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기체 상태의 단량체를 공급하는 제1 배관;계면활성제를 공급하며, 상기 제1 배관과 독립적으로 제공되는 제2 배관;개시제를 공급하며, 상기 제1 배관 및 상기 제2 배관과 독립적으로 제공되는 제3 배관;상기 제1 배관, 상기 제2 배관과 연결되며 상기 단량체, 상기 계면활성제가 중간체 미셀(intermediate micelle)을 형성하도록 교반 동작이 수행되는 제1 챔버; 및상기 제1 챔버와 연결되어 상기 개시제와 상기 중간체 미셀을 공급받아 고분자 화합물 생성을 위한 중합 반응을 수행하는 제2 챔버를 포함하고,상기 제2 챔버 내에서 중합 반응 수행 전 초음파 조사에 의하여 상기 중간체 미셀은 마이크로 미셀(micro micelle)로 분화되고, 상기 마이크로 미셀 내부로 상기 개시제가 침투하여 중합 반응이 수행되는, 고분자 중합 장치
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제1항에 있어서,상기 제2 챔버에서 초음파 조사는 500W 내지 1000W의 출력으로 수행되는, 고분자 중합 장치
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제1항에 있어서,상기 제1 배관을 통한 상기 단량체 공급, 상기 제2 배관을 통한 상기 계면활성제 공급, 상기 제3 배관을 통한 상기 개시제 공급, 및 생성된 상기 고분자 화합물의 배출이 동시에 연속적으로 수행되고,미반응된 상기 단량체는 액체-기체 분리에 의하여 상기 고분자 화합물과 분리되어 상기 제1 배관으로 다시 공급되는, 고분자 중합 장치
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제1항에 있어서,상기 단량체는 1,1-다이플루오로에틸렌을 포함하고,상기 고분자 화합물은 플루오르화 폴리비닐리덴을 포함하는, 고분자 중합 장치
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제1항에 있어서,상기 고분자 화합물을 응집 및 정제하기 위한 정제 장치를 더 포함하고,상기 정제 장치는 상기 고분자 화합물의 응집 반응을 수행하기 위한 염화 철 또는 염화 알루미늄을 갖는, 고분자 중합 장치
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기체 상태의 단량체, 계면활성제, 및 개시제를 공급하는 반응물 공급 단계;상기 단량체, 상기 계면활성제가 참여하는 교반 공정을 통해 중간체 미셀을 형성하는 중간체 생성 단계;상기 중간체 미셀에 초음파를 조사하여 마이크로 미셀을 형성하는 마이크로 미셀 생성 단계;상기 마이크로 미셀 내에 상기 개시제로부터 생성된 자유라디칼이 침투하여 중합 반응이 진행되는 중합 반응 단계; 및상기 중합 반응에 의해 생성된 고분자 화합물을 배출하는 생성물 배출 단계를 포함하고,상기 반응물 공급 단계, 상기 중합 반응 단계, 및 상기 생성물 배출 단계는 반응기 셋업 후 동시에 연속적으로 수행되는, 고분자 중합 공정
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제6항에 있어서,상기 단량체는 1,1-다이플루오로에틸렌을 포함하고,상기 고분자 화합물은 플루오르화 폴리비닐리덴을 포함하는, 고분자 중합 공정
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제6항에 있어서,상기 마이크로 미셀 생성 단계는 승온 공정을 포함하고,상기 승온 공정을 통해 상기 개시제로부터 자유라디칼이 생성되고,생성된 상기 자유라디칼은 상기 마이크로 미셀 내부로 침투하여 중합 반응을 개시하는, 고분자 중합 공정
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제6항에 있어서,상기 생성물 배출 단계 이후,염화 철 또는 염화 알루미늄을 이용하여 상기 고분자 화합물을 응집하는 단계;기체-액체 분리 공정을 통해 상기 단량체를 상기 고분자 화합물로부터 분리하는 단계; 및상기 고분자 화합물 및 미반응된 상기 계면활성제 및 상기 개시제를 원심 분리를 통해 분리하는 단계를 더 포함하는, 고분자 중합 공정
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제6항에 있어서,상기 중간체 생성 단계는 상기 중합 반응 단계보다 낮은 온도에서 수행되는, 고분자 중합 공정
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