| 1 |
1
제1태양전지셀층을 갖는 제1태양전지소자와;제2태양전지셀층을 갖는 제2태양전지소자와;상기 제1태양전지소자와 상기 제2태양전지소자 사이에 접합되게 형성되며 투명실리콘화합물에 은나노와이어가 분산된 형태로 형성된 본딩층;을 구비하는 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지
|
| 2 |
2
제1항에 있어서, 상기 투명실리콘화합물은 실록산(siloxane), 실리케이트(silicate), 실란(silane)을 함유하되 300℃ 이하 저온에서 열경화할 수 있으며 가시광선 대역에서 광흡수단이 없는 투명한 화합물로 형성된 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지
|
| 3 |
3
제2항에 있어서, 상기 투명실리콘화합물은 -Si-O- 골격 사슬(backbone chain)에 알킬(alkyl)계 유기 그룹과 산소 및 경화용 촉매물질로만 구성되고 단일결합만 존재하는 물질이 적용되며, 상기 실록산(siloxane)은 PDMS(polydimethysiloxane), PMHS(polymethylhydrosiloxane) 중 어느 하나가 적용되고, 상기 실리케이트(silicate)는 TMOS(tetramethylorthosilicate), TEOS(tetraethylorthosilicate) 중 어느 하나가 적용되고, 상기 실란(silane)은 MTMS(methyltrimethoxysilane), TEES(triethoxyethylsilane) 중 어느 하나가 적용된 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지
|
| 4 |
4
제1항에 있어서, 상기 본딩층에 함유된 상기 은나노와이어는 직경 100~500nm이고, 길이 300um 내지 10mm인 것이 적용된 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지
|
| 5 |
5
제1항에 있어서, 상기 본딩층은 전기전도도가 1×105 S/m 내지 1×108 S/m 이 되며, 가시광선 대역 광투과율이 90% 이상이 되도록 상기 은나노와이어가 함유된 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지
|
| 6 |
6
제1항에 있어서, 상기 본딩층에는 투명전기전도성산화물(Transparent Conductive Oxide:TCO) 입자가 첨가되어 있고, 상기 투명전기전도성산화물 입자의 입경은 100~1000nm이고, 함량은 상기 본딩층 전체 체적 대비 25체적% 이내인 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지
|
| 7 |
7
제6항에 있어서, 상기 투명전기전도성산화물은 ITO(Indium Tin Oxide), ATO(Aluminum doped Tin Oxide), IZO(Indium doped Zinc Oxide), AZO(Aluminum doped Zinc Oxide), FTO(Fluorine doped Tin Oxide)로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 이상의 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지
|
| 8 |
8
제1항에 있어서, 상기 제1태양전지소자는 제1베이스기판에 상기 제1태양전지셀층이 형성되어 있고, 상기 제2태양전지소자는 제2베이스기판에 상기 제2태양전지셀층이 형성되어 있고,상기 제1 베이스 기판과 상기 제2 베이스 기판은 원소주기율 상 4족, 3-5족, 2-6족 원소의 조합 및 Mo, SiO2의 물질들 중 어느 하나 이상의 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지
|
| 9 |
9
제1항에 있어서, 상기 제1태양전지소자는 제1베이스기판에 상기 제1태양전지셀층이 형성되어 있고, 상기 제2태양전지소자는 제2베이스기판에 상기 제2태양전지셀층이 형성되어 있고, 상기 본딩층의 하부에 상기 제1 베이스 기판이 위치하고, 상기 본딩층의 상부에 상기 제2 베이스 기판이 위치하며, 상기 제1 베이스 기판은 Si 또는 InP로 형성되고, 상기 제2 베이스 기판은 GaAs로 형성된 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지
|
| 10 |
10
제9항에 있어서, 상기 제1 베이스기판 상에 형성되는 상기 제1태양전지셀층은 전류 제한이 일어나지 않게 상기 제1베이스 기판보다 밴드갭이 낮은 물질을 성장하여 형성된 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지
|
| 11 |
11
제1항에 있어서, 상기 제1 태양전지 셀층과 제2 태양전지 셀층은 단일 또는 다중접합 태양전지 셀로 이루어지는 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지
|
| 12 |
12
제9항에 있어서, 상기 제1베이스기판 위에 오믹접촉을 위한 금속소재나 투명전극물질로 형성된 제1오믹접촉층과, 상기 제2베이스기판 하부에 오믹접촉을 위한 금속소재나 투명전극물질로 형성된 제2오믹접촉층을 구비하고, 상기 제1오믹접촉층과 상기 제2오믹접촉층 사이에 상기 본딩층이 적용된 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지
|
| 13 |
13
가
|
| 14 |
14
제13항에 있어서, 상기 은나노와이어는 은전구체인 질산은 수용액에 환원제 글루코스(glucose) 수용액과 안정제 PVP수용액을 연속 반응시킨 후 은이온 대비 2배 수준의 염소이온량을 고려하여 염소이온 전구체 NaCl 수용액을 천천히 반응시킨 후 140~180℃, 20~24시간 수열합성하고 용매 초순수물과 IPA를 적용한 저속 원심분리법으로 은나노와이어를 회수하여 제조한 것을 적용하는 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지의 제조방법
|
| 15 |
15
제13항에 있어서, 상기 액상 투명실리콘화합물은 용제 : siloxane : silicate : silane = 8~12 : 4 : 1 : 1 몰비로 혼합한 후, 전체량 대비 0
|
| 16 |
16
제13항에 있어서, 상기 다단계는 상기 은나노와이어를 상기 액상 투명실리콘화합물에 분산시켜서 5~15중량% 은나노와이어를 함유한 액상투명실리콘 화합물을 제조한 후 접합부위에 침지코팅, 스핀코팅 중 어느 하나의 코팅방식을 적용하여 코팅한 후 150~250℃로, 1시간 이상 열경화하는 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지의 제조방법
|
