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제 1 전극;상기 제 1 전극과 대항하여 구비되는 제 2 전극;상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극 사이에 구비되는 차단층(Blocking layer); 및상기 차단층 및 제 1 전극 사이 또는 상기 차단층 및 상기 제 2 전극 사이에 구비되는 광센서용 광감응층 조성물을 포함하는 광감응층;을 포함하고,상기 광센서용 광감응층 조성물은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 제 1 감광물질 및 비풀러렌 화합물을 포함하는 광신호 증폭/노이즈 억제기를 포함하는,광센서:[화학식 1](상기 화학식 1에서 n은 자연수)
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제 1 항에 있어서,상기 비풀러렌 화합물은 하기 화학식 2로 표시되는 화합물인,광센서:[화학식 2](상기 화학식 2에서 R1, R2, R3 및 R4는 서로 동일하거나 상이한 C1 내지 C20의 알킬기, 알케닐기, 알키닐기)
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 감광물질 및 상기 비풀러렌 화합물을 포함하는 광신호 증폭/노이즈 억제기의 중량비는 1 : 4 내지 4 : 1 인,광센서
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제 1 항에 있어서, 상기 비풀러렌 화합물은 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물을 포함하는,광센서:[화학식 3]
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제 1 항에 있어서,상기 광센서용 광감응층 조성물은 PBDB-T(poly[(2,6-(4,8-bis(5-(2-ethylhexyl)thiophen-2-yl)-benzo[1,2-b:4,5-b']dithiophene))-alt-(5,5-(1',3'-di-2-thienyl-5',7'-bis(2-ethylhexyl)benzo[1',2'-c:4',5'-c']dithiophene-4,8-dione))]), PCDTBT(Poly[N-9′-heptadecanyl-2,7-carbazole-alt-5,5-(4′,7′-di-2-thienyl-2′,1′,3′-benzothiadiazole)], PTB-7 (Poly[[4,8-bis[(2-ethylhexyl)oxy]benzo[1,2-b:4,5-b']dithiophene-2,6-diyl][3-fluoro-2-[(2-ethylhexyl)carbonyl]thieno[3,4-b]thiophenediyl]] 및 PTB7-Th(Poly[4,8-bis(5-(2-ethylhexyl)thiophen-2-yl)benzo[1,2-b;4,5-b']dithiophene-2,6-diyl-alt-(4-(2-ethylhexyl)-3-fluorothieno[3,4-b]thiophene-)-2-carboxylate-2-6-diyl)] 중 적어도 어느 하나 이상의 제 2 감광물질을 더 포함하는,광센서
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제 1 항에 있어서,상기 광센서용 광감응층 조성물은 1,8-다이이오도옥탄(DIO:1,8-diiodooctane), 1-클로로나프탈렌(1-CN:1-chloronaphthalene), 다이페닐에테르 (DPE:diphenylether), 옥탄디티올(octane dithiol) 및 테트라브로모싸이오펜(tetrabromothiophene) 중에서 선택되는 적어도 어느 하나 이상의 첨가제를 더 포함하는,광센서
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제 1 항에 있어서,상기 광센서는 한 개의 차단층(Blocking layer)을 포함하고, 상기 한 개의 차단층은 전자차단층(Electron blocking layer, EBL)인,광센서
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제 1 항에 있어서,싱기 차단층은 PEDOT:PSS(poly(3,4-ethylenediocy-thiophene) doped with poly(styrenesulfonic acid))를 포함하는,광센서
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 전극은 인듐 함유 산화주석, 알루미늄 함유 산화아연, 인듐 함유 산화아연 또는 이들의 혼합물인,광센서
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제 1 항에 있어서,상기 제 2 전극은 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 탄소(C), 황화코발트(CoS), 황화구리(CuS), 산화니켈(NiO) 또는 이들의 혼합물인,광센서
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제 1 항의 광센서를 제조하는 방법에 있어서,제 1 전극 기판을 초음파 처리하는 단계;상기 초음파 처리된 제 1 전극 기판 상에 차단층 조성물을 도포하는 단계;상기 차단층 조성물이 도포된 제 1 전극 기판을 열처리하는 단계;상기 차단층 상에 광감응층 조성물을 도포하는 단계; 및상기 도포된 광감응층 상에 제 2 전극을 도포하는 단계;를 포함하는,광센서 제조방법
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제 13 항에 있어서,상기 제 1 전극 기판을 초음파 처리하는 단계 이후 및 제 1 전극 기판 상에 차단층 조성물을 도포하는 단계 이전에 상기 초음파 처리된 제 1 전극 기판 표면을 산화하는 단계를 더 포함하는,광센서 제조방법
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