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아연 분말을 도가니에 담아, 상기 도가니를 마이크로웨이브로에 배치한 후, 마이크로웨이브로를 산화 분위기 상태로 조성하는 산화 분위기 조성 단계와;상기 마이크로웨이브로에 400~500cc/분 또는 400~600cc/분 로 건조한 에어를 주입하면서, 상기 아연 분말을 상기 마이크로웨이브로에서 5~50℃/분 로 급속 승온한 후, 500~800℃로 1~3시간 동안 열처리하는 마이크로웨이브 열처리 단계 및;상기 열처리된 산화아연을 냉각하는 냉각 단계를 포함하여, 테트라포드 형상의 산화아연을 제조하는 것을 특징으로 하는 고비표면적 산화아연 제조방법
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제1항에 있어서,상기 산화 분위기 조성 단계에서는, 상기 아연 분말이 질화붕소 도가니에 담기는 것을 특징으로 하는 고비표면적 산화아연 제조방법
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제2항에 있어서,상기 마이크로웨이브 열처리 단계에서는, 상기 건조한 에어가 마이크로웨이브로에 500cc/분 로 주입되는 것을 특징으로 하는 고비표면적 산화아연 제조방법
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제3항에 있어서,상기 마이크로웨이브 열처리 단계에서는, 상기 아연 분말이 마이크로웨이브로에서 50℃/분 로 급속 승온되는 것을 특징으로 하는 고비표면적 산화아연 제조방법
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제4항에 있어서,상기 마이크로웨이브 열처리 단계에서는, 상기 아연 분말이 675℃로 2시간 동안 열처리되는 것을 특징으로 하는 고비표면적 산화아연 제조방법
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제5항에 있어서,상기 냉각 단계에서는, 상기 열처리된 산화아연이 1~20℃/분 로 냉각되는 것을 특징으로 하는 고비표면적 산화아연 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 냉각 단계에서는, 상기 열처리된 산화아연이 10℃/분 로 냉각되는 것을 특징으로 하는 고비표면적 산화아연 제조방법
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제7항에 있어서,상기 산화 분위기 조성 단계에서는, 상기 아연 분말이 7nm~70㎛ 의 크기를 이루는 것을 특징으로 하는 고비표면적 산화아연 제조방법
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제8항에 있어서,상기 산화 분위기 조성 단계에서는, 상기 아연 분말이 90nm의 크기를 이루는 것을 특징으로 하는 고비표면적 산화아연 제조방법
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