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휘발성 메모리에서 복수의 페이지들을 저장하는 단계;상기 복수의 페이지들 중 적어도 하나의 페이지가 상기 휘발성 메모리에서 버려지기 전에, 상기 적어도 하나의 페이지를 가로채는 단계; 및상기 가로채어진 적어도 하나의 페이지를 메모리 스왑 공간에 압축하여 저장하는 단계;를 포함하되,상기 복수의 페이지들은, 파일 매핑된 페이지(file-mapped page) 중에서 클린 페이지(clean page)인 제1 페이지 및 익명 페이지(anonymous page)인 제2 페이지를 포함하는 것인, 메모리 스왑 방법
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제1항에 있어서,상기 메모리 스왑 공간에 저장하는 단계는,상기 가로채어진 적어도 하나의 페이지에 대한 제1 이익을 산출하고, 상기 산출된 제1 이익이 평균 이익 이상인 경우 상기 가로채어진 적어도 하나의 페이지를 상기 메모리 스왑 공간에 저장하는 것인, 메모리 스왑 방법
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제2항에 있어서,상기 제1 이익은 수학식 1을 이용하여 산출되는 것인, 메모리 스왑 방법
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제2항에 있어서,상기 평균 이익은 수학식 2로부터 산출되는 것인, 메모리 스왑 방법
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제1항에 있어서,상기 메모리 스왑 공간은 저장 트리 구조를 포함하는 것인, 메모리 스왑 방법
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제5항에 있어서,상기 저장 트리 구조는,상기 가로채어진 적어도 하나의 페이지가 상기 제1 페이지인 경우, 상기 가로채어진 적어도 하나의 페이지 모두를 하나의 트리에 매칭하는 것인, 메모리 스왑 방법
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제6항에 있어서,상기 매칭된 하나의 트리는,상기 가로채어진 적어도 하나의 페이지에 대한 메타 데이터를 더 포함하는 것인, 메모리 스왑 방법
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제7항에 있어서,상기 메타 데이터는,아이노드 넘버(inode number) 및 블록 디바이스 넘버(block device number)를 포함하는 것인, 메모리 스왑 방법
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제1항에 있어서,상기 메모리 스왑 방법은,상기 가로채어진 적어도 하나의 페이지가 상기 제1 페이지이고 상기 메모리 스왑 공간이 가득 찬 경우, 상기 제1 페이지를 삭제하는 단계;를 더 포함하는 것인 메모리 스왑 방법
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제1항에 있어서,상기 메모리 스왑 방법은, 상기 가로채어진 적어도 하나의 페이지가 상기 제2 페이지이고 상기 메모리 스왑 공간이 가득 찬 경우, 상기 메모리 스왑 공간에서 제거할 스왑 페이지(swap page)를 선택하는 단계;를 더 포함하는 것인, 메모리 스왑 방법
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제10항에 있어서,상기 메모리 스왑 공간에서 제거할 스왑 페이지(swap page)를 선택하는 단계는,LRU(Least Recently Used) 리스트를 기초로, 상기 메모리 스왑 공간에서 제거할 상기 스왑 페이지를 선택하는 것인, 메모리 스왑 방법
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제11항에 있어서,상기 메모리 스왑 공간에서 제거할 스왑 페이지(swap page)를 선택하는 단계는,상기 LRU(Least Recently Used) 리스트의 가장 뒤에 위치한 스왑 페이지(swap page)를 선택하는 것인, 메모리 스왑 방법
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제10항에 있어서,상기 메모리 스왑 공간에서 제거할 스왑 페이지(swap page)를 선택하는 단계는,제1 기준 내지 제3 기준을 포함하는 기준 테이블을 기초로, 상기 메모리 스왑 공간에서 제거할 상기 스왑 페이지를 선택하는 것인, 메모리 스왑 방법
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제13항에 있어서,상기 제1 기준은 상기 스왑 페이지 내의 여유 공간을 기초로 설정되며,상기 제2 기준은 상기 스왑 페이지에 포함된 제트페이지(zpage)의 수를 기초로 설정되고,상기 제3 기준은 상기 스왑 페이지에 포함된 상기 파일 매핑된 페이지의 수를 기초로 설정되는 것인, 메모리 스왑 방법
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제10항에 있어서,상기 메모리 스왑 공간에서 제거할 스왑 페이지(swap page)를 선택하는 단계는,복수의 LRU(Least Recently Used) 리스트들을 생성하고 로터리 셀렉션을 이용하여 상기 LRU 리스트들 중 하나의 LRU 리스트를 선택하고, 상기 선택된 LRU 리스트를 기초로 상기 메모리 스왑 공간에서 제거할 상기 스왑 페이지를 선택하는 것인, 메모리 스왑 방법
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제15항에 있어서,상기 로터리 셀렉션은 수학식 3에서 산출된 값을 기준으로 하는 것인, 메모리 스왑 방법
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제15항에 있어서, 상기 메모리 스왑 공간에서 제거할 스왑 페이지(swap page)를 선택하는 단계는,상기 선택된 LRU 리스트의 가장 뒤에 위치한 스왑 페이지(swap page)를 선택하는 것인, 메모리 스왑 방법
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제1항에 있어서,상기 적어도 하나의 페이지를 가로채는 단계는,상기 휘발성 메모리의 점유율에 따라 커널 스왑 데몬이 활성화되고, 상기 활성화된 커널 스왑 데몬에 의하여 상기 적어도 하나의 페이지가 상기 휘발성 메모리에서 버려지기 전에, 상기 적어도 하나의 페이지를 가로채는 것인, 메모리 스왑 방법
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휘발성 메모리;비휘발성 메모리;상기 휘발성 메모리 및 상기 비휘발성 메모리를 제어하는 프로세서;를 포함하되,상기 휘발성 메모리는,복수의 페이지들을 저장하는 제1 저장 공간; 및상기 복수의 페이지들 중 가로채어진 적어도 하나의 페이지를 저장하는 제2 저장 공간;을 포함하고,상기 복수의 페이지들은,파일 매핑된 페이지(file-mapped page) 중에서 클린 페이지(clean page)인 제1 페이지 및 익명 페이지(anonymous page)인 제2 페이지를 포함하는 것인, 메모리 스왑 시스템
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제19항에 있어서,상기 제2 저장 공간은,상기 가로채어진 적어도 하나의 페이지에 대하여 산출된 제1 이익이 평균 이익 이상인 경우 상기 가로채어진 적어도 하나의 페이지를 저장하는 것인, 메모리 스왑 시스템
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제19항에 있어서, 상기 제2 저장 공간은 저장 트리 구조를 포함하는 것인, 메모리 스왑 시스템
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제21항에 있어서,상기 저장 트리 구조는,상기 가로채어진 적어도 하나의 페이지가 상기 제1 페이지인 경우, 상기 가로채어진 적어도 하나의 페이지 모두를 하나의 트리에 매칭하는 것인, 메모리 스왑 시스템
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