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황-도핑된 그래피틱 카본 나이트라이드 (S-g-C3N4)
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제 1 항에 있어서,히드라진의 검출을 위한 센서의 작업 전극의 개질제로서 사용되는 황-도핑된 그래피틱 카본 나이트라이드 (S-g-C3N4)
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황-도핑된 그래피틱 카본 나이트라이드 (S-g-C3N4)의 제조 방법으로서,고온 가열 조건 하에 전구체로서 티오우레아 (H2NCSNH2), 티오우레아와 우레아의 혼합물, 티오우레아와 멜라민의 혼합물 및 트리-티오시아누르산으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 도가니에 배치하고 가열하여 생성물을 수득하는 단계, 및수득된 생성물을 세정하고 건조하는 단계를 포함하는 황-도핑된 그래피틱 카본 나이트라이드 (S-g-C3N4)의 제조 방법
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제 3 항에 있어서,상기 고온 가열 조건은 450~500℃의 온도 조건인 황-도핑된 그래피틱 카본 나이트라이드 (S-g-C3N4)의 제조 방법
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황-도핑된 그래피틱 카본 나이트라이드 (S-g-C3N4)를 사용하여 개질된 기판을 히드라진의 전기화학적 검출을 위한 작업 전극으로서 포함하는 히드라진 검출용 센서
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제 5 항에 있어서,상기 기판은 불소 도핑된 산화주석 (FTO) 기판, 유리질 탄소 전극 및 탄소 페이스트 전극으로부터 선택되는 히드라진 검출용 센서
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제 5 항에 있어서,상기 기판은 황-도핑된 그래피틱 카본 나이트라이드 (S-g-C3N4)를 음파 처리한 후 닥터 블레이드 기술을 사용하여 상기 기판에 적용하여 제조되는 것인 히드라진 검출용 센서
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제 7 항에 있어서,황-도핑된 그래피틱 카본 나이트라이드 (S-g-C3N4)를 기판에 적용하는 것은 황-도핑된 그래피틱 카본 나이트라이드 (S-g-C3N4)에 결합제 및 용매를 첨가하고 반응시키고, 반응 혼합물을 느린 가열 속도로 교반하여 페이스트를 형성한 후, 상기 페이스트를 상기 기판에 도포하여 수행되는 히드라진 검출용 센서
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제 5 항에 있어서,선형 주사 전위법 (LSV)을 사용하여 히드라진 검출에 대해 60 μM~475 μM의 선형 범위의 검출 한계값을 가지는 히드라진 검출용 센서
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제 5 항에 있어서,순환 전압전류법 (CV)을 사용하여 히드라진 검출에 대해 28 μM~260 μM의 선형 범위의 검출 한계값을 가지는 히드라진 검출용 센서
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제 5 항에 있어서,상기 황-도핑된 그래피틱 카본 나이트라이드 (S-g-C3N4)를 사용하여 개질된 기판은 우수한 전도성 또는 전기활성 특성을 갖는 히드라진 검출용 센서
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제 5 항에 있어서,히드라진 농도가 증가함에 따라 전류의 선형 증가를 나타내는 히드라진 검출용 센서
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제 5 항에 있어서,우수한 재현가능성, 반복가능성 및 안정성을 갖는 히드라진 검출용 센서
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제 5 항에 따른 히드라진 검출용 센서를 사용한 히드라진의 센싱 방법으로서,0
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제 5 항에 따른 히드라진 검출용 센서를 사용한 히드라진의 센싱 방법으로서,0
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제 14 항 또는 제 15 항에 있어서,상기 히드라진 검출용 센서는 황-도핑된 그래피틱 카본 나이트라이드 (S-g-C3N4)를 사용하여 개질된 기판을 포함하는 히드라진의 센싱 방법
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제 14 항에 있어서,선형 주사 전위법 (LSV)을 사용하는 경우에 히드라진 검출에 대해 60 μM~475 μM의 선형 범위의 검출 한계값을 가지는 히드라진의 센싱 방법
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제 15 항에 있어서,순환 전압전류법 (CV)을 사용하는 경우에 히드라진 검출에 대해 28 μM~260 μM의 선형 범위의 검출 한계값을 가지는 히드라진의 센싱 방법
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