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어레이 형태의 복수의 픽셀 센서를 가지는, 곡면형 또는 유연한 이미지 센서; 및상기 이미지 센서에 결합되며, 방사선에 의해 가시광으로 변환하기 위한 곡면형 또는 유연한 섬광체 구조물을 포함하고,상기 섬광체 구조물의 후면 쪽의 상기 이미지 센서를 향하여 조사된 상기 방사선이 상기 이미지 센서를 투과함에 따라, 상기 섬광체 구조물의 섬광물질에서 가시광을 발생하고, 상기 이미지 센서는 각 픽셀에서의 상기 가시광에 비례하는 전기적 신호를 독출하는 방사선 디텍터
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제1항에 있어서,상기 섬광체 구조물은,분말형 섬광체를 이용하여 제작된 픽셀 구분 없는 층상형의 섬광체, 또는상기 복수의 픽셀 센서에 대응되어 픽셀이 구분되는 1차원 또는 2차원 섬광체 픽셀 어레이를 갖는 픽셀형 섬광체로서, PVD(physical vapor deposition) 공정을 이용하여 형성한 바늘기둥형태의 미세 구조형 섬광체 구조, 픽셀들을 구분하기 위한 격벽들을 먼저 형성하고 격벽들 사이 홈들에 섬광물질을 채운 구조, 또는 상기 이미지 센서에 섬광체를 형성한 후 또는 섬광체 시트 형태를 부착한 후 레이저를 조사하여 식각에 의해 형성된 에어갭들로 구분되는 픽셀 어레이를 형성한 구조를 포함하는 방사선 디텍터
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어레이 형태의 복수의 픽셀 센서를 가지는 곡면형 또는 유연한 이미지 센서; 및픽셀 구분없이 층상형의 섬광체로 이루어지고, 상기 이미지 센서에 결합되며, 방사선에 의해 가시광으로 변환하기 위한 곡면형 또는 유연한 섬광체 구조물을 포함하고,상기 섬광체 구조물의 후면 쪽의 상기 이미지 센서를 향하여 조사된 상기 방사선이 상기 이미지 센서를 투과함에 따라, 상기 섬광체 구조물의 섬광물질에서 가시광을 발생하고, 상기 이미지 센서는 각 픽셀에서의 상기 가시광에 비례하는 전기적 신호를 독출하는 방사선 디텍터
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제3항에 있어서,상기 섬광체 구조물은, 평균적 섬광체 입자크기가 균일한 단일층 섬광체를 포함하는 방사선 디텍터
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제3항에 있어서,상기 섬광체 구조물은, 평균적 섬광체 입자크기가 서로 다른 이중층 섬광체를 포함하는 방사선 디텍터
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제5항에 있어서,상기 이중층 섬광체는 상기 이미지 센서 측의 상기 입자크기가 그 반대측의 상기 입자크기 보다 더 크게 한 방사선 디텍터
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7
제5항에 있어서,상기 이중층 섬광체는 상기 이미지 센서 측의 상기 입자크기가 그 반대측의 상기 입자크기 보다 더 작게 한 방사선 디텍터
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8
어레이 형태의 복수의 픽셀 센서를 가지는 곡면형 또는 유연한 이미지 센서; 및상기 복수의 픽셀 센서에 대응되어 픽셀이 구분되는 1차원 또는 2차원 섬광 물질 픽셀 어레이를 구비하고, 상기 이미지 센서에 결합되며, 방사선에 의해 가시광으로 변환하기 위한 곡면형 또는 유연한 섬광체 구조물을 포함하고,상기 섬광체 구조물의 후면 쪽의 상기 이미지 센서를 향하여 조사된 상기 방사선이 상기 이미지 센서를 투과함에 따라, 상기 섬광체 구조물의 섬광물질에서 가시광을 발생하고, 상기 이미지 센서는 각 픽셀에서의 상기 가시광에 비례하는 전기적 신호를 독출하는 방사선 디텍터
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제8항에 있어서,상기 섬광체 구조물은 픽셀형인 상기 섬광체 구조물의 전면 쪽에 픽셀 구분 없는 층상형의 섬광체를 더 포함하는 방사선 디텍터
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제9항에 있어서,상기 층상형의 섬광체는, 평균적 섬광체 입자크기가 균일한 단일층, 또는 평균적 섬광체 입자크기가 서로 다른 이중층을 포함하는 방사선 디텍터
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제1항, 제3항 및 제8항 중 어느 한 항에 있어서,상기 이미지 센서는, 회로 어레이가 형성된, 곡면형 또는 유연한 플라스틱 기판으로 제작된 방사선 디텍터
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제1항, 제3항 및 제8항 중 어느 한 항에 있어서,상기 이미지 센서는, 곡면형 또는 유연한 유리 기판 상에 회로 어레이가 형성된 형태, 또는 유리 기판 상에 회로 어레이를 형성한 후 상기 유리 기판의 후면을 식각하거나 연마하여 곡면형 또는 유연한 기판으로 제작된 방사선 디텍터
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제1항, 제3항 및 제8항 중 어느 한 항에 있어서,상기 이미지 센서는, 각 픽셀에서의 상기 가시광에 비례하는 전기적 신호를 독출하기 위해 포토다이오드를 포함하는 방사선 디텍터
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제1항, 제3항 및 제8항 중 어느 한 항에 있어서,상기 이미지 센서는 결정질 실리콘 기판 상에 구현된 CMOS 이미지 센서이며, 상기 CMOS 이미지 센서의 구조가 형성된 후의 상기 결정질 실리콘 기판의 뒷면을 연마공정으로 얇게 만들어 상기 방사선이 투과 가능하도록 만들어진 방사선 디텍터
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