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셀룰로오스 나노결정; 및상기 셀룰로오스 나노결정의 표면에 도펀트를 포함하되,상기 도펀트는 전자 끄는 작용기 또는 전자 주는 작용기를 포함하고,상기 셀룰로오스 나노결정은 도전형을 갖는 셀룰로오스 나노결정 반도체 물질
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제 1 항에 있어서,상기 전자 끄는 작용기는 CF3SO2- 를 포함하는 셀룰로오스 나노결정 반도체 물질
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제 1 항에 있어서,상기 도펀트는 TFSI(trifluoromethanesulfonylimide) 음이온 또는 TFSA(trifluoromethanesulfonylamine) 음이온을 포함하는 셀룰로오스 나노결정 반도체 물질
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제 1 항에 있어서,상기 도펀트는 Ag-TFSI(trifluoromethanesulfonylimide) 또는 Ag-TFSA(trifluoromethanesulfonylamine)를 포함하는 셀룰로오스 나노결정 반도체 물질
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제 1 항에 있어서,상기 셀룰로오스 나노결정은 그 표면에 상기 전자 끄는 작용기를 포함하는 도펀트가 도핑됨으로써 p형 도전형을 갖는 셀룰로오스 나노결정 반도체 물질
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제 1 항에 있어서,상기 셀룰로오스 나노결정은 그 표면에 상기 전자 주는 작용기를 포함하는 도펀트가 도핑됨으로써 n형 도전형을 갖는 셀룰로오스 나노결정 반도체 물질
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셀룰로오스 나노결정 수용액 및 도펀트 용액을 준비하는 것;상기 셀룰로오스 나노결정 수용액과 상기 도펀트 용액을 교반시키는 것; 및상기 셀룰로오스 나노결정에 상기 도펀트를 도핑시키는 것을 포함하는 셀룰로오스 나노결정 반도체 물질의 제조방법
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제 7 항에 있어서,상기 도펀트 용액은 전자 끄는 작용기 또는 전자 주는 작용기를 포함하는 셀룰로오스 나노결정 반도체 물질의 제조방법
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제 8 항에 있어서,상기 전자 끄는 작용기는 CF3SO2- 를 포함하는 셀룰로오스 나노결정 반도체 물질의 제조방법
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제 7 항에 있어서,상기 도펀트 용액은 TFSI 음이온 또는 TFSA 음이온을 포함하는 셀룰로오스 나노결정 반도체 물질의 제조방법
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제 7 항에 있어서, 상기 도펀트 용액은 유기용매를 포함하는 셀룰로오스 나노결정 반도체 물질의 제조방법
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제 7 항에 있어서, 상기 도펀트 용액에서 상기 도펀트의 농도는 0
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제 7 항에 있어서, 상기 셀룰로오스 나노결정에 도펀트를 도핑시키는 것은 15 내지 100 ℃ 이내에서 수행되는 셀룰로오스 나노결정 반도체 물질의 제조방법
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제 7 항에 있어서,상기 셀룰로오스 나노결정에 도펀트를 도핑시키는 것은 상기 전자 끄는 작용기를 포함하는 도펀트가 상기 셀룰로오스 나노결정의 표면에 결합함으로써 상기 셀룰로오스 나노결정 내부에 정공(hole)이 증가하는 셀룰로오스 나노결정 반도체 물질의 제조방법
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제 7 항에 있어서,상기 셀룰로오스 나노결정에 도펀트를 도핑시키는 것은 상기 전자 주는 작용기를 포함하는 도펀트가 상기 셀룰로오스 나노결정의 표면에 결합함으로써 상기 셀룰로오스 나노결정 내부에 자유 전자가 증가하는 셀룰로오스 나노결정 반도체 물질의 제조방법
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