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반응 기체가 공급되는 입구 및 잔여 기체가 배출되는 출구를 갖는 반응 챔버;상기 입구의 전단에 배치되고 상기 입구로 공급되는 반응 기체를 이온화시키도록 구성된 복수의 이오나이저들; 및상기 반응 챔버를 가열하도록 구성된 히터;를 포함하고,상기 복수의 이오나이저들은:상기 반응 기체를 양성으로 이온화시키도록 구성된 제 1 이오나이저; 및상기 반응 기체를 음성으로 이온화시키도록 구성된 제 2 이오나이저;를 포함하는 기판 처리 장치
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 이오나이저 및 상기 제 2 이오나이저는 상기 반응 챔버의 입구에 병렬적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 이오나이저 및 상기 제 2 이오나이저는 각각 입구부, 방전부, 및 출구부를 포함하고,상기 반응 기체의 흐름 방향에 있어서, 상기 출구부의 연장 길이는 상기 입구부의 연장 길이보다 더 큰 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치
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제 3 항에 있어서,상기 출구부의 내경은 상기 방전부로부터 멀어질수록 감소하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치
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제 3 항에 있어서,상기 방전부는 전극 지지부 및 상기 전극 지지부를 관통하여 상기 제 1 이오나이저 및 상기 제 2 이오나이저의 내부 공간으로 연장되는 방전 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 이오나이저와 상기 제 2 이오나이저가 각각 복수로 제공된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치
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제 6 항에 있어서,복수의 상기 제 1 이오나이저들 및 복수의 상기 제 2 이오나이저들이 각각 상기 반응 챔버의 입구에 병렬적으로 연결된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치
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증착 기체가 공급되는 입구 및 잔여 기체가 배출되는 출구를 갖고, 물질막을 형성하고자 하는 기판을 수용할 수 있는 증착 챔버;상기 입구의 전단에 배치되고 상기 입구로 공급되는 증착 기체를 양성으로 이온화시키도록 구성된 제 1 이오나이저;상기 입구의 전단에 배치되고 상기 입구로 공급되는 증착 기체를 음성으로 이온화시키도록 구성된 제 2 이오나이저;상기 제 1 이오나이저에 양의 직류 전원을 공급하도록 구성된 제 1 파워 장치; 및상기 제 2 이오나이저에 음의 직류 전원을 공급하도록 구성된 제 2 파워 장치;를 포함하는 물질막 증착 장치
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제 8 항에 있어서,상기 물질막을 형성할 때 상기 증착 챔버의 내부의 압력은 약 0
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증착 기체가 공급되는 입구 및 잔여 기체가 배출되는 출구를 갖고, 내부 압력이 약 0
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