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제1 패드를 포함하는 기판을 준비하는 것;상기 제1 패드 상에 범프 구조체를 제공하는 것;상기 범프 구조체 상에 열 전달판을 제공하는 것;상기 열 전달판에 제1 레이저를 조사하여 상기 범프 구조체의 두께를 감소시키는 것;상기 열 전달판을 제거하는 것; 및제2 패드를 포함하는 반도체 칩을 상기 기판에 실장하여 상기 제2 패드와 상기 범프 구조체를 전기적으로 연결시키는 것을 포함하는 레이저 본딩 방법
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제1 항에 있어서,상기 열 전달판은 상기 범프 구조체와 접촉하는 소수성 표면(hydrophobic surface)을 갖는 레이저 본딩 방법
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제1 항에 있어서,상기 범프 구조체와 접촉하는 상기 열 전달판의 하면은 1mJ/m2 내지 10mJ/m2 부착 일(work of adhesion)을 갖는 레이저 본딩 방법
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제1 항에 있어서,상기 열 전달판은 50W/mK 내지 1kW/mK 범위의 열 전도도를 갖는 레이저 본딩 방법
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제1 항에 있어서,두께가 감소된 상기 범프 구조체는 평탄한 상면을 갖는 레이저 본딩 방법
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제1 항에 있어서,상기 반도체 칩을 상기 기판에 실장한 후, 상기 반도체 칩의 일면 상에 제2 레이저를 조사하는 것을 더 포함하는 레이저 본딩 방법
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제1 항에 있어서,상기 제1 패드 상에 상기 범프 구조체를 제공하기에 앞서, 상기 제1 패드 상에 플럭스 조성물을 제공하는 것을 더 포함하는 레이저 본딩 방법
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제1 항에 있어서,상기 제1 레이저는 100nm 내지 3μm 범위의 파장을 갖는 레이저 본딩 방법
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제1 항에 있어서,상기 열 전달판에 상기 제1 레이저를 조사하여 상기 제1 패드와 상기 범프 구조체 사이에 금속간 화합물을 형성하는 것을 포함하는 레이저 본딩 방법
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10
제1 항에 있어서,상기 열 전달판은 상기 반도체 칩에 비해 작은 두께를 갖는 레이저 본딩 방법
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제1 패드를 포함하는 기판을 준비하는 것;상기 제1 패드 상에 제1 플럭스 조성물을 제공하는 것;상기 제1 패드 상에 범프 구조체를 제공하는 것;상기 범프 구조체 상에 열 전달판을 제공하고, 상기 열 전달판에 제1 레이저를 조사하는 것;제1 면 상에 제2 패드가 형성된 반도체 칩의 상기 제1 면 상에 제2 플럭스 조성물을 제공하는 것;상기 반도체 칩을 상기 기판에 실장하여 상기 제1 패드와 상기 제2 패드를 전기적으로 연결시키는 것; 및상기 제1 면과 대향하는 상기 반도체 칩의 제2 면에 제2 레이저를 조사하는 것을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법
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제11 항에 있어서,상기 제2 플럭스 조성물은 상기 제1 패드와 이격되는 레이저 본딩 방법
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제11 항에 있어서,상기 제1 레이저를 조사하는 동안 상기 제1 패드와 상기 범프 구조체 사이에 금속간 화합물이 형성되고,상기 제2 레이저를 조사하는 동안 항기 제2 패드와 상기 범프 구조체의 사이에 금속간 화합물이 형성되는 레이저 본딩 방법
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제11 항에 있어서,상기 제1 레이저 및 상기 제2 레이저는 100nm 내지 3μm 범위의 파장을 갖는 레이저 본딩 방법
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제11 항에 있어서,상기 열 전달판은 상기 범프 구조체와 접촉하는 소수성 표면(hydrophobic surface)을 갖는 레이저 본딩 방법
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