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AlxNiyYzCow의 화학식으로 표시되며, 상기 화학식에서 x, y, z 및 w는 원자비(atomic ratio)를 나타내고, 상기 원자비가 77
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제1항에 있어서,두께가 100nm 내지 1000nm인 것을 특징으로 하는 비정질 금속 플레이크
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AlxNiyYzCow의 화학식으로 표시되며, 상기 화학식에서 x, y, z 및 w는 원자비(atomic ratio)를 나타내고, 상기 원자비가 77
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제3항에 있어서,상기 비정질 금속 플레이크는 두께가 100nm 내지 1000nm인 것을 특징으로 하는 전도성 잉크
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AlxNiyYzCow의 화학식으로 표시되며, 상기 화학식에서 x, y, z 및 w는 원자비(atomic ratio)를 나타내고, 상기 원자비가 77
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제5항에 있어서,상기 비정질 금속 박막은 두께가 100nm 내지 1000nm인 것을 특징으로 하는 비정질 금속 플레이크의 제조 방법
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제5항에 있어서, 상기 비정질 금속 박막을 형성하는 단계는,상기 화학식의 조성을 갖는 비정질 알루미늄 합금 분말을 제조하는 단계; 및상기 비정질 알루미늄 합금 분말을 뭉쳐서 스퍼터링용 비정질 알루미늄 합금 타겟으로 제조하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 비정질 금속 플레이크의 제조 방법
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제7항에 있어서, 상기 비정질 알루미늄 합금 분말을 제조하는 단계에서,애토마이저(atomizer)에 화학식의 원자비를 갖는 원료들을 투입하여 용융시킨 후 분말화하여 비정질 알루미늄 합금 분말을 제조하는 것을 특징으로 하는 비정질 금속 플레이크의 제조 방법
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제7항에 있어서, 상기 비정질 금속 박막을 형성하는 단계는,상기 베이스 기판 위에 플라스틱 소재의 희생막을 형성하는 단계; 및상기 희생막 위에 상기 알루미늄 금속 타겟을 이용한 스퍼터링으로 비정질 금속 박막을 형성하는 단계;를 더 포함하고,상기 분리하는 단계에서,상기 희생막으로부터 상기 비정질 금속 박막을 분리하는 것을 특징으로 하는 비정질 금속 플레이크의 제조 방법
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제9항에 있어서, 상기 분리하는 단계 이후에 수행되는,분리한 비정질 금속 박막을 분쇄하여 비정질 금속 플레이크로 제조하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 비정질 금속 플레이크의 제조 방법
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제10항에 있어서, 상기 제조하는 단계에서,상기 분리한 비정질 금속 박막을 초음파 처리를 통해 분쇄하는 것을 특징으로 하는 비정질 금속 플레이크의 제조 방법
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제7항에 있어서, 상기 비정질 금속 박막을 형성하는 단계는,상기 베이스 기판 위에 플라스틱 소재의 희생막을 형성하는 단계;상기 희생막 위에 감광막 패턴을 형성하는 단계; 및상기 감광막 패턴 위에 상기 알루미늄 금속 타겟을 이용한 스퍼터링으로 비정질 금속 박막을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 비정질 금속 플레이크의 제조 방법
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제12항에 있어서,상기 감광막 패턴의 크기는 제조할 비정질 금속 플레이크의 크기에 대응되는 것을 특징으로 하는 비정질 금속 플레이크의 제조 방법
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제13항에 있어서, 상기 분리하는 단계에서,상기 감광막 패턴을 제거하면서 상기 감광막 패턴 위의 상기 비정질 금속 박막을 비정질 금속 플레이크로 획득하는 것을 특징으로 하는 비정질 금속 플레이크의 제조 방법
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