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일체형 광소자에 있어서, 상기 일체형 광소자는 음극 전극을 가지는 제1 기판;상기 제1 기판 상에 전자수송층;상기 전자수송층 상에 광활성층;상기 광활성층 상에 정공수송층상기 정공수송층 상에 양극 전극;상기 양극 전극 상에 전기 변색소자층; 및상기 전기 변색소자층 상에 음극 전극을 가지는 제2 기판을 포함하는 에너지 변환 및 저장 시스템을 가지는 일체형 광소자
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제1항에 있어서, 상기 음극 전극을 가지는 제1 기판 및 제2 기판의 음극 전극은 인듐주석산화물(ITO), 알루미늄아연산화물(AZO), 불소산화주석(FTO), 안티모어주석산화물(ATO), 탄소나노튜브(CNT) 및 그래핀(graphene)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 에너지 변환 및 저장 시스템을 가지는 일체형 광소자
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제1항에 있어서, 상기 광활성층은 PTB7-Th, PBDB-T, PC70BM 및 및 ITIC-Th으로 이루어진 4성분계에서 선택된 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 에너지 변환 및 저장 시스템을 가지는 일체형 광소자
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제1항에 있어서, 상기 정공수송층은 산화몰리브덴(MoO3)인 것을 특징으로 하는 에너지 변환 및 저장 시스템을 가지는 일체형 광소자
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제1항에 있어서, 상기 정공수송층은 1 nm 내지 50 nm 두께인 것을 특징으로 하는 에너지 변환 및 저장 시스템을 가지는 일체형 광소자
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제1항에 있어서, 상기 양극 전극은 은(Ag)인 것을 특징으로 하는 에너지 변환 및 저장 시스템을 가지는 일체형 광소자
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제6항에 있어서, 상기 양극 전극은 1 nm 내지 30 nm 두께인 것은 특징으로 하는 에너지 변환 및 저장 시스템을 가지는 일체형 광소자
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제1항에 있어서, 상기 전기 변색소자층는 전기변색 물질을 포함하고, 상기 전기변색 물질은 CF3-PV(PF6)2, CF3F-PV(PF6)2, CN-PV(PF6)2 및 EtV(PF6)2으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 에너지 변환 및 저장 시스템을 갖춘 일체형 광소자
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제1항에 있어서, 상기 일체형 광소자는 7 내지 14%의 광전변환효율을 가지는 것을 특징으로 하는 에너지 변환 및 저장 시스템을 갖춘 일체형 광소자
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제1 기판 상에 전자수송층을 형성하는 단계;상기 전자수송층 상에 광활성층을 형성하는 단계;상기 광활성층 상에 정공수송층을 형성하는 단계:상기 정공수송층 상에 양극 전극을 형성하는 단계;상기 양극 전극 상에 전기 변색소자층을 형성하는 단계; 및상기 전기 변색소자층 상에 제2 기판을 결합하는 단계를 포함하는 에너지 변화 및 저장 시스템을 가지는 일체형 광소자 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 제1 기판 및 제 2기판은 음극 전극을 포함하고, 상기 음극 전극은 인듐주석산화물(ITO), 알루미늄아연산화물(AZO), 불소산화주석(FTO), 안티모어주석산화물(ATO), 탄소나노튜브(CNT) 및 그래핀(graphene)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 에너지 변환 및 저장 시스템을 가지는 일체형 광소자 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 광활성층은 PTB7-Th, PBDB-T, PC70BM 및 ITIC-Th으로 이루어진 4성분계 군에서 선택된 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 에너지 변환 및 저장 시스템을 가지는 일체형 광소자 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 정공수송층은 산화몰리브덴(MoO3)인 것을 특징으로 하는 에너지 변환 및 저장 시스템을 가지는 일체형 광소자 제조방법
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제13항에 있어서, 상기 정공수송층은 1 nm 내지 50 nm 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 에너지 변환 및 저장 시스템을 가지는 일체형 광소자 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 양극 전극은 은(Ag)인 것을 특징으로 하는 에너지 변환 및 저장 시스템을 가지는 일체형 광소자 제조방법
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제15항에 있어서, 상기 양극 전극은 1 nm 내지 30 nm 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 에너지 변환 및 저장 시스템을 가지는 일체형 광소자 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 전기 변색소자는 전기변색 물질을 포함하고, 상기 전기변색 물질은 CF3-PV(PF6)2, CF3F-PV(PF6)2, CN-PV(PF6)2 및 EtV(PF6)2으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 에너지 변환 및 저장 시스템을 가지는 일체형 광소자 제조방법
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