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광 가교 불소고분자를 이용한 신경 전극의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2021010079
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 신경 전극 어레이 제조 방법을 개시한다. 그의 제조 방법은 베이스 기판 상에 희생 층을 형성하는 단계와, 상기 희생 층 상에 기판 층을 형성하는 단계와, 상기 기판 층 상에 신경 전극을 형성하는 단계와, 플라즈마를 이용하여 상기 신경 전극 외곽의 상기 기판 층을 표면 처리하여 상기 기판 층의 상부 면에 라디컬을 형성시키는 단계와, 상기 신경 전극의 가장자리와 상기 기판 층 상에 패시베이션 층을 형성하는 단계와, 상기 희생 층을 제거하여 상기 기판 층, 상기 전극 및 상기 패시베이션 층을 포함하는 신경 전극을 상기 베이스 기판으로부터 분리하는 단계를 포함한다.
Int. CL A61B 5/24 (2021.01.01) A61B 5/00 (2021.01.01) A61N 1/36 (2006.01.01) A61N 1/05 (2006.01.01) H01B 5/14 (2006.01.01)
CPC A61B 5/24(2013.01) A61B 5/6877(2013.01) A61N 1/3605(2013.01) A61N 1/36125(2013.01) A61N 1/0526(2013.01) H01B 5/14(2013.01) A61B 2562/125(2013.01) A61B 2562/0209(2013.01)
출원번호/일자 1020200016931 (2020.02.12)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2021-0103020 (2021.08.23) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김용희 대전광역시 서구
2 정상돈 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2020.02.12 수리 (Accepted) 1-1-2020-0147836-83
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번호 청구항
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베이스 기판 상에 희생 층을 형성하는 단계;상기 희생 층 상에 기판 층을 형성하는 단계;상기 기판 층 상에 신경 전극을 형성하는 단계;플라즈마를 이용하여 상기 신경 전극 외곽의 상기 기판 층을 표면 처리하여 상기 기판 층의 상부 면에 라디컬을 형성시키는 단계;상기 신경 전극의 가장자리와 상기 기판 층 상에 패시베이션 층을 형성하는 단계; 및상기 희생 층을 제거하여 상기 기판 층, 상기 전극 및 상기 패시베이션 층을 포함하는 신경 전극을 상기 베이스 기판으로부터 분리하는 단계를 포함하되,상기 기판 층 및 상기 패시베이션 층은 광 가교 불소고분자를 포함하는 신경 전극의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.