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(A) 적어도 하나의 기능층을 포함하는 블록층을 형성하는 단계;(B) 상기 블록층을 절단하여 복수의 세부 블록층을 형성하는 단계; (C) 제 1 세부 블록층을 기판 상에 전사하는 단계;(D) 상기 제 1 세부 블록층 상의 적어도 일부에 코어-쉘 구조의 양자점을 포함하는 양자점층을 형성한 후, 제 2 세부 블록층을 추가로 적층하는 단계; 및(E) 상기 (D) 단계를 반복 수행하여 세부 블록층 및 양자점층이 교번적으로 적층된 다층구조를 형성하는 단계;를 포함하는, 3차원 적층구조체의 제조방법
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(A) 적어도 하나의 기능층 및 코어-쉘 구조의 양자점을 포함하는 양자점층을 포함하는 블록층을 형성하는 단계;(B) 상기 블록층을 절단하여 복수의 세부 블록층을 형성하는 단계;(C) 제 1 세부 블록층을 기판 상에 전사하는 단계;(D) 상기 제 1 세부 블록층 상에 제 2 세부 블록층을 추가로 적층하는 단계; 및(E) 상기 (D) 단계를 반복 수행하여 세부 블록층이 반복 적층된 다층구조를 형성하는 단계;를 포함하는, 3차원 적층구조체의 제조방법
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제 2 항에 있어서,상기 (A) 단계는,(a1) 금속 판(Metal plate)층 상에 제1 기능층을 형성하는 단계;(a2) 상기 제1 기능층 상의 적어도 일부에 코어-쉘 구조의 양자점을 포함하는 양자점층을 형성하는 단계;(a3) 상기 양자점층 상에 캐리어 고분자층을 형성하는 단계; 및(a4) 상기 금속 판층을 제거하는 단계;를 포함하는, 3차원 적층구조체의 제조방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 기능층은 기능성 물질 전구체를 이용하여 화학기상증착법(Chemicalvapor deposition)으로 형성하는, 3차원 적층구조체의 제조방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 기능층은 그래핀, h-BN, WSe2 및 MoS2으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인, 3차원 적층구조체의 제조방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 기능층은 p형 반도체 또는 n형 반도체 특성을 가지는, 3차원 적층구조체의 제조방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 양자점층은 코어-쉘 구조의 양자점을 스핀코팅(spin coating)하여 형성하는, 3차원 적층구조체의 제조방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 코어-쉘 구조의 양자점은,상기 코어는 CdSe, CdTe, CdS, InP, ZnCdSe, PbS, PbSe, CGS, CIGS 및 CIS으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나이고,상기 쉘은 ZnS, CdS, ZnSe, CsPbX3 (X= Cl, Br, I) 및 CH3NH3PbX3 (X = Cl, Br, I)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인, 3차원 적층구조체의 제조방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 기판은, 실리콘(Silicon) 및 실리콘옥사이드(Silicon oxide)를 포함하는, 3차원 적층구조체의 제조방법
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(A) 적어도 하나의 기능층을 포함하는 블록층을 형성하는 단계;(B) 상기 블록층을 절단하여 복수의 세부 블록층을 형성하는 단계; (C) 제 1 세부 블록층을 기판 상에 전사하는 단계;(D) 상기 제 1 세부 블록층 상에 절연층을 형성하는 단계;(E) 상기 절연층 상의 적어도 일부에 코어-쉘 구조의 양자점을 포함하는 양자점층을 형성한 후, 제 2 세부 블록층을 추가로 적층하는 단계; 및(F) 상기 (D) 및 (E) 단계를 반복 수행하여 세부 블록층 및 양자점층이 교번적으로 적층되고, 상기 세부 블록층 및 양자점층 사이에 절연층이 형성된 다층구조를 형성하는 단계;를 포함하는, 광센서의 제조방법
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(A) 적어도 하나의 기능층 및 코어-쉘 구조의 양자점을 포함하는 양자점층을 포함하는 블록층을 형성하는 단계;(B) 상기 블록층을 절단하여 복수의 세부 블록층을 형성하는 단계;(C) 제 1 세부 블록층을 기판 상에 전사하는 단계;(D) 상기 제 1 세부 블록층 상에 절연층을 형성한 후, 제 2 세부 블록층을 추가로 적층하는 단계; 및(E) 상기 (D) 단계를 반복 수행하여 세부 블록층이 반복 적층된 다층구조를 형성하는 단계;를 포함하는, 광센서의 제조방법
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제 11항에 있어서,상기 (A) 단계는,(a1) 금속 판(Metal plate)층 상에 기능층을 형성하는 단계;(a2) 상기 기능층 상의 적어도 일부에 코어-쉘 구조의 양자점을 포함하는 양자점층을 형성하는 단계;(a3) 상기 양자점층 상에 캐리어 고분자층을 형성하는 단계; 및(a4) 상기 금속 판층을 제거하는 단계; 를 포함하고,상기 기능층의 두께는 10 nm 이상인,광센서의 제조방법
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제 11항에 있어서,상기 (a1) 단계 이후 (a2) 단계 이전에,상기 기능층 상에 절연층을 형성하는 단계;를 더 포함하는,광센서의 제조방법
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제 10 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 기능층은 p형 반도체 또는 n형 반도체 특성을 가지고, 상기 n 형 반도체 기능층은 MoS2 로 형성되고, 상기 p형 반도체 기능층은 WSe2 로 형성되는, 광센서의 제조방법
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제 10 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 절연층은 금속산화물, 고분자 및 h-BN으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인, 광센서의 제조방법
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제 10 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 절연층을 형성하는 단계는 원자층증착(ALD), 화학기상증착 (CVD) 또는 전사 방법에 의해 수행되는,광센서의 제조방법
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기판; 상기 기판 상에 형성되고, 적어도 하나의 기능층을 포함하는 블록층;상기 블록층 상에 형성된 절연층; 및상기 절연층 상의 적어도 일부에 형성되고, 코어-쉘 구조의 양자점을 포함하는 양자점층;을 포함하고,상기 블록층, 절연층 및 양자점층을 포함하는 다층구조가 기판 상에 적어도 하나 이상 반복 적층된,광센서
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기판; 상기 기판 상에 형성되고, 적어도 하나의 기능층 및 코어-쉘 구조의 양자점을 포함하는 양자점층을 포함하는 블록층; 및상기 블록층 상에 형성된 절연층;을 포함하고,상기 블록층 및 절연층을 포함하는 다층구조가 기판 상에 적어도 하나 이상 반복 적층된,광센서
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