜 제조되는 형상기억소재
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제1항의 고분자 조성물을 경화시켜 제조되는 제1 부재를 준비하는 단계;제1항의 고분자 조성물을 경화시켜 제조되는 제2 부재를 준비하는 단계; 및제1 부재와 제2 부재에서 서로 용접하고자 하는 부분을 접촉시키고, 접촉 부위에 열처리를 수행하는 단계; 를 포함하는,용접 방법
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제14항에 있어서,상기 접촉 부위에 열처리를 수행하는 단계에서,열처리 온도는 110 내지 250℃ 온도 범위,열처리 시간은 5분 내지 6시간인 것을 특징으로 하는,용접 방법
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