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기판;상기 기판 상에 위치하는 버퍼층;상기 버퍼층 상에 위치하는 탄소나노튜브-금속촉매 복합체층; 및상기 탄소나노튜브-금속촉매 복합체층 상에 위치하는 금속산화물 에피택셜층; 을 포함하고,상기 탄소나노튜브-금속촉매 복합체층은 탄소나노튜브 표면에 금속촉매 입자가 결합된 것을 특징으로 하는 전자 소자용 박막
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제1항에 있어서,상기 기판은 사파이어, 실리콘 또는 FTO를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 소자용 박막
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제1항에 있어서,상기 버퍼층의 소재는 상기 금속산화물 에피택셜층의 소재와 동일물질인 것을 특징으로 하는 전자 소자용 박막
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제1항에 있어서,상기 탄소나노튜브-금속촉매 복합체층의 금속촉매는 팔라듐, 티타늄, 니켈, 구리 또는 금을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 소자용 박막
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제1항에 있어서,상기 금속촉매의 입자 크기는 50nm 이하인 것을 특징으로 하는 전자 소자용 박막
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제1항에 있어서,상기 금속산화물 에피택셜층은 Ga2O3, ITO, MgO 또는 MoO3를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 소자용 박막
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7
기판을 준비하는 단계;상기 기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계;상기 버퍼층 상에 탄소나노튜브-금속촉매 복합체층을 형성하는 단계; 및상기 탄소나노튜브-금속촉매 복합체층 상에 금속산화물 에피택셜층을 형성하는 단계; 를 포함하고,상기 탄소나노튜브-금속촉매 복합체층은 탄소나노튜브 표면에 금속촉매 입자가 결합된 것을 특징으로 하는 전자 소자용 박막 제조 방법
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8
제7항에 있어서,상기 기판을 준비하는 단계에서,상기 기판은 사파이어, 실리콘 또는 FTO를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 소자용 박막 제조 방법
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9
제7항에 있어서, 상기 기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계에서,상기 버퍼층의 소재는 상기 금속산화물 에피택셜층의 소재와 동일물질인 것을 특징으로 하는 전자 소자용 박막 제조 방법
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제7항에 있어서,상기 기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계는,기상 에피택시(VPE) 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 전자 소자용 박막 제조 방법
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제7항에 있어서,상기 기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계에서,상기 버퍼층의 형성 온도는 300℃ 내지 700℃인 것을 특징으로 하는 전자 소자용 박막 제조 방법
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제7항에 있어서,상기 버퍼층 상에 탄소나노튜브-금속촉매 복합체층을 형성하는 단계에서,상기 탄소나노튜브-금속촉매 복합체층의 금속촉매는 팔라듐, 티타늄, 니켈, 구리 또는 금을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 소자용 박막 제조 방법
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제7항에 있어서,상기 버퍼층 상에 탄소나노튜브-금속촉매 복합체층을 형성하는 단계는,스프레이 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 전자 소자용 박막 제조 방법
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제7항에 있어서,상기 버퍼층 상에 탄소나노튜브-금속촉매 복합체층을 형성하는 단계에서,상기 형성된 탄소나노튜브-금속촉매 복합체층의 두께는 5nm 내지 100nm인 것을 특징으로 하는 전자 소자용 박막 제조 방법
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제7항에 있어서,상기 버퍼층 상에 탄소나노튜브-금속촉매 복합체층을 형성하는 단계에서,상기 금속촉매의 입자 크기는 50nm 이하인 것을 특징으로 하는 전자 소자용 박막 제조 방법
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제7항에 있어서,상기 탄소나노튜브-금속촉매 복합체층 상에 금속산화물 에피택셜층을 형성하는 단계에서,상기 금속산화물 에피택셜층은 Ga2O3, ITO, MgO 또는 MoO3를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 소자용 박막 제조 방법
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제7항에 있어서,상기 탄소나노튜브-금속촉매 복합체층 상에 금속산화물 에피택셜층을 형성하는 단계는,기상 에피택시(VPE) 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 전자 소자용 박막 제조 방법
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제7항에 있어서, 상기 탄소나노튜브-금속촉매 복합체층 상에 금속산화물 에피택셜층을 형성하는 단계에서,상기 금속산화물 에피택셜층의 형성 온도는 300℃ 내지 700℃인 것을 특징으로 하는 전자 소자용 박막 제조 방법
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