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리튬이온전지용 Ni-rich 층상계 양극재료, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 리튬이온전지

  • 기술번호 : KST2021009990
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 리튬이온전지용 Ni-rich 층상계 양극재료, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 리튬이온전지에 관한 것으로, 보다 상세하게는 금속복합산화물의 표면을 폴리도파민 코팅층으로 전처리한 후 얇고 균일한 두께의 이산화티탄 코팅층을 형성함으로써 양극재료의 표면 안정성 향상으로 전지의 출력특성, 수명특성 및 고온 안정성이 우수한 리튬이온전지용 Ni-rich 층상계 양극재료, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 리튬이온전지에 관한 것이다.
Int. CL H01M 4/36 (2006.01.01) H01M 4/525 (2010.01.01) H01M 4/505 (2010.01.01) H01M 4/485 (2010.01.01) H01M 4/62 (2006.01.01) H01M 10/0525 (2010.01.01) C01G 53/00 (2006.01.01) C01G 23/047 (2006.01.01) C08G 61/12 (2006.01.01)
CPC H01M 4/366(2013.01) H01M 4/525(2013.01) H01M 4/505(2013.01) H01M 4/485(2013.01) H01M 4/62(2013.01) H01M 10/0525(2013.01) C01G 53/50(2013.01) C01G 23/047(2013.01) C08G 61/12(2013.01) C01P 2004/80(2013.01) C01P 2006/40(2013.01) C08G 2261/3241(2013.01) C08G 2261/1524(2013.01)
출원번호/일자 1020200010326 (2020.01.29)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2021-0097250 (2021.08.09) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.01.29)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김형석 서울특별시 성북구
2 김형우 서울특별시 성북구
3 장지혜 서울특별시 성북구
4 정경윤 서울특별시 성북구
5 김상옥 서울특별시 성북구
6 류승호 서울특별시 성북구
7 임희대 서울특별시 성북구
8 이민아 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충현 대한민국 서울특별시 서초구 동산로 **, *층(양재동, 베델회관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2020.01.29 수리 (Accepted) 1-1-2020-0093768-76
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2020.08.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2020.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2021-0081277-94
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2021.05.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2021-0392790-32
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2021.07.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2021-0830964-96
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
2021.07.19 수리 (Accepted) 1-1-2021-0830946-74
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번호 청구항
1 1
리튬, 니켈, 코발트 및 망간을 포함하는 금속복합산화물을 제조하는 단계; 폴리도파민 전구체 용액에 상기 금속복합산화물을 혼합하여 폴리도파민 코팅층을 형성된 금속복합산화물을 제조하는 단계;이산화티탄 전구체 용액에 상기 폴리도파민 코팅층이 형성된 금속복합산화물을 혼합하여 상기 폴리도파민 코팅층 상에 이산화티탄 코팅층이 형성된 금속복합산화물을 제조하는 단계; 및상기 폴리도파민 코팅층 상에 이산화티탄 코팅층이 형성된 금속복합산화물을 소성하여 Ni-rich 층상계 양극재료를 제조하는 단계;를 포함하는 리튬이온전지용 Ni-rich 층상계 양극재료의 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 금속복합산화물은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물인 것인 리튬이온전지용 Ni-rich 층상계 양극재료의 제조방법
3 3
제1항에 있어서,상기 금속복합산화물은 평균직경이 4~7 ㎛인 구형 분말인 것인 리튬이온전지용 Ni-rich 층상계 양극재료의 제조방법
4 4
제1항에 있어서,상기 폴리도파민 전구체는 2-(3,4-디하이드록시페닐)에틸아민 하이드로클로라이드(2-(3,4-dihydroxyphenyl)ethylamine hydrochloride), 3,4-디하이드록시-L-페닐알라닌(3,4-dihydroxy-L-phenylalanine, L-DOPA) 또는 이들의 혼합물인 것인 리튬이온전지용 Ni-rich 층상계 양극재료의 제조방법
5 5
제1항에 있어서,상기 폴리도파민 전구체 용액은 상기 금속복합산화물의 전체 100 중량%를 기준으로 10~30 중량%를 혼합하는 것인 리튬이온전지용 Ni-rich 층상계 양극재료의 제조방법
6 6
제1항에 있어서,상기 폴리도파민 코팅층은 코팅 두께가 0
7 7
제1항에 있어서,상기 이산화티탄 전구체는 티타늄부톡사이드(titanium(Ⅳ) butoxide, Ti[OC(CH3)3]4), 티타늄에톡사이드(titanium(Ⅳ) ethoxide, Ti(OC2H5)4) 및 티타늄 클로라이드(titanium(IV) chloride, TiCl4)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 것인 리튬이온전지용 Ni-rich 층상계 양극재료의 제조방법
8 8
제1항에 있어서,상기 이산화티탄 코팅층은 코팅 두께가 1~8 nm인 것인 리튬이온전지용 Ni-rich 층상계 양극재료의 제조방법
9 9
제1항에 있어서,상기 이산화티탄 코팅층을 형성하는 단계는 상기 폴리도파민 코팅층의 -OH 카테콜 작용기와 상기 이산화티탄 코팅층의 Ti4+ 이온과 이온결합에 의해 상기 이산화티탄 코팅층을 형성하는 것인 리튬이온전지용 Ni-rich 층상계 양극재료의 제조방법
10 10
제1항에 있어서,상기 Ni-rich 층상계 양극재료를 제조하는 단계에서 소성은 산소 분위기하에 400~600 ℃의 온도에서 4~6시간 동안 수행하는 것인 리튬이온전지용 Ni-rich 층상계 양극재료의 제조방법
11 11
제1항에 있어서,상기 Ni-rich 층상계 양극재료를 제조하는 단계에서 상기 폴리도파민 코팅층은 산소 분위기 및 소성으로 완전 분해되어 이산화티탄 코팅층-금속복합산화물 구조의 Ni-rich 층상계 양극재료를 제조하는 것인 리튬이온전지용 Ni-rich 층상계 양극재료의 제조방법
12 12
하기 화학식 1로 표시되는 금속복합산화물; 및상기 금속복합산화물 상에 형성된 이산화티탄 코팅층;을 포함하는 리튬이온전지용 Ni-rich 층상계 양극재료
13 13
제12항의 Ni-rich 층상계 양극재료를 포함하는 리튬이온전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 한국과학기술연구원 미래원천청정신기술개발사업 소듐이온 기반 대용량 전력저장시스템용 이차전지 소재 원천기술 개발