1 |
1
전자파와 차단 캐비티 프로브를 이용한 도체 균열 검출장치에 있어서,도체판에 접촉하기 위한 개구부를 포함하고 도체판의 균열 여부를 측정하기 위한 차단 캐비티 프로브,상기 차단 캐비티 프로브에 결합되고 전자파를 생성하는 전자파 신호 발생기,상기 차단 캐비티 프로브 내의 전자기장 분포를 조정하는 가변 리액턴스,상기 차단 캐비티 프로브의 저항값을 변화시켜 상기 차단 캐비티 프로브의 감도를 조절하기 위한 가변 저항기, 상기 차단 캐비티 프로브 내에 흐르는 전류를 측정하기 위한 미터기, 상기 가변 리액턴스를 가변시켜가면서 균열이 없는 도체판을 접촉시켰을 때의 전류량을 측정하고, 측정된 전류의 변화량을 이용하여 기준 전류 값을 획득하는 제어부, 그리고상기 기준 전류를 이용하여 측정대상에 해당하는 도체판의 균열 여부를 판단하는 균열 판단부를 포함하는 도체 균열 검출장치
|
2 |
2
제1항에 있어서,상기 차단 캐비티 프로브는,직사각형, 정사각형, 원형 및 타원형 중에서 어느 하나의 형태로 구현되는 도체 균열 검출장치
|
3 |
3
제2항에 있어서, 상기 제어부는,상기 가변 리액턴스의 값을 조절하여 상기 전류가 최소 값이 되는 지점에서의 제1 리액턴스 값과 상기 전류가 최대 값이 되는 지점에서의 제2 리액턴스 값을 각각 획득하는 도체 균열 검출장치
|
4 |
4
제3항에 있어서, 상기 제어부는,상기 전류가 최소 값이 되는 지점과 최대 값이 되는 지점 사이에서 전류의 변화량에 대한 기울기를 측정하고, 상기 기울기가 가장 큰 지점에서의 전류 값을 상기 기준 전류 값으로 설정하는 도체 균열 검출장치
|
5 |
5
제4항에 있어서, 상기 제어부는,상기 기울기가 가장 큰 지점에서의 전류 값에 해당되는 제3 리액턴스 값이 상기 제1 리액턴스 값과 제2 리액턴스 값의 중간 값인 제4 리액턴스 값보다 작으면 상기 전류의 변화량의 기울기가 두번째로 큰 지점에서의 제5 리액턴스 값을 추출하고, 상기 제5 리액턴스 값이 상기 제3 리액턴스 값보다 크면 제5 리액턴스에 해당하는 전류 값을 기준 전류 값으로 설정하고, 상기 제5 리액턴스 값이 상기 제3 리액턴스 값보다 작거나 같으면 상기 제3 리액턴스에 해당하는 전류 값을 기준 전류 값으로 설정하는 도체 균열 검출장치
|
6 |
6
제4항에 있어서, 상기 균열 판단부는,상기 측정된 전류가 상기 기준 전류와 같으면 상기 도체판에 균열이 없는 것으로 판단하고, 상기 측정된 전류가 상기 기준 전류보다 크거나 작으면 상기 도체판에 균열이 있는 것으로 판단하는 도체 균열 검출장치
|