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돌입 전류 제한 회로에 있어서,폴리 스위치를 이용하여 일정 기준 이하의 전류를 공급하는 전류 제어부;상기 공급된 전류의 인가로 부하의 전압이 기준 전압보다 높아지면 트랜지스터를 구동하는 피드백 제어부; 및상기 트랜지스터의 신호를 이용하여 제한된 전류를 상기 부하로 공급하는 회로부를 포함하고,상기 전류 제어부는,일정 시간 동안 일정한 값보다 큰 전류가 상기 폴리 스위치를 통하여 흐르는 경우, 상기 폴리 스위치의 내부 저항 값의 증가를 통해 상기 전류를 제한하는 것을 특징으로 하는 돌입 전류 제한 회로
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제1항에 있어서,상기 피드백 제어부는,상기 전류가 인가되면 상기 부하의 전압을 상승시키고, 상기 부하의 전압이 상기 기준 전압보다 높아지면 상기 트랜지스터를 구동시키는 것을 특징으로 하는 돌입 전류 제한 회로
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제1항에 있어서,상기 회로부는 상기 트랜지스터의 신호를 입력 받아 MOSFET을 서서히 턴 온(Turn-on)하여 제한된 전류를 공급 받는 것을 특징으로 하는 돌입 전류 제한 회로
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제4항에 있어서,상기 회로부는 상기 MOSFET의 소스(Source)와 드레인(Drain)을 도통시킴으로써, 상기 폴리 스위치를 통해 흐르던 전류를 공급 받는 것을 특징으로 하는 돌입 전류 제한 회로
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제4항에 있어서,상기 회로부는 상기 MOSFET의 게이트(Gate) 전압을 강하시켜 상기 부하에 정격 전압을 유지하며,상기 폴리 스위치를 통해 흐르던 전류를 공통으로 흐르게 함으로써 상기 부하에 정격 전압을 유지하도록 하는 것을 특징으로 하는 돌입 전류 제한 회로
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돌입 전류 제한 회로에 있어서,초기 빠른 돌입 전류의 입력을 제한하는 폴리 스위치;베이스(Base)가 제1 노드를 통해 상기 폴리 스위치와 연결되고, 컬렉터(Collector)가 제1 저항과 연결되며, 이미터(Emitter)가 그라운드와 연결되는 제1 트랜지스터; 및드레인(Drain)이 상기 제1 노드를 통해 폴리 스위치와 연결되고, 게이트(Gate)가 상기 제1 저항과 연결되며, 상기 드레인과 게이트는 제1 커패시터와 제2 저항을 통해 연결되는 제2 트랜지스터를 포함하며,상기 제1 저항, 상기 제2 저항 및 상기 제1 커패시터는 상기 게이트의 전압을 강하시켜 부하에 정격 전압을 유지하기 위해 포함되는 것을 특징으로 하는 돌입 전류 제한 회로
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