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질화실리콘 기판 위에 소층 그래핀을 형성하는 단계;상기 소층 그래핀 위에 금속촉매층을 형성하는 단계;상기 금속촉매층 위에 비정질 탄소층을 형성하는 단계; 및상기 소층 그래핀을 씨드층으로 하여 열처리를 통한 상기 금속촉매층과 상기 비정질 탄소층 간의 층간 교환에 의해 상기 비정질 탄소층의 탄소가 상기 금속촉매층을 통과하여 상기 소층 그래핀 위로 이동하여 상기 소층 그래핀을 다층 그래핀으로 직성장하는 단계;를 포함하는 극자외선 노광용 펠리클에 사용되는 다층 그래핀의 직성장 방법
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제1항에 있어서,상기 질화실리콘 기판은 극자외선 노광용 펠리클에 사용되며, 실리콘 기판, 및 상기 실리콘 기판 위에 형성된 질화실리콘 소재의 지지층을 포함하고,상기 지지층 위에 상기 소층 그래핀이 형성되는 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클에 사용되는 다층 그래핀의 직성장 방법
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제2항에 있어서,상기 소층 그래핀은 5층 이하의 그래핀인 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클에 사용되는 다층 그래핀의 직성장 방법
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제3항에 있어서, 상기 소층 그래핀을 형성하는 단계에서,상기 소층 그래핀을 상기 지지층 위에 전사하여 형성하는 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클에 사용되는 다층 그래핀의 직성장 방법
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제3항에 있어서,상기 금속촉매층의 금속이 상기 실리콘 기판으로 확산되는 것을 방지하는 확산방지층인 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클에 사용되는 다층 그래핀의 직성장 방법
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제3항에 있어서,상기 금속촉매층의 소재는 Ni, Co, Ru 또는 Pt를 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클에 사용되는 다층 그래핀의 직성장 방법
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제6항에 있어서, 상기 금속촉매층을 형성하는 단계에서,상기 금속촉매층을 스퍼터링 또는 전자빔 증착법(e-beam evaporation method)으로 10nm 내지 100nm의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클에 사용되는 다층 그래핀의 직성장 방법
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제3항에 있어서, 상기 비정질 탄소층을 형성하는 단계에서,상기 비정질 탄소층을 스퍼터링으로 10nm 내지 100nm의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클에 사용되는 다층 그래핀의 직성장 방법
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제1항에 있어서, 상기 다층 그래핀으로 직성장하는 단계에서,상기 열처리는 수소 가스 및 불활성 가스 분위기에서 500 내지 1100℃로 10분 내지 10시간 진행되고, 상기 불활성 가스는 질소, 아르곤 및 헬륨 중에 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클에 사용되는 다층 그래핀의 직성장 방법
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제1항에 있어서, 상기 다층 그래핀으로 직성장하는 단계 이후에 수행되는,상기 다층 그래핀 위의 상기 금속촉매층을 제거하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클에 사용되는 다층 그래핀의 직성장 방법
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질화실리콘 기판 위에 다층 그래핀을 직성장하여 코어층을 형성하는 단계;상기 코어층 위에 캡핑층을 형성하는 단계; 및상기 코어층 아래의 상기 질화실리콘 기판의 중심 부분을 제거하여 상기 코어층이 노출되는 개방부를 형성하는 단계;를 포함하며,상기 코어층을 형성하는 단계는,상기 질화실리콘 기판 위에 소층 그래핀을 형성하는 단계;상기 소층 그래핀 위에 금속촉매층을 형성하는 단계;상기 금속촉매층 위에 비정질 탄소층을 형성하는 단계;상기 소층 그래핀을 씨드층으로 하여 열처리를 통한 상기 금속촉매층과 상기 비정질 탄소층 간의 층간 교환에 의해 상기 비정질 탄소층의 탄소가 상기 금속촉매층을 통과하여 상기 소층 그래핀 위로 이동하여 상기 소층 그래핀을 다층 그래핀으로 직성장하는 단계; 및상기 다층 그래핀 위의 상기 금속촉매층을 제거하는 단계;를 포함하는 다층 그래핀의 직성장 방법을 이용한 극자외선 노광용 펠리클의 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 질화실리콘 기판은 실리콘 기판, 및 상기 실리콘 기판 위에 형성된 질화실리콘 소재의 지지층을 포함하고,상기 소층 그래핀을 형성하는 단계에서, 상기 지지층 위에 상기 소층 그래핀이 형성되고,상기 개방부를 형성하는 단계에서, 상기 지지층 아래의 상기 실리콘 기판의 중심 부분을 제거하여 상기 개방부를 형성하는 것을 특징으로 하는 다층 그래핀의 직성장 방법을 이용한 극자외선 노광용 펠리클의 제조 방법
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제12항에 있어서,상기 소층 그래핀은 5층 이하의 그래핀이고, 상기 금속촉매층의 금속이 상기 실리콘 기판으로 확산되는 것을 방지하는 확산방지층인 것을 특징으로 하는 다층 그래핀의 직성장 방법을 이용한 극자외선 노광용 펠리클의 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 캡핑층의 소재는 SiNx, BN, ZrBx(2≤x003c#16), ZrBxSiy(x≥2, y≥2), Si-BN 또는 Zr을 포함하는 것을 특징으로 하는 다층 그래핀의 직성장 방법을 이용한 극자외선 노광용 펠리클의 제조 방법
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제14항에 있어서,상기 캡핑층을 형성하는 단계에서,상기 캡핑층을 ALD(atomic layer deposition) 또는 IBSD(ion beam sputtering deposition) 공정으로 상기 코어층 위에 1nm 내지 5nm의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 다층 그래핀의 직성장 방법을 이용한 극자외선 노광용 펠리클의 제조 방법
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