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다층으로 형성되는 코어층을 구비하는 펠리클층;을 포함하고,상기 코어층은,M-B 및 M-Si(M은 Zr, Mo, Ru, Nb, Y, W, Ti 및 Ir로 이루어진 그룹에서 선택된 하나) 중 적어도 하나의 2성분계 소재로 형성되는 2성분계의 코어층; 및상기 2성분계의 코어층에 적층되며, M-B-Si의 3성분계 소재로 형성되는 3성분계의 코어층;을 포함하되,상기 3성분계의 코어층을 중심으로 일면에 M-B 소재의 2성분계의 코어층이 형성되고, 상기 일면에 반대되는 타면에 M-Si 소재의 2성분계의 코어층이 형성되는 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
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제1항에 있어서,상기 M-B의 2성분계 소재는 MBa(a≥1)의 화학식으로 표시되고, 상기 M-Si의 2성분계 소재는 MSib(b≥1)의 화학식으로 표시되는 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
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제1항에 있어서,상기 2성분계의 코어층은 적어도 하나의 M-B층과 적어도 하나의 M-Si층을 포함하고,상기 M-B층과 상기 M-Si층이 교대로 적층되는 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
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제1항에 있어서,상기 M-B-Si의 3성분계 소재는 MBxSiy(x+y=≥1)의 화학식으로 표시되는 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
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8
제1항에 있어서, 상기 코어층은,상기 3성분계의 코어층으로 복수의 M-B-Si층을 포함하되, 상기 복수의 M-B-Si층 사이에 M-B층과 M-Si층이 교대로 적층된 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
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제1항에 있어서, 상기 펠리클층은,상기 코어층의 적어도 일면에 형성되는 캡핑층;을 더 포함하고,상기 캡핑층의 소재는 M-B-Si(M은 Zr, Mo, Ru, Nb, Y, W, Ti 및 Ir로 이루어진 그룹에서 선택된 하나)의 3성분계 소재, ZrCBx(x≥1), ZrBx(x≥2), ZrC, ZrSix(x≤2), SiN, B4C, B 또는 금속산화물 중에 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
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10
제9항에 있어서, 상기 펠리클층은,상기 코어층과 상기 캡핑층 사이에 개재되는 버퍼층;을 더 포함하고,상기 버퍼층의 소재는 M-B-Si(M은 Zr, Mo, Ru, Nb, Y, W, Ti 및 Ir로 이루어진 그룹에서 선택된 하나)의 3성분계 소재, ZrCBx(x≥1), ZrBx(x≥2), ZrC, ZrSix(x≤2), SiN, B4C, B 또는 금속산화물 중에 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
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중심 부분에 개방부가 형성된 지지층; 및상기 개방부를 덮도록 상기 지지층 위에 다층으로 형성되는 코어층을 구비하는 펠리클층;을 포함하고,상기 코어층은,M-B 및 M-Si(M은 Zr, Mo, Ru, Nb, Y, W, Ti 및 Ir로 이루어진 그룹에서 선택된 하나) 중 적어도 하나의 2성분계 소재로 형성되는 2성분계의 코어층; 및상기 2성분계의 코어층에 적층되며, M-B-Si의 3성분계 소재로 형성되는 3성분계의 코어층;을 포함하되,상기 3성분계의 코어층을 중심으로 일면에 M-B 소재의 2성분계의 코어층이 형성되고, 상기 일면에 반대되는 타면에 M-Si 소재의 2성분계의 코어층이 형성되는 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
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중심 부분에 개방부가 형성된 지지층; 및상기 개방부를 덮도록 상기 지지층 위에 형성되는 펠리클층;을 포함하고,상기 펠리클층은,상기 개방부를 덮도록 상기 지지층 위에 형성되는 제1 캡핑층;상기 제1 캡핑층 위에 다층으로 적층하여 형성되는 코어층; 및상기 코어층 위에 형성되는 제2 캡핑층;을 포함하고,상기 코어층은,M-B 및 M-Si(M은 Zr, Mo, Ru, Nb, Y, W, Ti 및 Ir로 이루어진 그룹에서 선택된 하나) 중 적어도 하나의 2성분계 소재로 형성되는 2성분계의 코어층; 및상기 2성분계의 코어층에 적층되며, M-B-Si의 3성분계 소재로 형성되는 3성분계의 코어층;을 포함하되,상기 3성분계의 코어층을 중심으로 일면에 M-B 소재의 2성분계의 코어층이 형성되고, 상기 일면에 반대되는 타면에 M-Si 소재의 2성분계의 코어층이 형성되는 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
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