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레독스 흐름 전지용 이온 선택성 분리막 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2021010106
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 레독스 흐름 전지용 이온 선택성 분리막 및 이의 제조방법에 관한 것으로 다공성 지지체에 하기 [화학식 1]로 표시되는 화합물이 융합시킴으로써, 이온 전도도 및 선택 투과성을 향상시킬 수 있다. [화학식 1]
Int. CL H01M 8/106 (2016.01.01) H01M 8/1037 (2016.01.01) H01M 8/1053 (2016.01.01) H01M 8/1086 (2016.01.01) H01M 8/18 (2015.01.01)
CPC H01M 8/106(2013.01) H01M 8/1037(2013.01) H01M 8/1053(2013.01) H01M 8/1086(2013.01) H01M 8/188(2013.01)
출원번호/일자 1020200020349 (2020.02.19)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2021-0105642 (2021.08.27) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2021.01.26)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황승상 서울특별시 성북구
2 홍순만 서울특별시 성북구
3 구종민 서울특별시 성북구
4 백경열 서울특별시 성북구
5 조상호 서울특별시 성북구
6 정지윤 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충현 대한민국 서울특별시 서초구 동산로 **, *층(양재동, 베델회관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2020.02.19 수리 (Accepted) 1-1-2020-0176760-81
2 [심사청구]심사청구서·우선심사신청서
2021.01.26 수리 (Accepted) 1-1-2021-0103520-86
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번호 청구항
1 1
다공성 지지체에 하기 [화학식 1]로 표시되는 화합물이 융합시킨 것을 특징으로 하는 레독스 흐름 전지용 이온 선택성 분리막;[화학식 1]상기 화학식 1에서, R1 및 R2 중 적어도 하나 이상은 양이온성 관능기 또는 음이온성 관능기이며,상기 n은 1 내지 10,000의 정수이다
2 2
제1항에 있어서, 상기 다공성 지지체는 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리올레핀, 폴리아크릴로니트릴(polyacrylonitrile, PAN), 폴리에테르설폰(poly(ether sulfone), PES) 및 폴리비닐리덴 플루오라이드(polyvinylidene fluoride, PVDF)로 이루어진 군에서 선택된 다공성 지지체인 것을 특징으로 하는 이온 선택성 분리막
3 3
제1항에 있어서, 상기 양이온성 관능기는 하기 [화학식 2] 내지 [화학식 6]의 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 이온 선택성 분리막;상기 R3 내지 R7은 수소, 비닐기, 알릴기, 아릴기, 메타크릴기, 아크릴기, 히드록시기, 아미노기로 이루어진 군에서 각각 독립적으로 서로 같거나 상이하게 선택된다
4 4
제3항에 있어서, 상기 R1 및 R2 중 상기 [화학식 2] 내지 [화학식 6]의 화합물로 표시되는 양이온성 관능기 외의 치환기는 이미다졸리엄, 피리디엄, 트리알킬 암모니엄, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, t-부틸기, 시클로프로필기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 에폭시기, 알릴기, 비닐기, 아민기 및 할로겐알킬기로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 이온 선택성 분리막
5 5
제1항에 있어서, 상기 음이온성 관능기는 술폰산기(-SO3H), 카르복실기(-COOH), 셀리노닉기(-SeO3H), 포스포닉기(-PO3H2), 포스피닉기(-HPO2H) 및 아소닉기(-AsO3H2)로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 이온 선택성 분리막
6 6
제5항에 있어서, 상기 R1 및 R2 중 상기 음이온성 관능기 외의 치환기는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, t-부틸기, 시클로프로필기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 에폭시기, 아릴기, 비닐기, 메타크릴기, 아크릴기, 글리시독시기, 아민기 및 할로겐알킬기로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 이온 선택성 분리막
7 7
(A) 다공성 지지체의 표면처리를 수행하는 단계; (B) 상기 표면처리된 다공성 지지체에 하기 [화학식 1]로 표시되는 화합물을 코팅시키는 단계; 및(C) 상기 [화학식 1]로 표시되는 화합물로 코팅된 다공성 지지체를 경화시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 레독스 흐름 전지용 이온 선택성 분리막의 제조방법;[화학식 1]상기 화학식 1에서, R1 및 R2 중 적어도 하나 이상은 양이온성 관능기 또는 음이온성 관능기이며,상기 n은 1 내지 10,000의 정수이다
8 8
제7항에 있어서, 상기 (A)단계에서 다공성 지지체는 플라즈마, 오존 또는 산화제로 표면이 처리된 것을 특징으로 하는 이온 선택성 분리막의 제조방법
9 9
제8항에 있어서, 상기 산화제는 술폰산(sulfuric acid), 질산(nitric acid) 또는 인산(phosphoric acid)인 것을 특징으로 하는 이온 선택성 분리막의 제조방법
10 10
제9항에 있어서, 상기 산화제는 술폰산(sulfuric acid), 질산(nitric acid) 또는 인산(phosphoric acid)과, 과산화수소(hydrogen peroxide, H2O2), 차아염소산나트륨(sodium hypochlorite, NaClO), 염소산칼륨(potassium chlorate, KClO3), 크롬산칼륨(potassium chromate, K2CrO4), 과망가니즈산 칼륨(potassium manganate, KMnO4)으로 이루어진 1종 이상을 혼합하여 사용하는 것을 특징으로 하는 이온 선택성 분리막의 제조방법
11 11
제7항에 있어서, 상기 (B)단계에서 코팅막의 두께는 0
12 12
제7항에 있어서, 상기 (C)단계에서 경화는 열 경화, 광 경화 또는 이들을 교차 적용한 경화인 것을 특징으로 하는 이온 선택성 분리막의 제조방법
13 13
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항의 이온 선택성 분리막을 포함하는 레독스 흐름 전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.