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1
탄탈륨이 도핑된 주석 산화물(Ta-doped SnO2)을 포함하며, 주석 및 탄탈륨 합에 대한 탄탈륨은 1
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제1항에 있어서,기판을 더 포함하되,상기 하부 전극은 상기 기판 상에 배치되며 저면이 닫힌 실린더 또는 기둥 형상을 갖는 커패시터
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3
제2항에 있어서,상기 하부 전극의 종횡비는 10이상인 커패시터
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4
제1항에 있어서,상기 상부 전극은 인듐(In), 코발트(Co), 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 금(Au), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 루테늄(Ru), 레늄(Re), 마그네슘(Mg), 아연(Zn), 하프늄(Hf), 탄탈륨(Ta), 로듐(Rh), 이리듐(Ir), 텅스텐(W), 티타늄(Ti), 은(Ag), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 니오브(Nb), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 구리(Cu) 및 티타늄 질화물(TiN) 중 적어도 하나 또는 이들의 합금을 포함하는 커패시터
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5
제1항에 있어서,상기 상부 전극은 산화루테늄(RuO2), 산화텅스텐(WO2), 산화몰리브데늄(MoO2), 산화니켈(NiO), 산화이리듐(IrO2), 탄탈륨이 도핑된 주석 산화물(Ta-doped SnO2), 산화아연(ZnO), 인듐주석산화물(InSnO), 및 인듐갈륨아연산화물(InGaZnO) 중 적어도 하나 또는 이들의 합금을 포함하는 커패시터
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6
제1항에 있어서,상기 하부 전극은 루타일 구조를 갖는 커패시터
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7
제1항에 있어서,상기 유전체층은 75이상의 유전율을 갖는 커패시터
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8
기판;상기 기판 상에 배치되는 스위칭 소자; 및상기 스위칭 소자와 전기적으로 연결되는 커패시터를 포함하되,상기 커패시터는,상기 기판 상에서 상기 스위칭 소자와 전기적으로 연결되며, 루타일(rutile) 구조의 탄탈륨이 도핑된 주석 산화물(Ta-doped SnO2)을 포함하며, 저면이 닫힌 실린더 또는 기둥 구조를 갖는 하부 전극;상기 하부 전극의 내측 및 외측을 따라 배치되며, 루타일(rutile) 구조의 티타늄 산화물(TiO2) 및 스트론튬 티타늄 산화물(SrTiO3)을 포함하는 유전체층; 및상기 유전체층 상에 배치되는 상부 전극을 포함하는 메모리 소자
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제8항에 있어서,상기 하부 전극에는 주석 및 탄탈륨 합에 대한 탄탈륨은 1
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10
제8항에 있어서,상기 유전체층은 75이상의 유전율을 갖는 메모리 소자
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