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반도체 기판;상기 반도체 기판 상에 차례로 적층된 제1 광 도파로 및 제2 광 도파로, 상기 제1 광 도파로 및 상기 제2 광 도파로는 각각 제1 부분 및 제2 부분을 가지고, 상기 제1 부분은 상기 제2 부분으로부터 상기 반도체 기판의 상면에 평행한 제1 방향을 따라서 연장되고; 상기 제2 광 도파로의 상기 제2 부분 상의 굴절률 정합층(refractive index matching layer);상기 굴절률 정합층 상의 클래드 층; 및상기 굴절률 정합층 및 상기 클래드 층 사이의 흡수층을 포함하되,상기 제2 광 도파로는 제1 도전형이고, 상기 클래드 층은 상기 제1 도전형과 반대되는 제2 도전형이며,상기 굴절률 정합층은 진성(intrinsic)인 제1 반도체층을 포함하는 도파로형 광 검출기
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제1항에 있어서,상기 흡수층은 진성(intrinsic) 반도체층이고,상기 흡수층의 두께는 0
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제1항에 있어서,상기 제2 광 도파로의 제1 부분은 테이퍼진(tapered) 도파로형 광 검출기
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제1항에 있어서,상기 굴절률 정합층은 상기 흡수층 및 상기 제2 광 도파로와 접촉하는 도파로형 광 검출기
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제1항에 있어서,상기 굴절률 정합층의 굴절률은 상기 흡수층의 굴절률보다 작고, 상기 제2 광 도파로의 굴절률보다 큰 도파로형 광 검출기
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제1항에 있어서,상기 굴절률 정합층 및 상기 제2 광 도파로 사이의 상기 제1 도전형의 제3 광 도파로를 더 포함하고,상기 제3 광 도파로는 제1 부분 및 제2 부분을 가지고, 상기 제3 광 도파로의 상기 제1 부분은 상기 제3 광 도파로의 상기 제2 부분으로부터 돌출되고, 상기 반도체 기판의 상면에 평행한 제1 방향을 따라서 연장되고, 상기 제3 광 도파로는 진성 반도체 층 또는 상기 제1 도전형의 반도체층을 포함하고,상기 제3 광 도파로의 제1 부분은 테이퍼진(tapered) 도파로형 광 검출기
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제6항에 있어서,상기 제2 광 도파로의 두께는 상기 제1 광 도파로의 두께보다 작고,상기 제3 광 도파로의 두께는 상기 제2 광 도파로의 두께보다 작은 도파로형 광 검출기
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제1항에 있어서,상기 흡수층은 상기 제2 도전형의 불순물로 도핑된 반도체층이고,상기 흡수층의 두께는 0
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제1항에 있어서,상기 굴절률 정합층은 상기 제1 도전형의 불순물로 도핑된 제2 반도체 층을 더 포함하고,상기 제2 반도체 층은 상기 제1 반도체층 및 상기 제2 광 도파로 사이에 개재되는 도파로형 광 검출기
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10
제1항에 있어서,상기 굴절률 정합층 및 상기 흡수층은 서로 다른 반도체 물질을 포함하는 도파로형 광 검출기
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제10항에 있어서,상기 굴절률 정합층은 인듐갈륨비소인(InGaAsP)을 포함하고,상기 흡수층은 인듐갈륨비소(InGaAs)를 포함하는 도파로형 광 검출기
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제1항에 있어서,상기 제2 광 도파로의 상기 제2 부분 상에 위치하며, 상기 굴절률 정합층과 이격되는 제1 전극; 및상기 클래드 층 상의 제2 전극을 더 포함하는 도파로형 광 검출기
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제1 영역 및 제2 영역을 가지는 반도체 기판;상기 제1 영역 상의 제1 부분 및 상기 제2 영역 상의 제2 부분을 가지는 광 도파로; 상기 광 도파로의 제2 부분 상의 굴절률 정합층(refractive index matching layer); 및상기 굴절률 정합층 상의, 상기 굴절률 정합층과 접촉하는 흡수층을 포함하고,상기 광 도파로의 제1 부분은 라인 형상을 가지고, 상기 제1 영역으로부터 상기 제2 영역을 향하여 폭이 증가하고,상기 굴절률 정합층은 진성(intrinsic) 반도체 층을 포함하고, 상기 흡수층은 진성 반도체 층 또는 p형 반도체 층을 포함하고,상기 흡수층의 두께는 0
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제13항에 있어서,상기 흡수층 상의 p형 클래드 층을 더 포함하고,상기 광 도파로는 n형의 반도체층인 도파로형 광 검출기
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