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공정챔버와 연결된 제1 진공관과, 진공펌프와 연결된 제2 진공관 사이에 설치되며, 적어도 하나의 개구를 포함하는 금속 챔버;상기 개구를 막도록 상기 금속 챔버에 기밀 상태로 설치되는 유전체;상기 유전체의 외면에 위치하는 고전압 전극; 및상기 금속 챔버의 내면 중 상기 제1 진공관과 상기 유전체 사이 부분에 고정된 고정부와, 고정부로부터 상기 제2 진공관을 향해 확장되어 상기 유전체와 거리를 두고 마주하는 대향부를 포함하며, 상기 제1 진공관을 향한 플라즈마의 확산을 억제하는 접지 전극을 포함하는 플라즈마 세정장치
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제1항에 있어서,상기 금속 챔버의 적어도 일부는 다각통 형상으로 이루어지고,상기 접지 전극은 상기 금속 챔버를 구성하는 복수의 면 중 적어도 한 면의 안쪽에 위치하며, 사각의 판형으로 이루어지는 플라즈마 세정장치
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제2항에 있어서,상기 고정부의 두께는 상기 대향부의 두께보다 크고, 상기 대향부는 상기 고정부의 내면 하단에서 상기 제2 진공관을 향해 확장되는 플라즈마 세정장치
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제3항에 있어서,상기 금속 챔버를 정면에서 보았을 때, 상기 접지 전극의 가로 폭은 상기 유전체의 가로 폭보다 작고, 상기 고전압 전극의 가로 폭보다 크며, 상기 접지 전극의 좌우측 가장자리와 하측 가장자리는 상기 고전압 전극과 상기 유전체의 가장자리 사이에 대응하여 위치하는 플라즈마 세정장치
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제3항에 있어서,상기 유전체와 상기 대향부 사이의 방전 공간은 상기 고정부에 의해 위쪽으로 막히면서 아래쪽으로 상기 제2 진공관과 통하는 형상인 플라즈마 세정장치
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공정챔버와 연결된 제1 진공관과, 진공펌프와 연결된 제2 진공관 사이에 설치되는 금속 챔버;상기 금속 챔버에 기밀 상태로 설치되는 관형의 제1 유전체;상기 제1 유전체의 외면에 위치하는 고전압 전극; 및상기 금속 챔버의 내측에서 상기 제1 진공관과 상기 제1 유전체 사이에 위치하며, 상기 제1 진공관과 상기 고전압 전극 사이의 방전 경로를 늘려 상기 제1 진공관을 향한 플라즈마 확산을 억제하는 관형의 제2 유전체를 포함하는 플라즈마 세정장치
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제6항에 있어서,상기 금속 챔버는 상기 제1 진공관에 결합된 제1 챔버와, 상기 제2 진공관에 결합된 제2 챔버로 구분되며, 상기 제1 유전체는 상기 제1 챔버와 상기 제2 챔버 사이에 연결 설치되는 플라즈마 세정장치
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제7항에 있어서,상기 제1 챔버의 내경과 상기 제1 유전체의 내경은 상기 제1 및 제2 진공관 각각의 내경보다 크고, 상기 제2 챔버의 상단측 내경은 상기 제1 유전체의 내경과 같으며, 상기 제2 챔버의 하단측 내경은 상기 제2 진공관의 내경과 같은 플라즈마 세정장치
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제8항에 있어서,상기 제2 챔버의 내면은 상기 제2 진공관을 향할수록 내경이 작아지는 경사면으로 구성되는 플라즈마 세정장치
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제8항에 있어서,상기 제2 챔버의 내면은 상기 제1 유전체의 내경과 같은 내경을 가지는 제1 수직면과, 상기 제2 진공관의 내경과 같은 내경을 가지는 제2 수직면과, 제1 수직면과 제2 수직면을 연결하는 수평면으로 구성되는 플라즈마 세정장치
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제8항에 있어서,상기 제2 유전체의 두께는 상기 제1 유전체의 두께보다 크고, 상기 제2 유전체의 내경은 상기 제1 유전체의 내경보다 작으며, 상기 제2 유전체의 하측 단부는 상기 제1 유전체의 상측 단부와 접하여 위치하는 플라즈마 세정장치
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증착 공정이 진행되는 공정챔버;제1 진공관 및 제2 진공관에 의해 상기 공정챔버와 연결되며, 상기 공정챔버의 내부를 배기시키는 진공펌프; 및상기 제1 진공관과 상기 제2 진공관 사이에 설치되고, 세정가스를 플라즈마로 분해하여 상기 진공관과 상기 진공펌프에 누적된 공정 부산물을 세정하는, 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 따른 플라즈마 세정장치를 포함하는 반도체 공정설비
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